Влияние межмолекулярных F…F контактов на энергию кристаллической решетки металлоорганических комплексов Ge

Август 5, 2022

Главная
Химия
Влияние межмолекулярных F…F контактов на энергию кристаллической решетки металлоорганических комплексов Ge

Содержание

2. Изменение энтальпии сублимации при фторировании
3. Struct. Chem., 2016, 27, 17–24 Внутри- и межмолекулярные F…F взаимодействия
4. Экспериментальный молекулярный граф (C6H5)4Ge
5. Фрагмент кристаллической упаковки (C6H5)4Ge
6. Межмолекулярные H…H взаимодействия в кристалле (C6H5)4Ge * – VdW(H)= 1.01 Å [S. S. Batsanov, Inorganic Materials,
7. Межмолекулярные C…H взаимодействия в кристалле (C6H5)4Ge * – VdW(H)= 1.01 Å, VdW(C)= 1.70 Å [S. S.
8. Энтальпия сублимации (C6H5)4Ge
9. Экспериментальный молекулярный граф (C6F5)4Ge
10. Фрагмент кристаллической упаковки (C6F5)4Ge
11. Межмолекулярные F…F взаимодействия в кристалле (C6F5)4Ge * – VdW(F)= 1.50 Å [S. S. Batsanov, Inorganic Materials,
12. Межмолекулярные C…F взаимодействия в кристалле (C6F5)4Ge * – VdW(F)= 1.50 Å, VdW(C)= 1.70 Å [S. S.
13. Экспериментальный молекулярный граф (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
14. Фрагмент кристаллической упаковки (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
15. Межмолекулярные F…F взаимодействия в кристалле (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
16. Межмолекулярные F…H взаимодействия в кристалле (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
17. Межмолекулярные F…C взаимодействия в кристалле (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
18. Другие межмолекулярные взаимодействия в кристалле (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N * – VdW(H)= 1.01 Å, VdW(C)= 1.70 Å, VdW(N)= 1.60
19. Энергия кристаллической решетки в (C6H5)4Ge, (C6F5)4Ge и (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
20. Распределение деформационной электронной плотности в фрагменте кристаллической упаковки (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
21. Распределение деформационной электронной плотности в фрагменте кристаллической упаковки (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
22. Проведены прецизионные рентгеноструктурные исследования (C6H5)4Ge, (C6F5)4Ge и (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N и определены энергии кристаллических решеток данных соединений (-44.87,
24. Скачать презентацию

Слайд 2

Изменение энтальпии сублимации при фторировании

Слайд 3

Struct. Chem., 2016, 27, 17–24
Внутри- и межмолекулярные F…F взаимодействия

Слайд 4

Экспериментальный молекулярный граф (C6H5)4Ge

Слайд 5

Фрагмент кристаллической упаковки (C6H5)4Ge

Слайд 6

Межмолекулярные H…H взаимодействия в кристалле (C6H5)4Ge
* – VdW(H)= 1.01 Å

[S. S. Batsanov, Inorganic Materials, Vol. 37, No. 9, 2001, pp. 871–885]
** – Энергия контактов рассчитана с использованием корреляции Эспинозы-Моллинса-Лекомта [E. Espinosa, E. Molins, C. Lecomte, Chem. Phys. Let.,1998, 285, 170–173]

Слайд 7

Межмолекулярные C…H взаимодействия в кристалле (C6H5)4Ge
* – VdW(H)= 1.01 Å,

VdW(C)= 1.70 Å [S. S. Batsanov, Inorganic Materials, Vol. 37, No. 9, 2001, pp. 871–885]

Слайд 8

Энтальпия сублимации (C6H5)4Ge

Слайд 9

Экспериментальный молекулярный граф (C6F5)4Ge

Слайд 10

Фрагмент кристаллической упаковки (C6F5)4Ge

Слайд 11

Межмолекулярные F…F взаимодействия в кристалле (C6F5)4Ge
* – VdW(F)= 1.50 Å

[S. S. Batsanov, Inorganic Materials, Vol. 37, No. 9, 2001, pp. 871–885]

Слайд 12

Межмолекулярные C…F взаимодействия в кристалле (C6F5)4Ge
* – VdW(F)= 1.50 Å,

VdW(C)= 1.70 Å [S. S. Batsanov, Inorganic Materials, Vol. 37, No. 9, 2001, pp. 871–885]

Слайд 13

Экспериментальный молекулярный граф (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N

Слайд 14

Фрагмент кристаллической упаковки (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N

Слайд 15

Межмолекулярные F…F взаимодействия в кристалле (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N

Слайд 16

Межмолекулярные F…H взаимодействия в кристалле (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N

Слайд 17

Межмолекулярные F…C взаимодействия в кристалле (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N

Слайд 18

Другие межмолекулярные взаимодействия в кристалле (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N
* – VdW(H)= 1.01 Å, VdW(C)=

1.70 Å, VdW(N)= 1.60 Å [S. S. Batsanov, Inorganic Materials, Vol. 37, No. 9, 2001, pp. 871–885]

Слайд 19

Энергия кристаллической решетки в (C6H5)4Ge, (C6F5)4Ge и (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N

Слайд 20

Распределение деформационной электронной плотности в фрагменте кристаллической упаковки (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N

Слайд 21

Распределение деформационной электронной плотности в фрагменте кристаллической упаковки (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N

Слайд 22

Проведены прецизионные рентгеноструктурные исследования (C6H5)4Ge, (C6F5)4Ge и (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N и определены энергии

кристаллических решеток данных соединений (-44.87, -56.32 и -65.45 ккал/моль соответственно, 100 K). Обнаружено отличное соответствие между энергией кристаллической решетки, полученной из РСИ, и литературными значениями энергий сублимации для (C6H5)4Ge.
Показано, что введение электроноакцепторных атомов фтора не приводит к увеличению летучести фенильных производных германия, в отличии от подавляющего большинства описанных в литературе соединений.
Обнаружено, что межмолекулярным Fδ-…Fδ- взаимодействиям соответствуют области «концентрации»…«разряжения» деформационной электронной плотности.
Исследована природа химических связей, а также распределение зарядов в (C6H5)4Ge, (C6F5)4Ge и (C6F5)3GeCH2CH2C5H4N соединениях.

Выводы