Содержание
- 2. Эквивалентная схема VBIC при большом сигнале Vertical Bipolar Intercompany Model
- 3. Эквивалентная схема HICUM при большом сигнале HIgh CUrrent Model
- 4. Эквивалентная схема MEXTRAM при большом сигнале Most EXquisite TRAnsistor Model
- 6. Прямой и обратный токи HICUM использует значение модуля заряда базы Qpt. VBIC, MEXTRAM используют нормированный заряд.
- 7. Заряд базы VBIC Нормированный заряд (отношение полного заряда основных НЗ в базе к встроенному заряду НЗ
- 8. Ток базы VBIC Используется разделение тока базы на внутренний и внешний, как и в других моделях.
- 9. Сопротивление базы VBIC Сопротивление активной базы модулируется только нормированным зарядом. Сопротивление базы на схеме представлено двумя
- 11. Скачать презентацию
Эквивалентная схема VBIC при большом сигнале
Vertical Bipolar Intercompany Model
Эквивалентная схема VBIC при большом сигнале
Vertical Bipolar Intercompany Model
Эквивалентная схема HICUM при большом сигнале
HIgh CUrrent Model
Эквивалентная схема HICUM при большом сигнале
HIgh CUrrent Model
Эквивалентная схема MEXTRAM при большом сигнале
Most EXquisite TRAnsistor Model
Эквивалентная схема MEXTRAM при большом сигнале
Most EXquisite TRAnsistor Model
Прямой и обратный токи
HICUM использует значение модуля заряда базы Qpt. VBIC,
Прямой и обратный токи
HICUM использует значение модуля заряда базы Qpt. VBIC,
Заряд базы
VBIC
Нормированный заряд (отношение полного заряда основных НЗ в базе к
Заряд базы
VBIC
Нормированный заряд (отношение полного заряда основных НЗ в базе к
HICUM
Используется абсолютное значение заряда Qpt, компоненты времени переноса заряда Tft. В него входят компонента зависящая от напряжения Tf0, позволяющая учитывать эффект Эрли, и компонента зависящая от тока, позволяющая учитывать эффект насыщения скорости дрейфа НЗ в ОПЗ.
MEXTRAM
Используется нормированное значение заряда. Q2 рассчитывается с помощью концентрации электронов, нормированной на ток в точке перегиба ВАХ.
Использование вместо напряжений на p-n переходах выражения для нормированного заряда обедненной области коллекторного перехода, нелинейно зависящие от напряжений на переходах позволяют учесть эффект Эрли наиболее точно.
Ток базы
VBIC
Используется разделение тока базы на внутренний и внешний, как и
Ток базы
VBIC
Используется разделение тока базы на внутренний и внешний, как и
Внутренний ток кб определяется в главном npn транзисторе, а внешний определяется как ток базы паразитного pnp транзистора.
HICUM
Внутренние и внешние компоненты содержат неидеальности.
MEXTRAM
Используется коэффициент усиления по току. Для расчета идеальной составляющей тока используется разделяющий параметр Ib1, для расчета неидеальной составляющей Ib2 не используется.
Для расчета тока кб используются идеальные компоненты Iex, XIEx, определяемые узлами В и В1. Неидеальная компонента, определяемая В1 и неразделенная.
Сопротивление базы
VBIC
Сопротивление активной базы модулируется только нормированным зарядом. Сопротивление базы на
Сопротивление базы
VBIC
Сопротивление активной базы модулируется только нормированным зарядом. Сопротивление базы на
HICUM
переменное сопротивление базы представлено на эквивалентной схеме двумя отдельными резисторами: rBx и rBi. rBx - суммарное сопротивление пассивной базы и контакта к базе, а rBi – сопротивление активной базы, зависящее от концентрации носителей заряда в базе, поверхностного сопротивления и геометрических размеров активной базы, эффекта оттеснения тока в переходе эмиттер-база. Модель предоставляет наибольшее количество параметров для описания эффекта модуляции ширины базы, что позволяет точнее подогнать характеристики под эксперимент.
MEXTRAM
Включается так же параметр модели – сопротивление активной базы при нулевых напряжениях на переходах. Сопротивление постоянного и переменного тока вычисляются одновременно.