Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход

Сентябрь 14, 2022

Главная
Алгебра
Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход

Содержание

2. Идеальным, или идеализированным p-n переходом называется такой p-n переход, который представляет собой упрощенную модель реального p-n
3. Толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей заряда в этих областях. Уровень инжекции мал,
4. Физические процессы при прямом напряжении на p-n переходе Схема движения основных носителей заряда Идеальный p-n переход
5. Стационарные распределения избыточной концентрации неосновных носителей заряда определяются из уравнения диффузии: Это дифференциальное уравнение описывает диффузионное
6. Распределения избыточных концентраций носителей заряда Идеальный p-n переход
7. Плотность тока диффузии на границе p-n перехода: Ток через p-n переход опишется вольтамперной характеристикой идеального перехода:
8. Идеальный p-n переход Теоретическая ВАХ p-n перехода
9. Параметры прямой ветви ВАХ – дифференциальное сопротивление перехода: сопротивление постоянному току Для обратной ветви ВАХ :
10. Определение сопротивлений перехода Идеальный p-n переход
11. Вольт-фарадная характеристика p-n перехода Идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор, емкость которого определяется соотношением:
12. Вольт-фарадная характеристика p-n перехода Идеальный p-n переход
13. Для диффузионной емкости: Идеальный p-n переход
14. Зависимость барьерной и диффузионной емкостей p-n перехода от напряжения Идеальный p-n переход
15. Выводы Ток насыщения с ↑T растет экспоненциально, так как экспоненциально возрастает концентрация неосновных носителей заряда (приближенно:
17. Скачать презентацию

Слайд 2

Идеальным, или идеализированным p-n переходом называется такой p-n переход, который представляет

собой упрощенную модель реального p-n перехода, для которой приняты следующие допущения:
Все подводимое напряжение приложено и падает непосредственно на p-n переходе.
Ширина p-n перехода пренебрежимо мала.
Границы p-n перехода являются плоскими, носители заряда движутся только в направлении, перпендикулярном этим границам, краевые эффекты не учитываются.

Идеальный p-n переход

Слайд 3

Толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей заряда в

этих областях.
Уровень инжекции мал, т.е. при любом значении тока через переход концентрация основных носителей заряда много больше концентрации неосновных носителей заряда.
Изменение концентрации неосновных носителей заряда в областях за границами перехода при небольшом прямом напряжении не нарушает электрической нейтральности этих областей.

Идеальный p-n переход

Слайд 4

Физические процессы при прямом напряжении на p-n переходе
Схема движения основных

носителей заряда

Идеальный p-n переход

Слайд 5

Стационарные распределения избыточной концентрации неосновных носителей заряда определяются из уравнения диффузии:
Это

дифференциальное уравнение описывает диффузионное движение электронов в дырочном полупроводнике с учетом рекомбинации.
Решение уравнения диффузии для p-области имеет вид:
для n-области:

Идеальный p-n переход

Слайд 6

Распределения избыточных концентраций носителей заряда
Идеальный p-n переход

Слайд 7

Плотность тока диффузии на границе p-n перехода:
Ток через p-n переход опишется

вольтамперной характеристикой идеального перехода:
***
***
Коэффициент инжекции характеризует относительную роль главной составляющей тока в переходе:

Идеальный p-n переход

Слайд 8

Идеальный p-n переход
Теоретическая ВАХ p-n перехода

Слайд 9

Параметры прямой ветви ВАХ – дифференциальное сопротивление перехода:
сопротивление постоянному току
Для обратной

ветви ВАХ :

Идеальный p-n переход

Слайд 10

Определение сопротивлений перехода
Идеальный p-n переход

Слайд 11

Вольт-фарадная характеристика p-n перехода
Идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор,

емкость которого определяется соотношением:
Сбар = εS/l

Идеальный p-n переход

Слайд 12

Вольт-фарадная характеристика p-n перехода
Идеальный p-n переход

Слайд 13

Для диффузионной емкости:
Идеальный p-n переход

Слайд 14

Зависимость барьерной и диффузионной емкостей p-n перехода от напряжения
Идеальный p-n переход

Слайд 15

Выводы
Ток насыщения с ↑T растет экспоненциально, так как экспоненциально возрастает концентрация

неосновных носителей заряда (приближенно: ток насыщения увеличивается в 2 раза на каждые 10 °С).
Прямая ветвь ВАХ p-n перехода с ↑T смещается влево: возрастает тепловая энергия основных носителей заряда, снижается высота потенциального барьера, следовательно растет число носителей заряда, энергия которых больше высоты потенциального барьера p-n перехода.
С ростом степени легирования происходит уменьшение тока I0.

Идеальный p-n переход

Электронно-дырочный переход. Идеальный p-n переход

Содержание

Идеальным, или идеализированным p-n переходом называется такой p-n переход, который представляет

Толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей заряда в

Физические процессы при прямом напряжении на p-n переходе Схема движения основных

Стационарные распределения избыточной концентрации неосновных носителей заряда определяются из уравнения диффузии:Это

Распределения избыточных концентраций носителей зарядаИдеальный p-n переход

Плотность тока диффузии на границе p-n перехода:Ток через p-n переход опишется

Идеальный p-n переходТеоретическая ВАХ p-n перехода

Параметры прямой ветви ВАХ – дифференциальное сопротивление перехода:сопротивление постоянному токуДля обратной

Определение сопротивлений переходаИдеальный p-n переход

Вольт-фарадная характеристика p-n перехода Идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор,

Вольт-фарадная характеристика p-n переходаИдеальный p-n переход

Для диффузионной емкости:Идеальный p-n переход

Зависимость барьерной и диффузионной емкостей p-n перехода от напряженияИдеальный p-n переход

ВыводыТок насыщения с ↑T растет экспоненциально, так как экспоненциально возрастает концентрация

Похожие презентации

Физические процессы при прямом напряжении на p-n переходе
Схема движения основных

Стационарные распределения избыточной концентрации неосновных носителей заряда определяются из уравнения диффузии:
Это

Распределения избыточных концентраций носителей заряда
Идеальный p-n переход

Плотность тока диффузии на границе p-n перехода:
Ток через p-n переход опишется

Идеальный p-n переход
Теоретическая ВАХ p-n перехода

Параметры прямой ветви ВАХ – дифференциальное сопротивление перехода:
сопротивление постоянному току
Для обратной

Определение сопротивлений перехода
Идеальный p-n переход

Вольт-фарадная характеристика p-n перехода
Идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор,

Вольт-фарадная характеристика p-n перехода
Идеальный p-n переход

Для диффузионной емкости:
Идеальный p-n переход

Зависимость барьерной и диффузионной емкостей p-n перехода от напряжения
Идеальный p-n переход

Выводы
Ток насыщения с ↑T растет экспоненциально, так как экспоненциально возрастает концентрация