Электронная плотность и потенциал у поверхности

Содержание

Слайд 2

Слайд 3

Быстро затухают при удалении от поверхности Быстро затухают при удалении от

Быстро затухают при удалении
от поверхности

Быстро затухают при удалении
от

поверхности

Более точно Лэнг и Коэн

Усовершенствованный метод Хартри

Осцилляции

Аппельбаум и Хаманн использовали близкое выражение

Важная особенность

Особенно ярко выражены у
металлов с малой плотностью

Амплитуда может достигать 12% (rs=5)

Их наличие не сказывается существенно
на энергетике поверхностного слоя.
Поэтому оказывается возможным
использование приближенного описания

Слайд 4

Какова толщина слоя, определяющего ход n(r) и, следовательно, veff ? Какова

Какова толщина слоя, определяющего ход n(r) и, следовательно, veff ?

Какова

толщина слоя, определяющего ход n(r) и, следовательно, veff ?

При d/2>10 Å нет зависимости
от толщины пленки

Рассмотрен крайний случай

Наличие второй границы пленки
с вакуумом вносит наибольшее
возмущение

Единственный параметр - rs
или концентрация электронного газа

Выбор неоднозначен.

Особенно у d-металлов

Часть на локализованных связях

Часть можно считать свободными

Слайд 5

Две более или менее обоснованные возможности. Две более или менее обоснованные

Две более или менее
обоснованные возможности.

Две более или менее
обоснованные

возможности.

Учитывать все валентные электроны,
независимо от их происхождения,
свободными, т.е. считать, что
их число равно номеру группы

Например, железо образует
окисел Fe2O3, в котором Fe
имеет валентность 3.

Неоднозначно

CuO u CuO2

Эффективный потенциал
тем больше, чем больше п.

Коррелирует с плотностью
электронного газа

Большая часть поверхностного барьера обусловлена многочастичными эффектами

У d-металлов может быть больше 1/2 полного барьера

Дипольный барьер

Мал в случае щелочных металлов

Важно при рассмотрении контакта двух материалов

Учитывать только те, которые
участвуют в химической связи.

Считать п = 3 электрона / атом

В разных соединениях атомы
могут проявлять разную валентность.

veff

Слайд 6

Слайд 7

Электрохимический потенциал μ - изменение энергии системы при изменении числа частиц

Электрохимический потенциал μ - изменение энергии системы при изменении
числа частиц

на единицу

Трансформируем

Изменение
электростатической
энергии на поверхности

Смысл второго слагаемого

3.9.5. Работа выхода

Работа выхода - энергия, необходимая для удаления электрона из твердого тела на
большое расстояние от поверхности

μ = E(N)-E(N-1)

Слайд 8

При При Изменение числа частиц приводит к появлению электрона на уровне

При

При

Изменение числа частиц приводит
к появлению электрона на уровне Ферми

Второе слагаемое

- часть химического потенциала,
связанная с обменом и корреляцией

Δφ зависит только от распределения
электронов на поверхности.

μхс, напротив, определяется исключительно
объемными свойствами, совершенно
не зависит от состояния поверхности


:


Положение EF

Вниз на ⏐μxc⏐

Вверх на

Слайд 9

Слайд 10

Согласие ϕ с экспериментальными можно считать неплохим. Обнадеживает правильная последовательность изменения

Согласие ϕ с экспериментальными можно считать неплохим.
Обнадеживает правильная последовательность изменения

ϕ при переходе
от одного металла к другому

Согласие ϕ с экспериментальными можно считать неплохим.
Обнадеживает правильная последовательность изменения ϕ при переходе
от одного металла к другому

Но - для сравнения обычно используются данные, полученные для
поликристаллических поверхностей

Более оправдано было бы использование для этих целей ϕ наиболее
плотноупакованных поверхностей, поскольку именно в этом случае лучше
подходит желе-модель.

Слайд 11

3.9.6. Поверхностная энергия Чем в большем объеме располагается электронный газ, тем

3.9.6. Поверхностная энергия

Чем в большем объеме располагается электронный газ,
тем меньше

его кинетическая энергия.

σxc - изменение обменно-корреляционной энергии

Поэтому

Поверхностная энергия

Работа, необходимая для образования
поверхности единичной площади.

σcoul изменение электростатической энергии

σt - изменение кинетической энергии,
приходящееся на единицу площади

Электроны могут занимать большее пространство

Большое значение имеет правильный учет σxc и σcoul

Нерасширенный метод Томаса-Ферми(не учитывает обмен и корреляцию,
неусовершенствованный метод Хартри (игнорирует корреляцию)
не могут привести к удовлетворительным результатам.

Слайд 12

Приближение локальной плотности дает разумные величины для суммы обменной и корреляционной

Приближение локальной плотности дает
разумные величины для суммы обменной и
корреляционной

энергий.

Приближение локальной плотности дает
разумные величины для суммы обменной и
корреляционной энергий.

Две причины

Тщательные расчеты показали

При rs <2,5 ат.ед. – результаты противоречат
физическому смыслу

Первая - неверное описание
обменно-корреляционной энергии,
в первую очередь – использование
локального приближения.

Но каждая по отдельности вычисляется с
ошибками, которые компенсируют друг друга.

Слайд 13

Вторая причина - использование модели желе Вторая причина - использование модели желе

Вторая причина - использование модели желе

Вторая причина - использование модели

желе
Слайд 14

Увеличивается энергия электростатического взаимодействия Электронная плотность сконцентрирована на слое и спадает

Увеличивается энергия
электростатического взаимодействия

Электронная плотность сконцентрирована
на слое и спадает при

удалении от него.

3.9.7. Учет атомной структуры поверхности

Возмущающий потенциал

vg(r) - потенциал, создаваемый желеобразным положительным фоном,

1. Уменьшается изменение п на
поверхности (z=a/2)

Уменьшение электростатического вклада в потенциал, т.е.
уменьшение дипольного момента на поверхности.

vps – псевдопотенциал атомов

Упрощают, игнорируя атомную структуру
вдоль поверхности,
но сохраняя ее вдоль нормали.

Слоистая система - положительный
заряд концентрируется на
плоскостях, параллельных поверхности

Главные эффекты

Слайд 15

2. Увеличивается глубина изменения электронной плотности 2. Увеличивается глубина изменения электронной

2. Увеличивается глубина
изменения электронной плотности

2. Увеличивается глубина
изменения

электронной плотности

Вклад в электростатическую энергию,
обусловленный дискретностью
решетки большой, может даже
превосходить σcoul

Части σ, связанные с кинетической и
обменно-корреляционной энергиями,
практически не изменяются

Расчеты неплохо согласуются с экспериментом

Увеличение дипольного момента

Слайд 16

Расчеты электронной структуры различных граней металлов Для характеристики пространственного распределения удобно

Расчеты электронной структуры различных граней металлов

Для характеристики пространственного распределения удобно ввести

понятие
локальной плотности состояний (ЛПС), которое определяют как количество
состояний, имеющих заданную энергию в данной точке пространства

Аналогично - плотность
состояний, соответствующая слою,
параллельному поверхности

Распределение быстро становится
не отличающимся от распределения в объеме

Сужение энергетического интервала,
в котором существуют разрешенные
состояния

Слайд 17

Слайд 18

3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью Адсорбция, эмиссионные процессы, взаимодействие с пучками

3.8.8. Взаимодействие заряда с поверхностью

Адсорбция, эмиссионные процессы,
взаимодействие с пучками заряженных

частиц и т.д.

При больших расстояниях

Наведенный заряд находится в плоскости поверхности

При малых d соотношение
должно нарушаться

Сингулярность

Поверхностный заряд располагается в области
конечной ширины

Реакция металла должна зависеть от знака
внешнего заряда.

Поверхностная ионизация в сильных
электрических полях , десорбция полем

Результат - допустимо использование классического выражения до 2-3 Å.

Важная проблема

Предполагается

Справедливо при d>>a

Экспериментально

Слайд 19

Приближение линейного отклика (ЛО). Приближение линейного отклика (ЛО). Линейная зависимость между

Приближение линейного отклика (ЛО).

Приближение линейного отклика (ЛО).

Линейная зависимость между

изменением концентрации
электронной плотности и потенциалом, создаваемым внешним зарядом:

Условие
электронейтральности

ЗСЗИ хорошо выполняется вплоть до
d=5-6 ат.ед.

d0 - величина, зависящая от плотности
электронного газа

d0 >0, т.е. плоскость зеркального
изображения смещена в сторону вакуум

Расчеты

Слайд 20

Вне линейного отклика (ЛО) Вне линейного отклика (ЛО) При малых d

Вне линейного отклика (ЛО)

Вне линейного отклика (ЛО)

При малых d Ein зависит

от знака
возмущающего заряда
Слайд 21

3.8.9.Влияние внешнего электрического поля Появление поверхностного заряда F - напряженность электрического

3.8.9.Влияние внешнего электрического поля

Появление поверхностного заряда

F - напряженность
электрического поля


Заряд располагается в плоскости поверхности

С микроскопической точки зрения такого
описания не достаточно

ΔnF(z)=nF(z)-nF=o(z),

Приближение слабого внешнего поля.

Основные изменения вне фона
положительного заряда (z>0)

Центр тяжести
наведенного заряда:

Классические
представления

~ 0.3 Å от z=0