Слайд 13
![На зонной схеме акцепторные примеси изображаются системой уровней, расположенных в запрещенной](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1481384/slide-12.jpg)
На зонной схеме акцепторные примеси изображаются системой уровней, расположенных в запрещенной
зоне вблизи потолка валентной зоны с зазором, исчисляемым долями электронвольт (рис. 5). Наличие примесей в полупроводнике существенно меняет положение уровня Ферми. При абсолютном нуле температуры уровень Ферми находится примерно посередине между потолком валентной зоны и уровнем акцепторов. По мере возбуждения акцепторных уровней (формирования отрицательно заряженных ионов акцепторной примеси) уровень Ферми смещается в сторону валентной зоны. Одновременно с этим, повышение температуры способствует росту генерации собственных носителей полупроводника, что смещает уровень Ферми в сторону зоны проводимости. В результате, при высокой температуре, когда все атомы примеси ионизированы, а скорость генерации собственных носителей велика, уровень Ферми стремится занять положение вблизи середины запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике.
В рабочей области температур практически все атомы акцепторной примеси ионизированы, следовательно, концентрация дырок, обусловленная наличием примеси, равна концентрации примесных атомов, pp = Na
Носители тока, концентрация которых определяется легирующей примесью, называют основными носителями (в данном случае – это дырки), носители, обусловленные собственным механизмом генерации (в данном случае – электроны) называют неосновными носителями.