Несамопроизвольная кристаллизация
∆Фк = 1/3*Ак , ∆Фк = 1/3*Sк σ
При возникновении
зародыша на готовой поверхности раздела:
∆Фгот.пов. = 1/3*(σ1 S1+ σ2 S2)
Для самопроизвольной кристаллизации:
∆Фсам.кр. = 1/3*Sк σ1
Образование на подложке облегчено, если:
∆Фгот.пов. < ∆Фсам.кр.
Sк = S1+ S2, ТО σ2 < σ1
Принцип структурного и размерного соответствия:
Превращение на поверхности твердого тела развивается таким образом, чтобы конфигурация атомов исходной твердой фазы сохранялась (или почти сохранялась) и в новой твердой фазе. Возникающая при указанном процессе кристаллизации решетка новой фазы сопрягается с кристаллической решеткой старой фазы подобными кристаллическими плоскостями, параметры которых отличаются друг от друга минимально.