Новое в оперативной памяти
В Samsung протестирован первый чип DRAM, изготовленный
по технологии 40 нм. Энергопотребление новых микросхем DRAM на 30% меньше, чем у чипов, произведенных с использованием 50-нанометрового техпроцесса
Компания Rambus, специализирующаяся на разработке высокоскоростной памяти, продемонстрировала на профильной конференции Denali MemCon 2009 подсистему памяти XDR, работающую на скоростях до 7,2 Гбит/с.
Комплект aXeRam DDR3-1800 для высокопроизводительных систем состоит из двух идентичных 240-контактных небуферизованных модулей DDR3 емкостью 2 Гб каждый.