Структура тиристора, ВАХ и принцип работы

Ав. На ней можно выделить четыре участка.
Участок – 1. На аноде положительное напряжение. Переходы П1 и П3 смещены в прямом направлении, а переход П2 – в обратном.
Все внешнее напряжение будет приложено к КП. Ток коллекторного перехода Iкп – это малый по величине ток неосновных носителей заряда. Он является суммой токов, вызванных инжекцией через эмиттерные переходы П1 и П3, и небольшого собственной обратного тока перехода П2:
Iкп=α1Iэ1+α2Iэ2+ Iк0,
где α1 и α2 – коэффициенты инжекции тока эмиттерных переходов П1 и П3. Очевидно, что Iкп=Iэ1=Iэ2= Iа т.к. это элементы одной злектрической ветви, а потому
Iа=Iк0 / [1-(α1+α2)],
Пока напряжение между анодом и катодом относительно мало α1 + α2<<1, Iкп= Iк0, сопротивление прибора велико (до сотен килоом). Так как коэффициенты передачи тока эмиттерных переходов П1 и П3 (α1 и α2) с увеличением Uак растут. Следовательно, растет и ток Iа .

Простейший диодный тиристор имеет четырехслойную р-n-р-n-структуру (рис.А б), изготовленную из кремния.
Область р1 называется – анодом, область n2 – катодом, а области n1 и р2 – базами.
Между р и n областями возникают р-п-переходы П1, П2, П3. Переходы П1 и П3 называются эмиттерными, переход П2 – коллекторным т.к. он смещен в обратном направлении. Аналогом тиристора может служить схема (рис. А а) из двух биполярных транзисторов VT1 – р-п-р-типа и VT2 - п-р-п-типа.