Содержание
- 2. Якщо трансформувати затвор звичайного МОН транзистора таким чином, щоб в під затворному діелектрику міг зберігатися електричний
- 3. Прилади з плаваючим затвором Ергонезалежний елемент пам’яті з плаваючим затвором (а) і енергонезалежний елемент пам’яті типу
- 4. Зонні діаграми елемента пам’яті з плаваючим затвором. а- зарядка (операція запису); б- зберігання заряду; в- розрядка
- 5. Тунелювання по механізму Фаулера-Нордгейма Транспорт по механізму Пула-Френкеля Якщо струми в обох діелектричних шарах не рівні
- 6. В результаті розбалансу струмів в діелектриках 1 і 2 за час дії великої позитивної напруги VG
- 7. Провідність каналу до (стан «0») і після (стан «1») виконання операції запису.
- 8. Комірка МОН-ЗП з плаваючим затвором і лавинною інжекцією (а) і аналогічна комірка з двома затворами, що
- 9. Залежність зсуву порогової напруги при запису в двохзатворному елементі пам’яті від напруги на зовнішньому затворі. Криві
- 10. МДОН структури Операції запису (а) і стерання (б) в МНОН структурі. Розраховані і виміряні зсуви порогу
- 11. Елемент пам’яті з легованою границею розділу діелектриків. а- поперечний переріз приладу; б- зонна діаграма при наявності
- 12. Evolution-1 Floating-gate No principal changes Double dielectric – Triple dielectric S0NOS (Si*-SiO2-Si3N4-SiO2-Si) SONOS
- 13. 1.2. Advantages and Disadvantages Floating-gate Advantages 1. Developed technology (CMOS compatibility) 2. Long data retention Disadvantages
- 14. Evolution- 2 Floating-gate – Nanocrystal memory Nanocrystal memory Triple dielectric S0NOS No principal changes
- 15. 1.3. Nanocrystal memory Main idea: The continuous poly-Si Floating gate is replaced on discontinuous Si nanocrystals
- 16. Nanocrystal memory Energy band diagram during injection (a), store (b), and removal (c) of an electron
- 17. 1.3.1. Why nanocrystal memory? 1. CMOS compatibility 2. High integrity (scaling down) 3. Faster (high speed
- 18. High integrity (scaling down) Floating-gate 1. Poly-Si cannot be used with very thin tunnel oxide-scaling problem
- 19. High stability / High reliability Failure No failure
- 20. Low voltage operation / Consumption of lower power / Faster / Much smaller degradation / High
- 21. Fowler-Nordheim – Direct tinneling(1) Hot carrier injection (1) / Fowler-Nordheim tunneling (2) Direct tunneling (do
- 22. Fowler-Nordheim – Direct tinneling(2) Fowler-Nordheim tunneling Direct tunneling
- 23. Potential application for multilevel memory and logic
- 24. Novel Si functional devices 1. Nanocrystal memory- quantum dot floating gate memory 2. Single electron transistors
- 25. Comparison of non-volatile memories EEPROM FN – Tunneling e- in floating gate dox~8…10 nm Vw/e~12…20 V
- 26. Requirements for NC’s used for NC Memory 1. Near-Interface NC-Band 2. NC-Size: 3...8 nm ~5 nm
- 27. Requirements for NC’s used for NC Memory Improved device performance and reliability depends upon: 1. Ability
- 28. 1.3.2. New physics Quantum confinement effect 3- dimensional system (3D) 2- dimensional system (2D) 1- dimensional
- 29. Quantum confinement effect
- 30. Quantum confinement effect Energy spectrum
- 31. Quantum confinement effect In case of spherical nanoparticles (nanocrystals) Conclusion 1: Electron energy spectrum in quantum
- 32. Coulomb blockade effect The effect of blocking the injection of a second charge into a semiconductor
- 33. Coulomb blockade effect [2]. I. Kim et al. Jpn. J. Appl. Phys..40, 447-451, 2001.
- 34. Coulomb blockade effect Conclusions 2. 1. The electrons already transferred to the nanocrystals block the transfer
- 35. Single electron transistor Quantum confinement effect + Coulomb blockade effect ___________________________ Single electron charging effects ___________________________
- 36. Single electron transistor Fabrication route of forming high-density of small and uniform in size nanocrystals is
- 37. 1.3.5. Parameters Vw/e~2…4 V Endurance >106…1010 Retention: >10 years
- 38. 1.4. Conclusions 1. Nanocrystal floating gate memory is a perspective candidate for the future scaled flash
- 40. Скачать презентацию