Содержание
- 2. Функции диэлектрических слоев в технологии изделий интегральной электроники В технологии изделий интегральной электроники диэлектрические слои используют
- 3. Области применения диэлектрических слоев
- 4. Требования к свойствам диэлектрических слоев Электрофизические; Химические; Физические; Технологические.
- 5. Электрофизические свойства Высокое напряжение электрического пробоя; Оптимальная диэлектрическая проницаемость; Низкие диэлектрические потери; Высокое удельное электрическое сопротивление.
- 6. Химические свойства Контролируемый химический состав; Стабильность химического состава; Геттерирование ионов щелочных металлов; Низкое содержание примесей; Осаждение
- 7. Физические свойства Отсутствие пор, микротрещин, дисперсных включений, раковин; Низкие остаточные напряжения; Однородная толщина слоев; Хорошая адгезия
- 8. Технологические свойства Конформное покрытие ступенек рельефа; Совместимость со структурой ИМС и требованиям к ее характеристикам; Возможность
- 9. Формирование слоев химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ) Химическое осаждение из газовой фазы - процесс, при
- 10. Типы химических реакций при ХОГФ Пиролиз: SiH4(г) → Si(тв) + 2H2(г); Восстановление: WF6(г) + 3H2(г) →
- 11. Основные реакции, используемые при ХОГФ
- 12. Преимущества ХОГФ - Широкий спектр химических реакций; высокая чистота пленок; - Качественное воспроизведение топологического рельефа; -
- 13. Кинетические стадии ХОГФ -массоперенос реагентов к подложке; -адсорбция реагентов на поверхности подложки; -поверхностная диффузия и химическая
- 14. Типы энергии для инициирования и поддержания реакции при ХОГФ - Термически активируемые реакции; - Реакции с
- 15. Особенности ХОГФ с термической активацией Преимущество: простота процесса. Недостаток: тенденция к гомогенному зароды-шеобразованию, приводящему к формированию
- 16. Параметры ХОГФ, влияющие на однородность пленок распределение и величина температуры в реакторе ; -уровень давления в
- 17. Схема реактора для ХОГФ слоев нитрида кремния, диоксида кремния и ПКК 1 – загрузочный люк; 2
- 18. Свойства слоев SiO2, осажденных при различных температурах Высокотемпературные процессы: Достоинства - высокая однородность пленок по толщине,
- 19. Низкотемпературное плазмохимическое осаждение из газовой фазы Осаждение, активируемое плазмой, представляет собой сочетание процесса протекающего в тлеющем
- 20. Параметры, влияющие на процесс ПХ газофазного осаждения пленок -плотность и распределение высокочастотной мощности -состав и распределение
- 21. Реактор для ПХ осаждения с параллельным расположением электродов
- 22. Cтадии плазмохимического осаждения пленок загрузка–выгрузка пластин, откачка, продувка реактора, пуск в реактор рабочих газов, обработка пластин
- 23. Установка для ПХ осаждения нитрида и оксида кремния с поштучной обработкой пластин “Precision–5000 CVD”
- 24. Атомно–слоевое осаждение (ALD) Атомно–слоевое осаждение (ALD процесс) – представляет собой последовательность самоограничивающихся поверх-ностных реакций при низкой
- 25. Материалы, получаемые ALD Оборудование для ALCVD, позволяющее получать: пленки диэлектриков, в том числе и многослойных оксидов;
- 26. Схема атомно–с лоевого осаждения (молекулярная сборка из газовой фазы)
- 27. Пленки, получаемые центрифугованием из растворов кремнийорганических соединений (НЦР – пленки) Для планаризации многоуровневой металлизированной разводки СБИС
- 28. Материалы для формирования НЦР-пленок Для создания планаризующих пленок используются пленкообразующие растворы, содержащие соединения, разла-гающиеся при сравнительно
- 29. Процесс нанесения НЦР–пленок Пластина размещается на столике центрифуги при включенной вытяжной вентиляции; На пластину подается необходимое
- 31. Скачать презентацию