Содержание
- 2. Актуальність - Твердотільні інжекційні лазери - Резонансно-тунельний транзистор - Одноелектронний транзистор Квантово-точкові кліткові автомати і безпровідна
- 3. Методи вирощування КТ InAs Молекулярно променева епітаксія МОС-гідридна епітаксія Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія
- 4. Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксії Формування пересиченої газової фази Коалесценція нанокластерів Забезпечення планарності
- 5. Постановка задачі Оптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві в багатоканальному горизонтальному прямоточному
- 6. Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці
- 7. Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
- 8. Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs GaClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔GaAss + HCl
- 9. Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температури На кривих представлені результати розрахунку (суцільна
- 10. Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по відношенню до росту плівки GaAs InClg + 1/4As4g +
- 11. Швидкості росту плівки InAs для різних значень градієнта температури 1 - 0 К /см, 2 -
- 12. Модельні уявлення легування плівки GaAs домішкою In InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
- 13. Розподіл домішок по підкладці GaAs 1,2 - Розчинність домішок низька: 3 - Розчинність домішок висока [Dostov
- 14. Самоорганізація КТ InAs в матриці GaAs
- 15. Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs згідно моделі легування плівки GaAs BiClg + 1/4As4g +
- 16. Розподіл домішки Ві по масиву КТ InAs
- 17. Висновки Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He для формування масиву КТ InAs та легування їх домішкою
- 19. Скачать презентацию