Содержание
- 2. Микроэлектроника оформилась в отдельную область электроники в шестидесятые годы прошлого столетия. Это область техники, связанная с
- 3. Интегральные микросхемы — это маленькие электронные устройства, содержащие множество элементов (резисторов, транзисторов, конденсаторов и пр.), которые
- 4. По существу, ИМС — это очень маленькие кристаллики полупроводника, помещенные в пластмассовый или стеклянный корпус. От
- 5. Интегральная микросхема (ИС, ИМС, м/сх, англ. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, chip), чип, микрочип
- 6. История создания интегральных схем (ИС) ведёт своё начало со второй половины прошлого столетия. Их появление было
- 7. Другой причиной создания ИС стала технологическая возможность размещения и соединения между собой множества электронных компонентов –
- 8. В 1952 году на конференции по электронным компонентам, проходившей в Вашингтоне, сотрудник Британского королевского радиолокационного управления
- 9. Первые в мире ИС были разработаны и изготовлены в 1959 году американцами Джеком Сент Клером Килби
- 10. Оставалось только научиться создавать такие переходы в монолите кремния. Килби разрезал пластину на кусочки размером 1,6x9,5
- 11. Триггеры —это переключающие устройства, которые сколь угодно долго сохраняют одно из двух состояний устойчивого равновесия. Одно
- 12. Если в данный момент транзистор Т1 (рис. а) закрыт, то T2 — открыт. Если на базу
- 13. Следовательно, триггер делит пополам частоту входных импульсов. Существуют триггеры на полевых транзисторах (рис. б). Триггеры выполняют
- 14. В начале октября 1958 г. Килби начал создавать конструкцию триггера на одном кусочке монолитного германия. Для
- 15. Однако, несмотря на широкое освещение прессой, это достижение было встречено весьма скептически, хотя большинство критических замечаний
- 16. Многие недостатки "твёрдых схем" были устранены позднее Робертом Нойсом. С января 1959 года, занимаясь в фирме
- 17. Вскоре была подана соответствующая заявка на патент, и разработчики элементов в тесном контакте со специалистами по
- 18. Микросхемы подразделяются на два больших класса: цифровые и аналоговые. Цифровые ИМС унифицированы и находят применение в
- 19. Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного
- 20. Принято считать логической единицей (1) наличие большого напряжения, а логическим нулем (0) — маленькое напряжение. Сигнал
- 21. Для микросхем ТТЛ при питании +5 В диапазон напряжения 0…0,4 В соответствует логическому нулю, а диапазон
- 22. Электронные ключи — это элементы или цепи, предназначенные для включения или выключения электрических цепей при подаче
- 23. При параллельной схеме ключ замкнут при закрытом диоде. Ток проходит через R и тогда Uвых>0. При
- 24. Так, если в схеме (рис. а) Uвх имеет значение логической единицы, то выходное напряжение тоже логическая
- 25. Условные обозначения повторителя и инвертора показаны на рис. а, б. Электроника. в) И; г) ИЛИ; д)
- 26. Возможные значения напряжений на входе X и выходе Y можно сгруппировать в таблицу истинности: Для схем
- 27. В импульсных схемах часто встречаются операционные усилители (ОУ) и аналоговые компараторы. Операционные усилители имеют два входа
- 28. Логические элементы используют в ряде устройств измерительной техники: в цифровых электронных устройствах, электронно-вычислительных машинах и др.
- 29. Обозначения ИМС (российских) состоит из четырех элементов: Первый – цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе (1, 5, 6,
- 30. Схемы источников вторичного электропитания: Выпрямители ЕВ Преобразователи ЕМ Стабилизаторы напряжения непрерывные ЕН Стабилизаторы тока ЕТ Стабилизаторы
- 31. Некоторые сокращения функциональных назначений ИМС Например, усилители: Высокой частоты УВ Промежуточной частоты УР Низкой частоты УН
- 32. В зависимости от способа интеграции элементов, т. е. от производственной технологии, ИМС бывают: Полупроводниковая микросхема —
- 33. В ГОСТ 17021-75 степень интеграции ИМС определена как показатель сложности, выражаемый формулой K=lgN, где K-коэффициент, округляемый
- 34. В настоящее время название ГБИС практически не используется (например, последние версии процессоров Pentium 4 содержат несколько
- 35. В зависимости от рассеиваемой мощности ИМС могут быть: маломощными (до 0,3 Вт), средней мощности (от 0,3
- 36. При изготовлении микросхем используется фотопроцесс, при этом схему формируют на подложке, обычно из диоксида кремния, полученной
- 37. В 1970-х годах ширина полосы составляла 2-8 мкм, в 1980-х была улучшена до 0,5-2 мкм. Некоторые
- 38. В конце 1990-х фирма Texas Instruments создала новую ультрафиолетовую технологию с шириной полосы около 0,08 мкм.
- 39. Электроника. Использование ИМС позволяет уменьшить объем и себестоимость электронной аппаратуры, снизить потребление электроэнергии, увеличить быстродействие схем
- 40. ИЗ ИСТОРИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В СССР К концу 50-х годов прошлого столетия технология сборки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА)
- 41. В 1959 году группа молодых разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов (Карнов, Осокин, Пахомов) создала образцы
- 42. Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы было сконцентрировано на разработке и производстве с военной приёмкой серии
- 43. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100 и с организацией опытного производства заняла
- 44. Над решением этой проблемы работал коллектив в 250 человек научно-технологического отдела НИИ-35 и опытного цеха, специально
- 45. А.И. Шокин представил проект постановления о создании Центра микроэлектроники в Зеленограде, который был в целом одобрен.
- 46. Создатели Центра микроэлектроники в Зеленограде у входа в НИИ ТТ и завод “Ангстрем”. Слева на право:
- 47. Главные задачи Центра микроэлектроники как головной организации в стране по микроэлектронике: обеспечение разработок и опытного производства
- 48. Постановление определяло первоначальный состав предприятий пять новых НИИ с тремя опытными заводами: НИИ теоретических основ микроэлектроники,
- 49. Во второй половине 1963 года в НИИМП уже были получены первые результаты по тонкопленочной технологии. Необходимо
- 50. Первое в СССР изделие микроэлектроники — радиоприемник “Микро”. Размер приемника 43мм на 30мм в 7,5 мм
- 51. “Первая модель — «Микро» — был приемник прямого усиления, а второй чуть больше по размерам, уже
- 52. В 1972 г. в НИИП было освоено новое направление — многослойные ИС “Талисман”. Технология создания этих
- 53. Аналогичная ситуация имела место и в НИИМЭ с заводом “Микрон”. В начале 1970-х годов директор НИИМЭ
- 54. В январском номере 1979 года американского журнала “Электроникс” а он очень авторитетен в этой области, уже
- 55. Кульминацией этого соревнования стал 1979 год, когда в НИИТТ была разработана однокристальная 16-разрядная ЭВМ К1801ВЕ1 с
- 56. В целом в период с 1964 по 1980 год отставание разработок в НЦ по различным типам
- 57. В целом же “…в 1978-1980 годах отечественная микроэлектроника, и особенно усилиями предприятий Зеленограда, была очень близка
- 58. Необходимо отметить, что конкурентными были оригинальные разработки ИС и ЭВМ, не имеющие прямых зарубежных аналогов. Однако
- 59. Примерно с 1980 года началось прогрессирующее отставание. Причин тому немало, но к главным можно отнести следующие:
- 60. Кроме этого существовала внутренняя причина — коренное изменение специализации Минэлектронпрома, противоречащем его изначальному назначению. Об этом
- 61. И это были не просто слова. Ранее, сначала в качестве первого заместителя министра, а с 1985
- 62. Вообще-то фирмы, проектирующие ИС, особенно сложные, типа микропроцессоров, обречены на разработку устройств, в которых эти ИС
- 63. В.Г. Колесников обладал мощными организационными способностями. Этот бы талант, его бы энергию — да на развитие
- 64. В 1983 году в НИИП началась работа над динамическим ОЗУ емкостью 1 Мбит. По тем временам
- 65. Таким образом, на своевременно поставленный вопрос о необходимости создания принципиально нового производства с микронными и субмикронными
- 67. Скачать презентацию