Поверхностная (проектированная) зона Бриллюэна

Содержание

Слайд 2

Нет однозначного соответствия между волновым вектором и энергией. Нет однозначного соответствия

Нет однозначного соответствия
между волновым вектором и энергией.

Нет однозначного соответствия


между волновым вектором и энергией.

Приведенная зона
Бриллюэна

Металл со свободными электронами,
простая кубическая решетка

Зона Бриллюэна - куб с ребрами
длиной 2π/a

Ряд точек и направлений представляют
наибольший интерес

Наличие у них элементов симметрии
облегчает расчеты.

Можно анализировать зависимость ε(k)
в пределах только первой зоны

-π/a≤ki≤π/a

Нет однозначного соответствия
между волновым вектором и энергией.

Приведенная зона
Бриллюэна

Металл со свободными электронами,
простая кубическая решетка

Зона Бриллюэна - куб с ребрами
длиной 2π/a

Слайд 3

ε(k) при изменении k вдоль направления [001] (Δ) от точки Г

ε(k) при изменении k вдоль направления [001]
(Δ) от точки

Г до Х.

ε(k) при изменении k вдоль направления [001]
(Δ) от точки Г до Х.

Уравнение Шредингера

ky=kz=0, 0≤kx≤π/a

ψ = exp (i(k - G)r),

G = 2π/a(n1 ix + n2 iy + n3 iz)

ix , iy, iz - единичные орты

ni - любые целые числа

Будем измерять k в величинах, кратных 2π/a:

k = 2π/a(ξ,η,ζ) = 2π/a(ξ ix + η iy + ζ iz),

Пределы изменения ξ, η, ζ - от 0 до 1/2.

Введем безразмерную величину

λ = (ξ-n1)2+(η-n2)2+(ζ-n3)2

Слайд 4

λΔ = (n1-ξ)2+ n22+n32 λΔ = (n1-ξ)2+ n22+n32 λХ (n1,n2,n3)= (n1

λΔ = (n1-ξ)2+ n22+n32

λΔ = (n1-ξ)2+ n22+n32

λХ (n1,n2,n3)= (n1

- 1/2)2 +n22+ n32

Минимальная энергия при n = (0,0,0)

Вдоль оси Δ.

λΔ(1)(0,0,0) = ξ2 и λХ(0,0,0) = 1/4

Точка Г

λ = (ξ-n1)2+(η-n2)2+(ζ-n3)2

λГ = n12+n22+n32

λ = 0

Точка X

n = (1,0,0)

λХ(2)(1,0,0) = 1/4

λГ(2)=1

Направление [100]

λΔ(3) = ξ2 + 1

λΔ(4) = (1 - ξ)2+1

n=(1,1,0)

λΔ(2) = (1 - ξ)2

n = (0,0,0)

λΔ(3) вырождена четырехкратно.

Слайд 5

Дисперсионные зависимости усложняются при учете периодического потенциала Кристалл, ограниченный поверхностью V(r)


Дисперсионные зависимости
усложняются при учете
периодического потенциала

Кристалл, ограниченный поверхностью

V(r) =

V(u + z)

u - вектор двумерной поверхностной решетки

ψ = ψ k⊥ (z)exp (i(k⎜⎜(x)u),

k⎜⎜ - волновой вектор двухмерной решетки, параллельной поверхности.

Появление энергетических щелей
на границах зон Бриллюэна

Понижение кратности вырождения

Изменение формы дисперсионных
зависимостей и т.д.

Сведение симметрии к двум измерениям равносильно тому, что
элементарная ячейка кристалла простирается до бесконечности в направлении,
перпендикулярном поверхности

Трансляционная симметрия
сохраняется по координатам x и y

Поверхность при z = 0

Слайд 6

Удобно использовать зону Бриллюэна Удобно использовать зону Бриллюэна ЗБ двумерна, что

Удобно использовать зону Бриллюэна

Удобно использовать зону Бриллюэна

ЗБ двумерна, что


соответствует
размерности
“хорошего” квантового
числа k⎜⎜

Поверхностная (“проектированная”)
зона Бриллюэна

“Сплющиваем” зону Бриллюэна

Длина грани по оси kz (2π/az )
в обратном пространстве уменьшается.

Расширяем элементарную
ячейку вдоль оси z

В пределе

Над обозначениями точек и направлений ставится черта

Слайд 7

“Сплющивание” не приводит к изменению спектра объемных собственных состояний с фиксированным

“Сплющивание” не приводит к изменению
спектра объемных собственных состояний
с фиксированным

k|| и различными k⊥

“Сплющивание” не приводит к изменению
спектра объемных собственных состояний
с фиксированным k|| и различными k⊥

Для фиксированного значения k⎜⎜
существует не одно дискретное
собственное значение E,
а некоторый континуум

Каждому из состояний, находящихся
в голубой области может быть
сопоставлено по меньшей мере
одно объемное состояние.

Слайд 8

В случае полупроводника или диэлектрика на проекции объемных состояний должен иметься

В случае полупроводника или диэлектрика на
проекции объемных состояний должен
иметься

энергетический зазор по всей ПЗБ.

В случае полупроводника или диэлектрика на
проекции объемных состояний должен
иметься энергетический зазор по всей ПЗБ.

Поверхностные состояния могут существовать
для некоторого интервала значений k⎜⎜

Зона поверхностных состояний.

Если в бесконечном кристалла в некотором интервале Е нет
разрешенных состояний той же симметрии ни при каком значении k⊥,
то электроны на ПС локализованы у поверхности

Их волновые функции
экспоненциально затухают
при удалении от поверхности
как в сторону вакуума,
так и в сторону объема

Связанная поверхностная зона

Связанные поверхностные состояния
Энергетические уровни -
- связанные поверхностные уровни

Слайд 9

Возрастает амплитуда у поверхности. При удалении вглубь амплитуда убывает, однако значительно

Возрастает амплитуда у поверхности. При
удалении вглубь амплитуда убывает, однако
значительно

медленнее, чем экспоненциально

Возрастает амплитуда у поверхности. При
удалении вглубь амплитуда убывает, однако
значительно медленнее, чем экспоненциально

Объемные уровни

Если энергетический уровень ПС
совпадает с собственными
значениями бесконечного
объемного кристалла

Имеется взаимодействие состояний,
отвечающих одинаковой
собственной энергии

Резонанс

Если собственные значения энергии
электронов кристалла с поверхностью
совпадают с таковыми для бесконечного
кристалла, то соответствующие им
волновые функции распространяются
в объем кристалла без затухания

Резонансные поверхностные состояния

Слайд 10

Часто наблюдается реконструкция. Размеры элементарной ячейки изменяются. Часто наблюдается реконструкция. Размеры

Часто наблюдается реконструкция.
Размеры элементарной
ячейки изменяются.

Часто наблюдается реконструкция.
Размеры элементарной
ячейки изменяются.

ПЗБ

- шестиугольник

Если симметрия поверхностного
слоя не отличается от
имеющейся в объеме

Проектирование не сложно

Однако

Изменяются величины
векторов обратной решетки,
размеры зоны Бриллюэна

Si(111)

Идеальная
структура (1x1)

ПЗБ - прямоугольник,
вписанный в шестиугольник

Структура (2x1)

Слайд 11

Некоторые области ПЗБ дважды или большее число раз покрыты проекциями точек

Некоторые области ПЗБ дважды
или большее число раз покрыты
проекциями точек объемной

ЗБ.

Некоторые области ПЗБ дважды
или большее число раз покрыты
проекциями точек объемной ЗБ.

Расщепление электронных
состояний, появление
запрещенного
энергетического
интервала

В результате

Может быть не достаточно простого сдвига
“выступающих” частей дисперсионной кривой

На границе
зоны
вырождение

Слайд 12