Содержание
- 2. Работа создания дислокации Creation work of dislocation Энергия дислокации равна работе, затраченной на ее создание -
- 3. Сила, действующая на дислокацию вблизи поверхности Force acting on a dislocation near surface Энергия дислокации вблизи
- 4. Упругая энергия напряженной тонкой пленки Elastic energy of stressed thin film Энергия на единицу площади Elastic
- 5. Работа по созданию дислокации в напряженной пленке Creation work for a dislocation in stressed film Поверхность
- 6. Критическая толщина для формирования дислокаций в напряженной пленке: Critical thickness Representative graphs of Wd(η)=μfb2 and Wm(η)=μfb2
- 7. Критическая толщина для формирования дислокаций в напряженной пленке Matthews-Blakeslee critical thickness for dislocation formation in a
- 8. Критическая толщина. Теория Critical thickness with different dislocation cores Normalized critical thickness ln(hcr/b) versus mismatch strain
- 9. Критическая толщина. Эксперимент Critical thickness. Experiment Experimentally observed critical thickness versus mismatch strain for the SiGe/Si(100)
- 10. Зависимость критической толщины от кристаллографической ориентации Critical thickness for different crystallographic orientations Разным ориентациям отвечают разные
- 11. Дислокации несоответствия на гетерогранице Si/SiGe A plan-view, bright-feld transmission electron microscopy (TEM) image of misfit dislocations
- 12. Критическая толщина для GeSi/Si (001) Critical thickness for GeSi/Si (001) Кристаллография: вектор Бюргерса, плоскости скольжения; Силы,
- 13. Дислокации несоответствия на гетерогранице GaAs/CdTe Misfit dislocations at GaAs/CdTe interface Atomic resolution transmission electron micrograph of
- 14. Механизмы формирования дислокаций несоответствия в гетероэпитаксиальных системах Mechanisms of formation of misfit dislocations Зарождение дислокаций на
- 15. Зарождение дислокаций на поверхности и скольжение к интефейсу Dislocations gliding to the interface
- 16. Зарождение дислокаций непосредственно на интерфейсе на начальных стадиях роста Dislocations in quantum dots Bright-field cross-sectional TEM
- 17. Дислокации на гетероэпитаксиальном интерфейсе GaN(0001)/GaAs(111) Cross-sectional bright-field TEM micrographs of a GaAs/GaN hetrostructure. Vertical black arrows
- 18. Изгиб прорастающих дислокаций Bending of threading dislocations Сила, действующая на дислокацию в напряженной пленке
- 19. Плотность дислокаций несоответствия Density of misfit dislocations Энергия системы: Приближение среднего поля. Mean field approximation Одновременное
- 20. Методы понижения плотности дислокаций в структурах Reduction of dislocation density in heterostructures Блокирование движения дислокаций Blocking
- 21. Сверхрешетка как средство борьбы с прорастающими дислокациями Supelattice as a tool to block dislocations (a) Сверхрешетка
- 22. Lateral epitaxial overgrowth technique GaN sapphire GaN buffer SiN SiN Advantage: Reduced density of threading dislocations
- 23. Заключение Conclusion Дислокации могут быть равновесными в напряженных гетероструктурах. Dislocations can be equilibrium defects in heterostructures.
- 25. Скачать презентацию