Электронно-лучевая и плазменная обработка

Сентябрь 15, 2022

Главная
Алгебра
Электронно-лучевая и плазменная обработка

Содержание

2. Основные параметры электронного луча: сила тока луча – Jл (зависит от силы тока эмиссии); ускоряющее напряжение
3. Электронно-лучевая аппаратура Электронно-лучевая аппаратура предназначена для получения пучка ускоренных электронов и управление его пространственным положением, энергетическими
4. Принципиальная схема ЭЛУ 1- катод; 2- анод; 3- электронный пучок; 4- система электромагнитных линз.
5. Электронно-лучевая установка (4Е120) Электронно-лучевая технологическая установка 4Е120 предназначена для сварки, пайки, термообработки в вакууме изделий из
6. Плазменное упрочнение Преимущества плазменной обработки Высокая плотность мощности позволяет достичь высоких скоростей нагрева и охлаждения; Высокая
7. Физико-химические процессы при воздействии плазменной струи Характер протекания физико-химических процессов определяется температурой, скоростью и временем нагрева,
8. Тепловые процессы при плазменном нагреве Нагрев поверхности материала плазменной струей осуществляется за счет вынужденного конвективного и
9. Схема индукционного высокочастотного плазмотрона 1 - индуктор, 2 - водоохлаждаемый корпус, 3 - плазменная струя, 4
10. Схемы плазмотронов Прямого действия 1 - электрод, 2 - обрабатываемая деталь, 3 - водоохлаждаемый корпус, 4
12. Скачать презентацию

Слайд 2

Основные параметры электронного луча:
сила тока луча – Jл (зависит от силы

тока эмиссии);
ускоряющее напряжение – U;
сила тока фокусирующей системы – Jф;
расстояние от фокусирующей системы до поверхности детали -l ;
скорость перемещения электронного луча – v;
W – мощность, W= JU;
d – диаметр электронного луча.

Слайд 3

Электронно-лучевая аппаратура
Электронно-лучевая аппаратура предназначена для получения пучка ускоренных электронов и управление

его пространственным положением, энергетическими характеристиками в технологических целях

Слайд 4

Принципиальная схема ЭЛУ
1- катод; 2- анод; 3- электронный пучок; 4- система электромагнитных линз.

Слайд 5

Электронно-лучевая установка (4Е120)
Электронно-лучевая технологическая установка 4Е120 предназначена для сварки, пайки, термообработки

в вакууме изделий из конструкционных сталей, из сплавов меди,алюминия, тугоплавких и активных металлов толщиной от 0,05 до 10 мм.

Слайд 6

Плазменное упрочнение
Преимущества плазменной обработки
Высокая плотность мощности позволяет достичь высоких скоростей нагрева

и охлаждения;
Высокая производительность (длительность упрочнения плазмой на 1-2 порядка меньше по сравнению с объемной термообработкой и ХТО;
Отсутствие дополнительных охлаждающих сред, токсичных отходов, вредных выбросов;
Возможность легкого управления глубиной и твердостью упрочненного слоя с помощью изменения режимов обработки;
Возможность частичной и полной автоматизации технологических процессов плазменного упрочнения;
Возможность получения на поверхности металла слоя с заданными свойствами путем введения легирующих элементов;
Благодаря высокой производительности и большим размерам упрочненной зоны плазменная обработка эффективна для массивных изделий с протяженной поверхностью.

Слайд 7

Физико-химические процессы при воздействии плазменной струи
Характер протекания физико-химических процессов определяется температурой,

скоростью и временем нагрева, скоростью охлаждения плазмотрона, свойствами обрабатываемого материала и т.д.
В основе плазменного поверхностного упрочнения металлов лежит способность плазменной струи (дуги) создавать на небольшом участке поверхности высокие плотности теплового потока, достаточные для нагрева, плавления или испарения практически любого металла.
Основной физической характеристикой плазменного упрочнения является температурное поле, значение которого дает возможность оценить температуру в разных точках зоны термического воздействия (в разные моменты времени), скорость нагрева и охлаждения, а в конечном итоге структурное состояние и фазовый состав поверхностного слоя материала.

Слайд 8

Тепловые процессы при плазменном нагреве
Нагрев поверхности материала плазменной струей

осуществляется за счет вынужденного конвективного и лучистого теплообмена. Величина теплового потока:
q = qk + qл
Плотность конвективного теплового потока определяется:
q = α (Тплаз-Тпов)
где α– коэффициент теплоотдачи;
Тплаз – температура плазменной струи на внешней границе пограничного слоя;
Тпов – температура поверхности.
Лучистый поток к единице площади поверхности в нормальном направлении определяется:
где ξ1– интегральная поглощательная способность поверхности;
ξ2 – степень черноты плазмы;
σс – постоянная Стефана– Больцмана;
Т –температура плазмы.

Слайд 9

Схема индукционного высокочастотного плазмотрона
1 - индуктор, 2 - водоохлаждаемый корпус, 3

- плазменная струя,
4 - разрядная камера, 5 - обрабатываемая деталь

Слайд 10

Схемы плазмотронов
Прямого действия
1 - электрод,
2 - обрабатываемая деталь,
3 - водоохлаждаемый корпус,

4 - источник постоянного напряжения,
5 - дуговой разряд,
6 – плазменная струя

Косвенного действия
1 - электрод,
2 - обрабатываемая деталь,
3 - водоохлаждаемый корпус,
4 - источник постоянного напряжения,
5 - дуговой разряд,
6 - плазменная струя

Электронно-лучевая и плазменная обработка

Содержание

Основные параметры электронного луча:сила тока луча – Jл (зависит от силы

Электронно-лучевая аппаратураЭлектронно-лучевая аппаратура предназначена для получения пучка ускоренных электронов и управление

Принципиальная схема ЭЛУ1- катод; 2- анод; 3- электронный пучок; 4- система электромагнитных линз.

Электронно-лучевая установка (4Е120) Электронно-лучевая технологическая установка 4Е120 предназначена для сварки, пайки, термообработки

Плазменное упрочнениеПреимущества плазменной обработкиВысокая плотность мощности позволяет достичь высоких скоростей нагрева

Физико-химические процессы при воздействии плазменной струиХарактер протекания физико-химических процессов определяется температурой,

Тепловые процессы при плазменном нагреве Нагрев поверхности материала плазменной струей

Схема индукционного высокочастотного плазмотрона1 - индуктор, 2 - водоохлаждаемый корпус, 3

Схемы плазмотроновПрямого действия1 - электрод, 2 - обрабатываемая деталь,3 - водоохлаждаемый корпус,

Похожие презентации