Твердотельная электроника. Семинар №4. Граничные условия Шокли

(низкий)

Для n+-p-перехода на границе ОПЗ->p-база

Для p+-n-перехода на границе ОПЗ->n-база

НУИ:

ВУИ:

с p-базой):
Δp= pp (0) - pp0 = pp(0) – Nб ;
Δn= np (0) - np0 = np (0) Δn = Δp
pp0 – равновесная концентрация дырок на правой границе ОПЗ
(примерно равна уровню легирования p-области)
np0 - равновесная концентрация электронов на правой границе ОПЗ
(примерно равна нулю)

см-3
Найти Fin, Fip

Задача 2: Дано:
Резкий n+-p-переход
Нарисовать прибор, указать контакты к эмиттеру и базе, выделить ОПЗ и нейтральные области, указать тип основных и неосновных носителей в областях

Основые носители: nn pp

Неосновые носители: pn np

котором уровень инжекции=1

Берем общую формулу граничных условий Шокли

Δp= pp (0) - pp0 = pp(0) – Nб ;
Δn= np (0) - np0 = np (0) Δn = Δp

Используя выражения:

Находим:

Tau=1e-5c
U=+5*Fit, -5*Fit
Рассчитать и построить распределение неосновных носителей в области

Неосновные носители в p-области – электроны
Находим подвижность электронов:

3. Находим диффузионную длину неосновных носителей:

Значит область тонкая и распределение неосновных носителей будет линейное

из рисунка найти диффузионный ток диода?