Содержание
- 2. Основные направления в нанотехнологии планарных квазиодномерных проводников
- 3. The first tunnel devices for technology investigations Nevolin V.K. a. c. № 1471232 of 14.07.1987 USSR
- 4. Two-terminal device with vertical quasi-one-dimensional nanowire The spontaneous voltage changing oscillogram in vertical polymer nanowire at
- 5. Техническая база НОЦ ЗМНТ Сканирующие зондовые микроскопы (ЗАО NT-MDT) Установка роста углеродных нанотрубок CVDomna (МИЭТ) Установка
- 6. Nanotechnology Complex “NanoFAB” The complex represents a number of chambers interconnected using transport units. This construction
- 7. Формирование наноразмерного рельефа с использованием локального анодного окисления ультратонких пленок Система формирования наноразмерных структур на основе
- 8. Локальное анодное окисление при формировании нанорельефа в тонких пленках Кончик иглы кантилевера Исследуемый образец Поверхностный адсорбат
- 9. Развитие методов создания квантово-размерных наноконтактов на основе локального окисления, индуцированного током Вид титановой дорожки после ЛАО:
- 10. Размерный эффект в проводимости металлического сужения в ультратонкой плёнке Электрические характеристики двухэлектродных планарных элементов наноэлектроники В
- 11. В квазиодномерных проводниках, созданных в металлических и углеродных плёнках, возможно управление проводимостью канала поперечным электрическим полем
- 12. Позиционирование углеродных нанотрубок в групповых процессах микроэлектроники 14
- 13. Разработанный физико-технологический базис интеграции углеродных нанотрубок в состав компонентов электронной техники позволяет формировать элементы и структуры,
- 14. Электрокинетический метод интеграции нанотрубок Схема лабораторной установки диэлектрофореза углеродных нанотрубок на пластине Диэлектрофорез углеродных нанотрубок в
- 15. СТМ визуализация УНТ в нормальных условиях Измерение углов хиральности для одиночных нанотрубок СТМ изображение атомной структуры
- 16. Реализация инвертора с линейной нагрузкой на основе внешнего резистора Выходные характеристики ОСНТ транзистора с нагрузочной прямой
- 17. VПОР = 2В для нулевого потенциала на затворе. Приводимость G(VЗИ=0В) = 90 нСм. Длина НТ 2
- 18. Механизмы проводимости: термоэлектронная эмиссия через барьер, формирующийся при контакте металла и лежащей на нем нанотрубки; туннелирование
- 19. Исследование электрических характеристик структур на основе углеродных нанотрубок при контролируемом изменении влажности воздуха АСМ изображение участка
- 20. Чувствительность структур на основе сеток пучков УНТ к газам донорного и акцепторного типа в нормальных условиях
- 21. Структуры на основе углеродных нанотрубок в атмосфере паров спиртов Этанол - 8 ‰ (график 1); 2-пропанол
- 22. Внешний вид макета портативного газоанализатора на основе УНТ Основные параметры лабораторного образца сенсорной структуры на основе
- 23. МИЭТ Солюбилизация УНТ для использования в сенсорах Катионный анионный неионогенные ПАВ ионогенный цетилтриметиламмоний бромид (ЦТАБ) натриевая
- 24. Nanographite film with initial thickness 14 nm and 1.5 nm after FIB etching under two gold
- 25. Механизмы наблюдаемого поведения в проводимости: ухудшение контакта графена с золотым электродом за счёт отслаивания, изгиб графенового
- 26. Элементы с планарными квазиодномерными полимерными микропроводниками Внешний вид макета молекулярного нанотранзистора. Видны четыре контактных площадки. Активная
- 27. Формирование проводящих каналов на основе молекул полианилина АСМ-изображение участка с транзистором на основе НТ-ПАНИ. Общий вид
- 28. Рост нитридов металлов третей группы методом МЛЭ и исследование их топографии в вакуумном сканирующем зондовом микроскопе.
- 29. The prototype of acoustic resonator on GaN substrate The period between stripes -100 nm, the depth
- 31. Скачать презентацию