Интегральные микросхемы (часть 1)

Содержание

Слайд 2

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Интегральная микросхема –

микроэлектронное изделие, выполняющее определённые функции преобразования, хранения, обработки информации и имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных между собой элементов и компонентов и представляющая единое целое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации.
Слайд 3

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

1952 — Джэффри

Даммер, идея интегральной схемы («брусок без проводов»)
1958 — Джэк Килби, первая интегральная схема (пять элементов, генератор)
2000 — Джэк Килби, Нобелевская премия за создание интегральной схемы
Слайд 4

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Серия ИМС –

набор типов ИМС, выполняющих различные функции и имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение
Слайд 5

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Слайд 6

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Статические параметры ЦИС -

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Статические параметры ЦИС

- Входное напряжение логической

единицы (минимальное) U1ВХ (VIH);
- Входное напряжение логического нуля (максимальное) U0ВХ (VIL);
- Выходное напряжение логической единицы (минимальное) U1ВЫХ(VOH);
- Выходное напряжение логического нуля (максимальное) U0ВЫХ(VOL);

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 7

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Статические параметры ЦИС -

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Статические параметры ЦИС

- Логический перепад ΔUЛ

=U1 - U0
- Пороговое напряжение элемента Uпор (VIK);
Мощность потребления в состоянии
логического “0” Р0П
Мощность потребления в состоянии
логической “1” Р1П
Средняя мощность потребления
РП.СР=(Р0П + Р1П)/2

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 8

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Поля допусков входных и

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Поля допусков входных и выходных сигналов

ИМС ТТЛ-технологии

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 9

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Поля допусков входных и

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Поля допусков входных и выходных сигналов

ИМС КМОП-технологии

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 10

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Статические параметры ЦИС -

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Статические параметры ЦИС

- Напряжение источника питания

(указывается номинал, отклонение от номинала, величина пульсации) Uпит (VCC) (VDD); - Выходной ток логической “1” I1ВЫХ (IOH); - Выходной ток логического “0” I0ВЫХ(IOL); - Входной ток логической “1” I1ВХ(IIH); - Входной ток логического “0” I0ВХ (IIL); - Ток потребления IПОТ (ICC);

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 11

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Статические параметры ЦИС Входное

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Статические параметры ЦИС

Входное сопротивление ЛЭ при

UВХ=U0
- Входное сопротивление ЛЭ при UВХ=U1
- Выходное сопротивление ЛЭ при UВЫХ=U0
- Выходное сопротивление ЛЭ при UВЫХ=U1

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 12

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Статические параметры ЦИС -

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Статические параметры ЦИС

- Диапазон рабочих температур

tmin, tmax, 0C; - Коэффициент разветвления по выходу Краз. - Коэффициент объединения по входу Коб.

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 13

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Передаточная характеристика Uвых=f(Uвх) Цифровые интегральные схемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Передаточная характеристика Uвых=f(Uвх)

Цифровые интегральные схемы Весна

2016
Слайд 14

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые интегральные схемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 15

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые интегральные схемы Весна

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Статическая помехоустойчивость

По

низкому уровню
По высокому уровню
Слайд 16

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Входная характеристика Iвх=f(Uвх) Цифровые интегральные схемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Входная характеристика Iвх=f(Uвх)

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 17

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Выходная характеристика Iвых=f(Uвых) Цифровые интегральные схемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Выходная характеристика Iвых=f(Uвых)

Цифровые интегральные схемы Весна

2016
Слайд 18

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Динамические характеристики Цифровые интегральные схемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Динамические характеристики

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 19

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Динамические параметры - время

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Динамические параметры - время перехода из состояния

логической «1» в состояние логического «0» - время перехода из состояния логического «0» в состояние логической «1» - время задержки включения - время задержки выключения

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 20

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Динамические параметры - время

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Динамические параметры - время задержки распространения сигнала

при включении - время задержки распространения сигнала при выключении - среднее время задержки распространения сигнала - рабочая частота переключения (максимальная рабочая частота) fп

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 21

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Динамические параметры Предельно допустимая

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Динамические параметры Предельно допустимая емкость нагрузки СН,

Ф Предельно допустимая индуктивность нагрузки LН, Гн

Цифровые интегральные схемы Весна 2016

Слайд 22

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Степень интеграции –

показатель сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов K=lgN
K≤2 – малая степень интеграции 25 сверхбольшая (СБИС)
Слайд 23

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Элемент – часть

ИС, в которой реализуется функция какого-либо радиоэлемента (транзистора, диода, резистора, конденсатора и т.д.) и которую нельзя отделить от кристалла и рассматривать как самостоятельное изделие с точки зрения измерения параметров, упаковки и эксплуатации.
Компонент – часть ИС, с помощью которой можно реализовать функцию какого-либо радиоэлемента.
Слайд 24

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Подложка ИС –

заготовка, предназначенная для изготовления на ней элементов гибридных и плёночных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, контактных площадок. Плата ИС – часть подложки (или вся подложка), на поверхности которой выполнены плёночные элементы, контактные площадки и линии соединений элементов и компонентов.
Слайд 25

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Полупроводниковая пластина –

заготовка, используемая для создания ИС (иногда пластина с выполненными на ней элементами). Кристалл ИС – часть пластины, полученная после её резки, когда на одной пластине выполнено несколько функциональных устройств.
Вывод ИМС – проводник, соединенный электрически с контактной площадкой кристалла и механически с его поверхностью
Слайд 26

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Контактные площадки –

металлизированные участки на кристалле, предназначенные для присоединения к выводам корпуса ИС.
Слайд 27

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 Сформированные микросхемы на кристалле

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Сформированные микросхемы на

кристалле
Слайд 28

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

4-битный ЦП Intel

i4004 (1971)
Частота 90-200 кГц, 2250 транзисторов
Объём адресуемой памяти: 640 байт
Напряжение питания: −15 В (pMOS)
Слайд 29

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Корпус – часть

конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних воздействий. Типы и размеры корпусов, а также число вводов и их расположение стандартизированы. На корпусе имеется “ключ” или корпус выполняется несимметричной формы, что эквивалентно ключу, который необходим для правильного нахождения выводов микросхемы.
Слайд 30

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 Примеры корпусов микросхем

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Примеры корпусов микросхем

Слайд 31

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Классификация типов корпусов

для обычного монтажа
Слайд 32

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Классификация типов корпусов

для поверхностного монтажа
Слайд 33

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

DIP (Dual In-line

Package)
Выводы расположены перпендикулярно плоскости корпуса вдоль двух противоположных сторон.
Корпус может быть изготовлен из ударопрочного пластика (PDIP) или из специальной керамики (CDIP).
Слайд 34

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

SDIP (Shrink DIP)
Корпус

типа DIP с уменьшенным шагом выводов
Слайд 35

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 WDIP (DIP with Window)

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

WDIP (DIP with

Window)
Слайд 36

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

QFI (Quad Flat

I-leaded Package)
Выводы расположены перпендикулярно плоскости корпуса, но в отличие от корпусов типа DIP, выводы прижаты к корпусу
Слайд 37

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

SIP (Single In-line

Package)
Выводы расположены вдоль одной стороны в направлении, совпадающим с плоскостью корпуса
Слайд 38

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

HSIP (SIP with

Heat Sink)
Корпус типа SIP с металлическим теплоотводом
Слайд 39

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

ZIP (Zigzag In-line

Package)
Направление выводов совпадает с плоскостью корпуса. Выводы расположены с одной стороны по линии "зиг-заг"
Слайд 40

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

ИМС в корпусах

для поверхностного монтажа (Surface mount type)
SOP(Small Outline Package)
Корпус с двусторонним расположением G-образных выводов
Слайд 41

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

SSOP (Shrink SOP)
Корпус

типа SOP с уменьшенным шагом выводов
Слайд 42

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

TSOP(Thin Small Outline

Package)
От корпуса SOP отличается уменьшенной толщиной корпуса
Слайд 43

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

TSSOP (Thin Shrink

Small Outline Package)
От корпуса SOP отличается уменьшенной толщиной корпуса и уменьшенным шагом выводов
Слайд 44

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

HSOP(SOP with Heat

Sink)
Корпус SOP с теплоотводом
Слайд 45

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

PSOP (Power Small

Outline Package)
Корпус SOP с теплоотводом в виде металлической пластины под корпусом ИМС
Слайд 46

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

РQFP (Plastic Quad

Flat Packagе)
Корпус прямоугольной формы с G-образными выводами, расположенными по четырем сторонам корпуса
Слайд 47

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

TQFP(Thin Quad Flat

Package)
Корпус РQFP с уменьшенной толщиной корпуса
Слайд 48

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Корпуса J-lead package
Корпуса

этой группы имеют загнутые под плоскость корпуса выводы (отсюда символ J в названии)
SOJ (Small Outline J-leaded Package)
Корпуса с двусторонним расположением выводов
Слайд 49

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

QFJ (Quad Flat

J-leaded Package), PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier),
JLCC (J-Leaded Ceramic Chip Carrier)
Выводы расположены по периметру корпуса
Слайд 50

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

BGA (BALL GRID

ARRAY)
Выводы микросхем данной группы представляют собой матрицу шариков, размещенных непосредственно под корпусом
CBGA (Ceramic Ball Grid Array)
Квадратный или прямоугольный керамический корпус (рис.7.22). Типовое количество выводов – до 500
Слайд 51

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

CPGA (Ceramic Pin

Grid Array)
Керамический квадратный или прямоугольный корпус с жесткими выводами, расположенными на нижней стороне корпуса, перпендикулярно плоскости корпуса
Слайд 52

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

CCGA (Ceramic Column

Grid Array)
Керамический корпус с выводами, представляющие собой столбики из припоя, расположенные в виде матрицы на нижней стороне корпуса
Слайд 53

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

QFN (Quad Flat

Non-leaded Package)
Металлизированные участки расположены по всем четырем сторонам малогабаритного квадратного корпуса
Слайд 54

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

PQFN (Power Quad

Flat No Leads)
Прямоугольный или квадратный корпус с теплоотводом на нижней стороне
Слайд 55

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

DFN (Dual Flat

No Leads)
Металлизированные участки расположены по двум длинным сторонам корпуса
Слайд 56

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 Диффузионный резистор п/п ИМС

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Диффузионный резистор п/п

ИМС
Слайд 57

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 Диффузионный конденсатор п/п ИМС

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Диффузионный конденсатор п/п

ИМС
Слайд 58

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 МОП-конденсатор

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

МОП-конденсатор

Слайд 59

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 Вертикальный транзистор типа n-p-n

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Вертикальный транзистор типа

n-p-n
Слайд 60

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 Вертикальный транзистор типа n-p-n

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Вертикальный транзистор типа

n-p-n
Слайд 61

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 Горизонтальный транзистор типа p-n-p

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Горизонтальный транзистор типа

p-n-p
Слайд 62

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016 Транзистор Шоттки

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Транзистор Шоттки

Слайд 63

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Интегральные микросхемы Весна 2016

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Интегральные микросхемы Весна 2016

Полевой транзистор технологии

«Кремний на изоляторе»
“SOI MOSFET” (Silicium on isolator).
- Предыдущая
Company name
Следующая -
20171111_artikulyatsionnye_upr._dlya_shipyashchih_zv

Похожие презентации

Тайна имени
Машины для сварки давлением. (Лекция 20)
Уход за одеждой из искусственных и синтетических тканей. Значение символов на ярлыках одежды
Воспалительные заболевания тазовых органов у женщин
20130619_istoriya_prazdnika_1_maya
20140924_kak_govoriat_zhivotnie_dom
Русские имена. Имена исконные и заимствованные, традиционные и новые, устаревшие и популярные
Как сделать простой ламповый приемник
социология 13.04.17
20150111_vot_eto_kot
Счастливы вместе
K19 SMT Issue List
20120303_roman_olgi_slavnikovoy_2017
Требования к транспорту и правила / примеры погрузки
Собака- как объект окружающего мира
Молодежная одежда Весна-2021 Бренд Roomyroom_showroom
Развитие логического мышления
Дана - консультант по продуктовым характеристикам табачной компании JTI
Информационные технологии – движущая сила развития общества
Страх публичных выступлений
Краснобаев 12 пр
Perfect Drilling & Downhole Tools
Оборудование участка железной дороги устройствами АПК-ДК
Қаңтардың жиырма алтысы Нәтиже сабақ
New 3kol logo
Портфолио педагога-психолога Маскиной Ольги Николаевны
лекция
Клоун. Найди 4 отличия
Вы можете прислать нам Вашу презентацию и мы опубликуем ее на сайте.
Обратная связь
Для правообладателей
Email: Нажмите что бы посмотреть