Tranzystor bipolarny

Август 3, 2022

Главная
Разное
Tranzystor bipolarny

Содержание

2. 1904 – J.A.Fleming przedstawia projekt lampy próżniowej z dwiema elektrodami – diodę próżniową 1906 – Lee
4. John Bardeen 1908 - 1991 Wiliam Shockley 1910-1989 Walter H. Brattain 1902-1987 1956 – Nagroda Nobla
5. Obecnie produkowanych jest tysiące typów tranzystorów o różnych właściwościach
9. Założenia : Obszar bazy jest domieszkowany znacznie słabiej aniżeli emitera i kolektora ( typowo w stosunku
10. PODSTAWOWE RÓWNANIA DLA TRANZYSTORA Współczynnik transportu Równanie prądowe Współczynnik wzmocnienia stałoprądowego Typowo αDC = 0.95 ..
11. STANY PRACY TRANZYSTORA STAN PRACY AKTYWNEJ Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku przewodzenia Złącze kolektorowe polaryzowane w
12. STAN ZATKANIA Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku zaporowym Złącze kolektorowe polaryzowane w kierunku zaporowym Przez tranzystor
13. ZADANIE 1 W układzie jak na rysunku znaleźć punkt pracy tranzystora ( wartości prądów płynących przez
14. ZADANIE 2 W układzie jak na rysunku znaleźć wartość rezystancji RC i RB , dla których
15. ZADANIE 3 W układzie jak na rysunku znaleźć przebieg prądu bazy i kolektora oraz napięcia wyjściowego
16. UKŁADY PRACY TRANZYSTORA UKŁAD WSPÓLNEGO EMITERA UKŁAD WSPÓLNEGO KOLEKTORA UKŁAD WSPÓLNEJ BAZY
17. WZMACNIACZE Z RÓŻNYMI UKŁADAMI PRACY TRANZYSTORA
18. PARAMETRY WZMACNIACZY Z RÓŻNYMI UKŁADAMI PRACY TRANZYSTORA
19. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA DLA UKŁADU WSPÓLNEGO EMITERA
20. CHARAKTERYSTYKA WEJŚCIOWA
21. UKŁADY POLARYZACJI TRANZYSTORA Przy zmianie wartości rezystancji i napięć polaryzujących tranzystor zmieniamy położenie punktu pracy na
22. Może to spowodować pojawienie się niepożądanych efektów w czasie pracy układu takich jak zniekształcenia nieliniowe związane
23. PRACA LINIOWA WZMACNIACZA
24. ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W NASYCENIE
25. ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W ZATKANIE
26. ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W NASYCENIE I ZATKANIE
27. STABILIZACJA PUNKTU PRACY TRANZYSTORA CELE STABILIZACJI PUNKTU PRACY Uniezależnienie punktu pracy od zmian parametrów tranzystora pod
28. Stabilizacja wartości prądu bazy IB jest tym lepsza, im stosunek rezystancji RB / RE jest większy
29. W prostym układzie polaryzacji tranzystora podstawowe znaczenie ma dobór rezystora RE Mała wartość rezystora RE to
30. STABILIZACJA NIELINIOWA Metoda kompensacji zmiany punktu pracy na skutek zmiany napięcia UBE pod wpływem temperatury Metoda
31. ZASILANIE PRĄDOWE Przy zmianie napięcia ∆ UBE zmiany prądu kolektora są równe ∆ UBE /RE .
33. Скачать презентацию

Слайд 2

1904 – J.A.Fleming przedstawia projekt lampy próżniowej z dwiema elektrodami –

diodę próżniową
1906 – Lee de Fore przedstawia projekt lampy próżniowej z trzema elektrodami – triodę. Trzecia elektroda – siatka – steruje przepływem prądu przez lampę.
W latach 20-tych XX wieku trwa gwałtowny rozwój elektroniki opartej na tych dwóch typach lamp. W 1922 wyprodukowano na całym świecie ok. 1 mln lamp, w 1930 – 100 mln
Początek lat 30-tych XX wieku – powstanie lampy z 4 elektrodami ( tetrody ) a następnie z pięcioma elektrodami ( pentody ) . Powoduje to dalszy rozwój elektroniki opartej na lampach próżniowych.
23 grudnia 1947 roku – początek nowej ery rozwoju elektroniki. Tego dnia zaprezentowano nowy element elektroniczny – tranzystor.

Слайд 3

Слайд 4

John Bardeen 1908 - 1991
Wiliam Shockley
1910-1989
Walter H. Brattain
1902-1987
1956 – Nagroda Nobla

w dziedzinie fizyki za wynalezienie tranzystora

1951 – Początek komercyjnej produkcji tranzystorów

Слайд 5

Obecnie produkowanych jest tysiące typów tranzystorów o różnych właściwościach

Слайд 6

Слайд 7

Слайд 8

Слайд 9

Założenia :
Obszar bazy jest domieszkowany znacznie słabiej aniżeli emitera i kolektora

( typowo w stosunku 100 : 1 )
Obszar bazy jest bardzo wąski

Слайд 10

PODSTAWOWE RÓWNANIA DLA TRANZYSTORA
Współczynnik transportu
Równanie prądowe
Współczynnik wzmocnienia stałoprądowego
Typowo αDC = 0.95

.. 0.99

Typowo βDC = kilkadziesiąt … kilkaset

Слайд 11

STANY PRACY TRANZYSTORA
STAN PRACY AKTYWNEJ
Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku przewodzenia
Złącze kolektorowe

polaryzowane w kierunku zaporowym
Prawdziwy jest związek Ic = β IE
STAN PRACY INWERSYJNEJ
Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku zaporowym
Złącze kolektorowe polaryzowane w kierunku przewodzenia
Ponieważ współczynnik transportu α jest mały to i wzmocnienie stałoprądowe też jest małe ( kilka … kilkanaście )

Слайд 12

STAN ZATKANIA
Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku zaporowym
Złącze kolektorowe polaryzowane w kierunku

zaporowym
Przez tranzystor płyną bardzo małe prądy zerowe, wynikające z termicznej generacji nośników ( rzędu nA dla tranzystorów krzemowych oraz μA dla germanowych )
STAN NASYCENIA
Złącze emiterowe polaryzowane w kierunku przewodzenia
Złącze kolektorowe polaryzowane w kierunku przewodzenia
Napięcie między kolektorem a emiterem UCE SAT jest bardzo małe ( rzędu 0.1 V i mniejsze ) .
NIE jest prawdziwy związek Ic = β IE

Слайд 13

ZADANIE 1
W układzie jak na rysunku znaleźć punkt pracy tranzystora (

wartości prądów płynących przez tranzystor i napięć na jego zaciskach )

Слайд 14

ZADANIE 2
W układzie jak na rysunku znaleźć wartość rezystancji RC i

RB , dla których prąd diody LED ma wartość 10 mA . Przyjmij : β = 100 , Ubep = 0.7 V , UCESAT = 0.1 V , VIN MAX = 5 V , VCC = 9 V . Napięcie na diodzie LED dla prądu 10 mA jest równe 1.5 V .

Слайд 15

ZADANIE 3
W układzie jak na rysunku znaleźć przebieg prądu bazy i

kolektora oraz napięcia wyjściowego przy zmianie napięcia wejściowego od -20 V do 20 V .

Przyjmij :
β = 100 , RB = 100 kΩ ,
Ubep = 0.7 V , UCESAT = 0.1 V

Слайд 16

UKŁADY PRACY TRANZYSTORA
UKŁAD WSPÓLNEGO EMITERA
UKŁAD WSPÓLNEGO KOLEKTORA
UKŁAD WSPÓLNEJ BAZY

Слайд 17

WZMACNIACZE Z RÓŻNYMI UKŁADAMI PRACY TRANZYSTORA

Слайд 18

PARAMETRY WZMACNIACZY Z RÓŻNYMI UKŁADAMI PRACY TRANZYSTORA

Слайд 19

CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA DLA UKŁADU WSPÓLNEGO EMITERA

Слайд 20

CHARAKTERYSTYKA WEJŚCIOWA

Слайд 21

UKŁADY POLARYZACJI TRANZYSTORA
Przy zmianie wartości rezystancji i napięć polaryzujących tranzystor zmieniamy

położenie punktu pracy na charakterystyce wyjściowej tranzystora

Слайд 22

Może to spowodować pojawienie się niepożądanych efektów w czasie pracy układu

takich jak zniekształcenia nieliniowe związane z wejściem tranzystora w stan nasycenia lub zatkania. W obu tych stanach prąd kolektora nie jest proporcjonalny do prądu bazy.

Слайд 23

PRACA LINIOWA WZMACNIACZA

Слайд 24

ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W NASYCENIE

Слайд 25

ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W ZATKANIE

Слайд 26

ZNIEKSZTAŁCENIA WYWOŁANE ZŁYM PUNKTEM PRACY WZMACNIACZA – WEJŚCIE W NASYCENIE I

ZATKANIE

Слайд 27

STABILIZACJA PUNKTU PRACY TRANZYSTORA
CELE STABILIZACJI PUNKTU PRACY
Uniezależnienie punktu pracy od zmian

parametrów tranzystora pod wpływem temperatury
Przy zmianie temperatury UBEP maleje ze współczynnikiem 2.3 mV/oC
Przy zmianie temperatury zmienia się współczynnik wzmocnienia β tranzystora
Uniezależnienie się od zmian parametrów przy wymianie tranzystora

Слайд 28

Stabilizacja wartości prądu bazy IB jest tym lepsza, im stosunek rezystancji

RB / RE jest większy i im wartości rezystancji są większe
Stabilizacja napięcia UCE pogarsza się, im wartości rezystorów RB , RE i RC są większe

Слайд 29

W prostym układzie polaryzacji tranzystora podstawowe znaczenie ma dobór rezystora RE

Mała wartość rezystora RE to zła stabilizacja prądu IC a dobra napięcia UCE
Duża wartość rezystora RE to dobra stabilizacja prądu IC a zła napięcia UCE
Im większa wartość rezystora RE tym napięcia zasilania muszą być większe i tym większe są straty mocy w układzie
Dlatego w wielu przypadkach stosuje się inne metody stabilizacji punktu pracy tranzystora w tym układy z elementem nieliniowym czy układy z zasilaniem prądowym. Oferują one znaczne zredukowanie wpływu temperatury i zmian parametrów tranzystora na zmianę punktu pracy

Слайд 30

STABILIZACJA NIELINIOWA
Metoda kompensacji zmiany punktu pracy na skutek zmiany napięcia UBE

pod wpływem temperatury

Metoda kompensacji zmiany punktu pracy na skutek zmiany napięcia zasilającego

Слайд 31

ZASILANIE PRĄDOWE
Przy zmianie napięcia ∆ UBE zmiany prądu kolektora są równe

∆ UBE /RE .
Wynika stąd, że rezystancja RE winna mieć możliwie dużą wartość.
Zmiany prądu kolektora nie są funkcją współczynnika wzmocnienia β .

Wartość prądu zależy od napięcia diody Zenera UZ i rezystora RE a nie zależy od zmian parametrów tranzystora. Dioda D kompensuje cieplne zmiany napięcia UBE .

Tranzystor bipolarny

Содержание

1904 – J.A.Fleming przedstawia projekt lampy próżniowej z dwiema elektrodami –

John Bardeen 1908 - 1991Wiliam Shockley1910-1989Walter H. Brattain1902-19871956 – Nagroda Nobla

Obecnie produkowanych jest tysiące typów tranzystorów o różnych właściwościach

Założenia :Obszar bazy jest domieszkowany znacznie słabiej aniżeli emitera i kolektora

PODSTAWOWE RÓWNANIA DLA TRANZYSTORAWspółczynnik transportuRównanie prądoweWspółczynnik wzmocnienia stałoprądowegoTypowo αDC = 0.95

STANY PRACY TRANZYSTORASTAN PRACY AKTYWNEJZłącze emiterowe polaryzowane w kierunku przewodzeniaZłącze kolektorowe

STAN ZATKANIAZłącze emiterowe polaryzowane w kierunku zaporowymZłącze kolektorowe polaryzowane w kierunku

ZADANIE 1W układzie jak na rysunku znaleźć punkt pracy tranzystora (

ZADANIE 2W układzie jak na rysunku znaleźć wartość rezystancji RC i

ZADANIE 3W układzie jak na rysunku znaleźć przebieg prądu bazy i

UKŁADY PRACY TRANZYSTORAUKŁAD WSPÓLNEGO EMITERAUKŁAD WSPÓLNEGO KOLEKTORAUKŁAD WSPÓLNEJ BAZY