Методы травления материалов электронной техники

Сентябрь 13, 2022

Главная
Физика
Методы травления материалов электронной техники

Содержание

2. Введение Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала с поверхности; При травлении испытываются
3. Виды травления Жидкостное (химическое) травление: а) анизотропное; б) изотропное; в) селективное. Сухое (плазменное) травление: а) ионное;
4. Химическое травление. Анизотропное. Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для создания узких разделяющих щелей;
5. Химическое травление. Изотропное. Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях – как вглубь, так и
6. Химическое травление. Селективное. Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре; Мерой селективности служит отношение
7. Недостатки химического травления Невысокая разрешающая способность Изотропность травления Появление загрязнений на поверхности подложек
8. Плазменное травление При сухих методах существенно уменьшено боковое подтравливание Сухое травление слабо зависит от адгезии защитной
9. Плазменное травление
10. Плазменное травление. Ионное. Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин; S = k*m1*m2*E/ λ*(m1+m2), где
11. Ионно-плазменное травление
12. Ионно-лучевое травление Луч ионов формируется специальным газоразрядным источником и системами вытягивания и ускорения ионов Давление инертного
13. Ионное травление Достоинства: преимущественное травление в направлении нормали к поверхности; безынерционность Недостатки: низкие скорости травления (0,1–1
14. Плазмохимическое травление
15. Плазмохимическое травление
16. Ионно-химическое травление Процессы ИХТ обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса травления материалов; Процессы
17. Недостатки метода: низкая избирательность травления; повреждение поверхности микросхем фотонами или частицами плазмы; возможное присутствие на подложке
18. Заключение Жидкостные методы очистки не всегда позволяют получать поверхность, свободную от органических растворителей; плазменное травление по
20. Скачать презентацию

Слайд 2

Введение
Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала

с поверхности;
При травлении испытываются адгезия, уровень дефектности и химическая инертность резиста;
Наиболее важными параметрами процесса являются стойкость резиста к травлению и его адгезия к подложке.

Слайд 3

Виды травления
Жидкостное (химическое) травление:
а) анизотропное;
б) изотропное;
в) селективное.
Сухое

(плазменное) травление:
а) ионное;
б) ионно-химическое;
в) плазмохимическое.

Слайд 4

Химическое травление. Анизотропное.
Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для

создания узких разделяющих щелей;
Травление идет медленно и требуется нагрев раствора до температуры, близкой к его кипению.

Слайд 5

Химическое травление. Изотропное.
Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях –

как вглубь, так и под маску;
Основным компонентом травителя является плавиковая кислота HF;
W > W0 + 2d, где W – размер вытравленной области, W0 – размер отверстия в маске, d – толщина слоя диоксида кремния.

Слайд 6

Химическое травление. Селективное.
Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре;
Мерой

селективности служит отношение скоростей растворения разных металлов при одновременном воздействии одного травителя.

Слайд 7

Недостатки химического травления
Невысокая разрешающая способность
Изотропность травления
Появление загрязнений на поверхности подложек

Слайд 8

Плазменное травление
При сухих методах существенно уменьшено боковое подтравливание
Сухое травление слабо зависит от

адгезии защитной маски фоторезиста к подложкам

Слайд 9

Плазменное травление

Слайд 10

Плазменное травление. Ионное.
Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин;
S =

k*m1*m2*E/ λ*(m1+m2), где k — коэффициент, характеризующий состояние поверхности; λ — средняя длина свободного пробега иона в обрабатываемом материале, зависящая от θ.

Слайд 11

Ионно-плазменное травление

Слайд 12

Ионно-лучевое травление
Луч ионов формируется специальным газоразрядным источником и системами вытягивания и ускорения

ионов
Давление инертного газа в источнике (около 0,1 Па) должно быть достаточно высоким для создания газоразрядной плазмы.

Слайд 13

Ионное травление
Достоинства:
преимущественное травление в направлении нормали к поверхности;
безынерционность
Недостатки:
низкие скорости травления (0,1–1

нм/с);
значительные радиационные и тепловые воздействия

Слайд 14

Плазмохимическое травление

Слайд 15

Плазмохимическое травление

Слайд 16

Ионно-химическое травление
Процессы ИХТ обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса

травления материалов;
Процессы ИХТ обладают способностью воспроизвести с шаблонов субмикронные (0,3 – 0,5 мкм) структуры.

Слайд 17

Недостатки метода:
низкая избирательность травления;
повреждение поверхности микросхем фотонами или частицами плазмы;
возможное присутствие

на подложке мелких нежелательных частиц.

Плазменное травление

Слайд 18

Заключение
Жидкостные методы очистки не всегда позволяют получать поверхность, свободную от органических

растворителей;
плазменное травление по сравнению с жидкостным химическим дает небольшое преимущество по надежности и выходу годных микросхем;
«сухие» методы обеспечивают высокую чистоту подложек и не токсичны.

Методы травления материалов электронной техники

Содержание

Введение Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала

Виды травления Жидкостное (химическое) травление: а) анизотропное; б) изотропное; в) селективное.Сухое

Химическое травление. Анизотропное. Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для

Химическое травление. Изотропное.Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях –

Химическое травление. Селективное.Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре;Мерой

Недостатки химического травленияНевысокая разрешающая способностьИзотропность травленияПоявление загрязнений на поверхности подложек

Плазменное травлениеПри сухих методах существенно уменьшено боковое подтравливаниеСухое травление слабо зависит от

Плазменное травление

Плазменное травление. Ионное.Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин;S =

Ионно-плазменное травление

Ионно-лучевое травлениеЛуч ионов формируется специальным газоразрядным источником и системами вытягивания и ускорения

Ионное травлениеДостоинства:преимущественное травление в направлении нормали к поверхности;безынерционностьНедостатки:низкие скорости травления (0,1–1

Плазмохимическое травление

Плазмохимическое травление

Ионно-химическое травлениеПроцессы ИХТ обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса

Недостатки метода:низкая избирательность травления;повреждение поверхности микросхем фотонами или частицами плазмы;возможное присутствие

ЗаключениеЖидкостные методы очистки не всегда позволяют получать поверхность, свободную от органических

Похожие презентации

Введение
Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала

Виды травления
Жидкостное (химическое) травление:
а) анизотропное;
б) изотропное;
в) селективное.
Сухое

Химическое травление. Анизотропное.
Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для

Химическое травление. Изотропное.
Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях –

Химическое травление. Селективное.
Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре;
Мерой

Недостатки химического травления
Невысокая разрешающая способность
Изотропность травления
Появление загрязнений на поверхности подложек

Плазменное травление
При сухих методах существенно уменьшено боковое подтравливание
Сухое травление слабо зависит от

Плазменное травление. Ионное.
Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин;
S =

Ионно-лучевое травление
Луч ионов формируется специальным газоразрядным источником и системами вытягивания и ускорения

Ионное травление
Достоинства:
преимущественное травление в направлении нормали к поверхности;
безынерционность
Недостатки:
низкие скорости травления (0,1–1

Ионно-химическое травление
Процессы ИХТ обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса

Недостатки метода:
низкая избирательность травления;
повреждение поверхности микросхем фотонами или частицами плазмы;
возможное присутствие

Заключение
Жидкостные методы очистки не всегда позволяют получать поверхность, свободную от органических