Полевые транзисторы FET (field-effect transistor). Устройство, принципы работы полевых транзисторов различных типов

Сентябрь 14, 2022

Главная
Физика
Полевые транзисторы FET (field-effect transistor). Устройство, принципы работы полевых транзисторов различных типов

Содержание

2. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с управляющим p-n
3. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с управляющим p-n
4. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 drain source gate N-channel FET
5. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 drain source gate P-channel FET
6. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора
7. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора
8. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора
9. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора
10. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Участки выходной характеристики
11. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Пологая область характеристики Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2 UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
12. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Крутизна характеристики транзистора с каналом
13. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Полевые транзисторы с изолированным затвором
14. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016
15. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
16. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
17. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным
18. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 МДП-транзистор с встроенным каналом p-типа
19. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
20. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным
21. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с индуцированным каналом
22. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным
23. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Характеристика управления МДП-транзистора с индуцированным
24. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с индуцированным каналом
25. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с индуцированным каналом
26. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным
27. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Характеристики управления МДП-транзистора с индуцированным
28. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора при различных
29. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна 2016 Зависимость передаточных характеристик полевых транзисторов
31. Скачать презентацию

Слайд 2

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор с

управляющим p-n переходом и каналом n-типа
n- channel junction FET

Слайд 3

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор с

управляющим p-n переходом и каналом n-типа

Слайд 4

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
drain
source
gate
N-channel FET
(electron-conducting )

Слайд 5

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
drain
source
gate
P-channel FET
(hole-conducting FET)

Слайд 6

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Управляющие (сток-затворные)

характеристики полевого транзистора
с каналом n-типа

Слайд 7

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Управляющие (сток-затворные) характеристики

полевого транзистора с каналом р-типа

Слайд 8

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные (стоковые) характеристики

полевого транзистора с каналом n-типа

Слайд 9

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные (стоковые) характеристики

полевого транзистора с каналом p-типа

Слайд 10

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Участки выходной характеристики

Слайд 11

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Пологая область характеристики

Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2 UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
S=dIc/dUЗИ при Uси=const Sнач=2IСнач/UЗИотс при UЗИ=0 S=Sнач(1-UЗИ/UЗИотс)

Слайд 12

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Крутизна характеристики транзистора

с каналом n-типа

Слайд 13

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевые транзисторы с

изолированным
затвором ( insulated-gate FET)
МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник)
metal-insulator-semiconductor transistor
(MIS insulated-gate transistor)
МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводник) metal-oxide-semiconductor MOS
(MOS insulated transistor)

Слайд 14

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016

Слайд 15

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора

с встроенным каналом n-типа

Слайд 16

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора

с встроенным каналом n-типа

Слайд 17

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Характеристика управления МДП-транзистора

с встроенным каналом n-типа

IcНАЧ

Слайд 18

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
МДП-транзистор с встроенным

каналом p-типа

Слайд 19

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора

с встроенным каналом p-типа

Слайд 20

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Характеристика управления МДП-транзистора

с встроенным каналом p-типа

Слайд 21

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор с

индуцированным каналом n-типа
Induced-channel FET

Слайд 22

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора

с индуцированным каналом n-типа

Слайд 23

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Характеристика управления

МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа

Слайд 24

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор с

индуцированным каналом p-типа

Слайд 25

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор с

индуцированным каналом p-типа

Слайд 26

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора

с индуцированным каналом p-типа

Слайд 27

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Характеристики управления МДП-транзистора

с индуцированным каналом

Слайд 28

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора

при различных напряжениях на подложке

Слайд 29

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Зависимость передаточных характеристик

полевых транзисторов от температуры