Содержание
- 2. Создание скрытого коллекторного слоя Обработка поверхности пластины кремния p -типа Окисление Фотолитография – формирование рисунка в
- 3. Создание изолирующих областей Нанесение нитрида кремния химическим осаждением из газовой фазы Фотолитография – формирование рисунка в
- 4. Создание глубокого коллектора Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Загонка фосфора (диффузия из неограниченного источника) Окисление
- 5. Создание пассивной базы Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Загонка бора (диффузия из неограниченного источника) Окисление
- 6. Создание активной базы Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Загонка бора (диффузия из неограниченного источника) Окисление
- 7. Создание эмиттера Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Загонка фосфора (диффузия из неограниченного источника) Окисление с
- 8. Создание металлизации Фотолитография – вскрытие окон в оксиде для создания контактов к областям Напыление алюминия с
- 9. Изменения кремниевой структуры со скрытыми слоями при формировании полупроводниковых микросхем по эпипланарной технологии
- 10. Изготовление биполярной ИС с щелевой изоляцией транзисторов
- 11. Создание скрытого коллекторного слоя Обработка поверхности пластины кремния p -типа Загонка мышьяка (диффузия из неограниченного источника)
- 12. Создание изолирующих областей Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Ионное травление канавок до глубины средней канавки
- 13. Создание глубокого коллектора Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Загонка фосфора (диффузия из неограниченного источника) Окисление
- 14. Создание пассивной базы Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Загонка бора (диффузия из неограниченного источника) Окисление
- 15. Создание активной базы Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Загонка бора (диффузия из неограниченного источника) Окисление
- 16. Создание эмиттера Фотолитография – формирование рисунка в оксиде Загонка фосфора (диффузия из неограниченного источника) Окисление с
- 17. Создание металлизации Фотолитография – вскрытие окон в оксиде для создания контактов к областям Напыление алюминия с
- 18. ЭПИК-процесс Диэлектрическая изоляция элементов
- 19. Формирование скрытого коллекторного слоя n+
- 20. Анизотропное травление, канавки заполняются поликремнием n+
- 21. Кремний сошлифовывается
- 22. Формирование базы и эмиттера n+ p+ n+ n+
- 23. Схема изготовления КМОП-КНС-ИМ
- 25. Кремний на сапфире Рис. 30 - 32 биполярный МДП
- 26. Гибридная ИС Рис. 3 Совмещенная ИС Рис. 2
- 27. Дискретные транзисторы биполярный МДП ПТУП Рис. 25 - 28
- 28. МДП Рис. 33 Рис. 34
- 29. Изопланар Изоляция V-образными канавками Рис. 23 Рис. 24
- 30. Рис. 19 Рис. 20
- 31. Рис. 10 Рис. 11
- 33. Скачать презентацию