Содержание
- 2. Базовыми элементами большинства полупроводниковых ИС (ППИС) являются биполярные и униполярные (полевые) транзисторы. На основе их структуры
- 3. Элементы ППИМ: а – биполярный транзистор; б – диффузионный резистор; в – полевой (МДП) транзистор; г–
- 4. Оксидирование кремния На поверхности кремниевых подложек создаются пленки SiO2 толщиной от десятых долей мкм до 1
- 5. Локальное изменение типа проводимости кремния: а – окисление поверхности; б – фотолитография; в – внедрение примеси;
- 6. Диффузия Процесс переноса легирующих примесей из областей с боль-шей концентрацией в области с меньшей концентрацией. Процесс
- 7. Схемы установок термического окисления кремния (а) и диффузии из газообразных источников примеси (б): 1 - вентили;
- 8. Эпитаксия Эпитаксией называют процесс наращивания слоев с упоря-доченной кристаллической структурой путем использования ориен-тирующего действия подложки (повторения
- 9. Схема установки эпитаксиального наращивания из парогазовой фазы с вертикальным реактором: 1 – реактор; 2 – держатель
- 10. Ионное легирование Ионное легирование (или ионная имплантация) – способ получения p-n переходов путем введения примеси в
- 11. Схемы установки (а) и рабочей камеры (б) ионного легирования: 1 – источник ионов; 2 – магнитный
- 12. Литографические процессы в производстве ППИС При изготовлении ППИС применяют (в зависимости от размеров элементов) различные виды
- 13. Электроно – лучевая литография В основе электроно – лучевой литографии (ЭЛЛ) лежит избирательное экспонирование потоком электронов
- 14. Установка РЛ (а) и схема экспонирования (б): 1 – мишень; 2 – вакуумная камера; 3 –
- 15. а) Схема проекционной ЭЛЛ: 1 –УФ излучение; 2 – шаблон-фотокатод; 3 – магнитная система; 4 –
- 16. EUV (Extreme Ultra Violet) – литография, использующая излучение с длиной волны порядка 13 нм. Схема EUV-
- 18. Скачать презентацию