Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии

Сентябрь 15, 2022

Главная
Физика
Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии

Содержание

2. Фотолитография Метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике. Является одним из важнейших
3. Этапы фотолитографии
4. Очистка и подготовка поверхности При наличии на пластине загрязнений, пластина может быть отмыта в ходе двухступенчатого
5. Нанесение фоторезиста Существует 3 основных метода для нанесения фоторезиста: Центрифугирование Погружение в фотогрезист Аэрозольное распыление
6. Предварительное задубливание После нанесения резиста необходимо провести его предварительную сушку (задубливание). Для этого образец выдерживается несколько
7. Экспонирование Процесс экспонирования заключается засветке фоторезиста через фотошаблон, светом видимого или ультрафиолетового диапазона. Наиболее стандартными длинами
8. Основные параметрами экспонирования Основными параметрами экспонирования являются: Длина волны Время экспонирования Мощность источника излучения
9. Проявление фоторезиста и обработка поверхности Фоторезист снимают специальной жидкостью снимателем и поверхность подвергается травлению, ионной имплантации
10. Снятие фоторезиста Финальным этапом процесса фотолитографии является снятие фоторезиста. Для удаления фоторезиста с обработанной поверхности используют
11. Фотошаблоны Представляет собой стеклянную пластину с нанесенным на ее поверхности маскирующим слоем – покрытием, образующим трафарет
12. Фотошаблоны К фотошаблонам предъявляется комплекс требований, к которым, в первую очередь, следует отнести следующие: Высокая оптическая
13. Фоторезисты Светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства, прежде всего растворимость, под действием света.
14. Фоторезисты Позитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло- или крезолоформальдегидные смолы в
15. Виды фотолитографии Различают контактный, бесконтактный и проекционный способы фотолитографии. При контактном способе фотошаблон и пластина соприкасаются
16. Виды фотолитографии
17. Виды фотолитографии
18. Автоматическая установка совмещения и мультипликации ЭМ-5084Б Установка предназначена для совмещения и помодульного экспонирования полупроводниковых пластин при
19. SUSS MJB4 Ручная установка совмещения и экспонирования для фотолитографии базового уровня. Обработка пластин до 100мм
20. SUSS MA200 Автоматическая система совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Производительность до 150 пластин в
22. Скачать презентацию

Слайд 2

Фотолитография
Метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике.

Является одним из важнейших и дорогостоящих этапов микроэлектронного производства.

Слайд 3

Этапы фотолитографии

Слайд 4

Очистка и подготовка поверхности
При наличии на пластине загрязнений, пластина может быть

отмыта в ходе двухступенчатого процесса: очистка ацетоном, для устранения органических загрязнений и последующее полоскание в изопропаноле для удаления оставшегося ацетона.

Слайд 5

Нанесение фоторезиста
Существует 3 основных метода для нанесения фоторезиста:
Центрифугирование
Погружение в фотогрезист
Аэрозольное распыление

Слайд 6

Предварительное задубливание
После нанесения резиста необходимо провести его предварительную сушку (задубливание). Для

этого образец выдерживается несколько минут в печи, при температуре 100—120° С.

Слайд 7

Экспонирование
Процесс экспонирования заключается засветке фоторезиста через фотошаблон, светом видимого или ультрафиолетового

диапазона.
Наиболее стандартными длинами волны экспонирования в фотолитографии являются i-линия (365нм), h-линия (405нм) и g-линия (436нм).

Слайд 8

Основные параметрами экспонирования
Основными параметрами экспонирования являются:
Длина волны
Время экспонирования
Мощность источника излучения

Слайд 9

Проявление фоторезиста и обработка поверхности
Фоторезист снимают специальной жидкостью снимателем и поверхность

подвергается травлению, ионной имплантации или электроосаждению.

Слайд 10

Снятие фоторезиста
Финальным этапом процесса фотолитографии является снятие фоторезиста.
Для удаления фоторезиста

с обработанной поверхности используют специальную жидкость — сниматель.

Слайд 11

Фотошаблоны
Представляет собой стеклянную пластину с нанесенным на ее поверхности маскирующим слоем

– покрытием, образующим трафарет с прозрачными и непрозрачными для оптического излучения участками.

Слайд 12

Фотошаблоны
К фотошаблонам предъявляется комплекс требований, к которым, в первую очередь, следует

отнести следующие:
Высокая оптическая плотность маскирующего материала
Толщина маскирующего материала – не более 100 нм
Отражательная способность не выше 15%
Высокая разрешающая способность
Малая микро-дефектность, стойкость к истиранию

Слайд 13

Фоторезисты
Светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства, прежде всего растворимость, под действием света.

Слайд 14

Фоторезисты
Позитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло-

или крезолоформальдегидные смолы в качестве пленкообразователя.
Негативные — циклоолефиновые каучуки, использующие в качестве сшивающих агентов диазиды; слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты; поливинилциннамат.

Слайд 15

Виды фотолитографии
Различают контактный, бесконтактный и проекционный способы фотолитографии.
При контактном способе фотошаблон

и пластина соприкасаются
При бесконтактном между фотошаблоном и пластиной оставляют зазор 10 – 25 мкм
При проекционном способе контакта фотошаблона и подложки нет.

Слайд 16

Виды фотолитографии

Слайд 17

Виды фотолитографии

Слайд 18

Автоматическая установка совмещения и мультипликации ЭМ-5084Б
Установка предназначена для совмещения и помодульного

экспонирования полупроводниковых пластин при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники.

Слайд 19

SUSS MJB4
Ручная установка совмещения и экспонирования для фотолитографии базового уровня. Обработка

пластин до 100мм

Слайд 20

SUSS MA200
Автоматическая система совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Производительность

до 150 пластин в час. Усовершенствованная система транспорта позволяет достичь рекордной производительности даже на 200-мм подложках.

Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии

Содержание

ФотолитографияМетод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике.

Этапы фотолитографии

Очистка и подготовка поверхностиПри наличии на пластине загрязнений, пластина может быть

Нанесение фоторезистаСуществует 3 основных метода для нанесения фоторезиста:ЦентрифугированиеПогружение в фотогрезистАэрозольное распыление

Предварительное задубливаниеПосле нанесения резиста необходимо провести его предварительную сушку (задубливание). Для

ЭкспонированиеПроцесс экспонирования заключается засветке фоторезиста через фотошаблон, светом видимого или ультрафиолетового

Основные параметрами экспонированияОсновными параметрами экспонирования являются:Длина волныВремя экспонированияМощность источника излучения

Проявление фоторезиста и обработка поверхностиФоторезист снимают специальной жидкостью снимателем и поверхность

Снятие фоторезистаФинальным этапом процесса фотолитографии является снятие фоторезиста. Для удаления фоторезиста

ФотошаблоныПредставляет собой стеклянную пластину с нанесенным на ее поверхности маскирующим слоем

ФотошаблоныК фотошаблонам предъявляется комплекс требований, к которым, в первую очередь, следует

ФоторезистыСветочувствительные вещества, изменяющие свои свойства, прежде всего растворимость, под действием света.

ФоторезистыПозитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло-

Виды фотолитографииРазличают контактный, бесконтактный и проекционный способы фотолитографии.При контактном способе фотошаблон

Виды фотолитографии

Виды фотолитографии

Автоматическая установка совмещения и мультипликации ЭМ-5084БУстановка предназначена для совмещения и помодульного

SUSS MJB4Ручная установка совмещения и экспонирования для фотолитографии базового уровня. Обработка

SUSS MA200Автоматическая система совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Производительность

Похожие презентации

Фотолитография
Метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике.

Очистка и подготовка поверхности
При наличии на пластине загрязнений, пластина может быть

Нанесение фоторезиста
Существует 3 основных метода для нанесения фоторезиста:
Центрифугирование
Погружение в фотогрезист
Аэрозольное распыление

Предварительное задубливание
После нанесения резиста необходимо провести его предварительную сушку (задубливание). Для

Экспонирование
Процесс экспонирования заключается засветке фоторезиста через фотошаблон, светом видимого или ультрафиолетового

Основные параметрами экспонирования
Основными параметрами экспонирования являются:
Длина волны
Время экспонирования
Мощность источника излучения

Проявление фоторезиста и обработка поверхности
Фоторезист снимают специальной жидкостью снимателем и поверхность

Снятие фоторезиста
Финальным этапом процесса фотолитографии является снятие фоторезиста.
Для удаления фоторезиста

Фотошаблоны
Представляет собой стеклянную пластину с нанесенным на ее поверхности маскирующим слоем

Фотошаблоны
К фотошаблонам предъявляется комплекс требований, к которым, в первую очередь, следует

Фоторезисты
Светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства, прежде всего растворимость, под действием света.

Фоторезисты
Позитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло-

Виды фотолитографии
Различают контактный, бесконтактный и проекционный способы фотолитографии.
При контактном способе фотошаблон

Автоматическая установка совмещения и мультипликации ЭМ-5084Б
Установка предназначена для совмещения и помодульного

SUSS MJB4
Ручная установка совмещения и экспонирования для фотолитографии базового уровня. Обработка

SUSS MA200
Автоматическая система совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Производительность