Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта

Август 4, 2022

Главная
Физика
Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта

Содержание

2. Магнитоэлектрический эффект Р – электрическая поляризация, Е – внешнее электрическое поле, М – намагниченность, Н –
3. pSi =mSi, (i=1,2) pTi=−mTi(1− V)/V, pT3=mT3=0 L ∫ p D dx = 0 3 0 11
4. Расчет магнитоэлектрического коэффициента в структуре
5. Ek и Hk – напряженности электрического и магнитного полей, mSi – компонент деформации магнитного слоя, pSi
6. Метод номограмм Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной структуры с различной податливостью
7. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2;
8. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2;
9. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2;
10. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2;
11. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2;
12. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2;
13. Материальные параметры
15. Скачать презентацию

Слайд 2

Магнитоэлектрический эффект
Р – электрическая поляризация, Е – внешнее электрическое поле, М

– намагниченность,
Н – внешнее магнитное поле,
S – деформация,
σ – механическое напряжение.

H → P – магнитоэлектрический эффект,
E → M – обратный магнитоэлектрический эффект,
H → S – магнитострикционный эффект,
σ → M – магнитоупругий эффект (эффект Виллари),
E → S – обратный пьезоэлектрический эффект,
σ → P – пьезоэлектрический эффект.

Слайд 3

pSi =mSi, (i=1,2) pTi=−mTi(1− V)/V, pT3=mT3=0
L
∫ p D dx = 0
3
0
11 31
33 12
11
33 12
11 21 31
1

E, 31

= E

m p

( ps + ps )(1−V ) − 2 p d 2 (1−V )

−V (1−V )(mq +mq ) pd

(ms + s )V + ε

pε

pSi = psij pTj+ pdki pEk pDk = pdki pTi+pεkn pEn mSi = msij mTj+ mqki mHk mBk = mqki mTi+mμkn mHn

pDn=mDn pEτ=mEτ pBn=mBn

Расчет магнитоэлектрического коэффициента в структуре

Слайд 4

Расчет магнитоэлектрического коэффициента в структуре

Слайд 5

Ek и Hk – напряженности электрического и магнитного полей,
mSi – компонент

деформации магнитного слоя,
pSi – компонент деформации пьезоэлектрического слоя,
pDk – электрическое смещение пьезоэлектрического слоя,
pTi – компонент механического напряжения в пьезоэлектрической фазе,
psii – коэффициенты податливости пьезоэлектрика при постоянном электрическом поле,

mTi

– компонент механического напряжение в магнитной фазе,

msii – коэффициенты податливости магнитной фазы при постоянном магнитом поле,
pε33 – диэлектрическая проницаемость пьезоэлектрика,
pdki – пьезоэлектрический коэффициент пьезоэлектрика, mqij – пьезомагнитный коэффициент магнитной фазы, μkn – магнитная проницаемость,
mB3 – компоненты векторов магнитной индукции,
X – коэффициент связи,

V – объѐмная доля пьезоэлектрика, V=pV/(pV+mV), pV и
магнетика,
αE,31 – поперечный МЭ коэффициент по напряжению.

mV объѐмы пьезоэлектрика и

Обозначения

Слайд 6

Метод номограмм
Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной

структуры с различной податливостью магнитострикционных и пьезоэлектрических элементов, х = 0,5 ∙ 10-22 (в единицах СИ) х – коэффициент пьезомагнитной связи в пьезомагнитной фазе

Слайд 7