Сильно вырожденные примесные полупроводники

не зависит от температуры.

уровень Ферми сдвигается в сторону Ec

уровень Ферми сдвигается в сторону Ev

Собственная концентрация
носителей заряда:

Ферми:

Антимонид индия

Соотношение эффективных масс :

Ширина запр. зоны:

При Т=200К уровень Ферми лежит ниже Ec всего на 4 kT .
При T=450К уровень Ферми пересекает уровень Ec и входит в зону проводимости.

и ионах примеси;
Рассеяние на вакансиях, дислокациях и т.д.

Количество рассеянных электронов в единицу времени:

Эффективное сечение рассеяния:

Вероятность столкновения (рассеяния):

Время и длину свободного пробега можно выразить через эффективное сечение:

Вероятность рассеяния на единичном интервале пути

Полная вероятность рассеяния:

Полная длина свободного пробега:

в общем случае зависит от энергии частиц:

Во внешнем электрическом поле система движущихся части определяется функцией f=f(k,r,t). Уравнение Больцмана описывает изменение функции распределения во времени:

В равновесии:

электронов с дефектами решетки:

Если отклонение распределения носителей заряда от равновесного невелико, то:

Тогда :

релаксации при рассеянии на ионах:

Длина свободного пробега: