Содержание
- 2. р-n-переход – тонкий слой полупроводника между двумя областями, одна из которых представляет полупроводник р-типа, а другая
- 3. равновесное состояние Разность потенциалов, образованную приграничными зарядами, называют контактной разностью потенциалов UK или потенциальным барьером l
- 4. Высота потенциального барьера (Uк) зависит от типа применяемого полупроводника: для германия (Ge) она составляет 0,3 В,
- 5. при прямом внешнем напряжении Потенциальный барьер сужается, через него начинают проникать дырки из p-области и электроны
- 6. при обратном внешнем напряжении Основные носители зарядов отодвигаются внешним полем от границы, увеличивая ширину p-n-перехода Электрическое
- 7. Зависимость силы тока в диоде от подаваемого к его обкладкам напряжения называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ) Тангенс
- 8. При подаче обратного напряжения p-n-переход уподобляется конденсатору, пластинами которого являются р- и n-области, разделенные диэлектриком. Роль
- 9. где S — площадь перехода; ε0, ε — диэлектрические проницаемости соответственно полупроводника и р-n-перехода; NА —
- 11. Скачать презентацию