Биполярные транзисторы

Сентябрь 14, 2022

Главная
Алгебра
Биполярные транзисторы

Содержание

2. 1.Назначение и классификация биполярных транзисторов. 2.Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. 3.Тиристоры.
4. Транзисторами называются полупроводниковые электронные приборы , предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов
5. Транзистор — полупроводниковый преобразовательный элемент, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность за счет
7. Классификация транзисторов по основному полупроводниковому материалу Германиевые Germanium (Ge), 32 Кремниевые Silicium (Si), 14 Арсенид-галлиевые (GaAs)
8. Классификация транзисторов по принципу действия биполярные полевые (униполярные)
9. Классификация транзисторов по частоте НЧ ( СрЧ (3 - 30 МГц) ВЧ и СВЧ (>30 МГц)
10. Классификация транзисторов по мощности ММ ( СрМ (0,3 - 3Вт) средней мощности М (>3 Вт) мощные
11. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов n-p-n p-n-p р n p
12. Действие биполярного транзистора (БТ) основано на использовании носителей зарядов обоих знаков: дырок и электронов. Управление протекающим
13. p–n–p n–p–n
15. Режимы работы биполярного транзистора 1. активный режим «эмиттер-база» открыт, «коллектор-база» закрыт 2. инверсный режим «эмиттер- база»
16. Тиристоры Тиристоры — полупроводниковые приборы с тремя (или более) р-n переходами, которые имеют два устойчивых состояния
17. Тиристоры
18. диодные тиристоры - динисторы триодные тиристоры - тиристоры
19. Динисторы применяются в виде бесконтактных переключательных устройств.
20. Принцип действия. Основные носители зарядов переходят из анода в базу 1, а из катода – в
21. Триодные тиристоры можно включать при напряжениях, меньших напряжения включения динистора
22. Параметры тиристоров КУ208
23. Параметры тиристоров КУ203
24. Тиристор C106M1-MOT (4A/600V) TO126 [1722] Minimum order: 1 Тиристор C106M1-MOT (4A/600V) TO126 [1722] Minimum order: 1
25. Штыревой кремниевый тиристор
26. Корейские ученые создали нанотранзистор Транзистор состоит из шести атомов углерода, помещенных между двумя золотыми электродами. Такой
27. CХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
28. 1. Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой. 2. Схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором.
29. 1.Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой (ОБ)
30. 2. Схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель)
31. 3. Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером (ОЭ)
32. Сводная таблица параметров схем включения биполярных транзисторов
33. Полевые транзисторы
34. 1.Назначение и классификация полевых транзисторов. 2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом .
35. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, имеющий три электрода: исток, сток и затвор, в котором ток
36. 1.Назначение и классификация полевых транзисторов. полевые транзисторы делятся на два вида: с управляющим р-п-переходом - канальные;
37. МДП – транзисторы делятся на два вида -с индуцированным каналом - со встроенным каналом. в МОП–транзисторах
38. 2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом .
39. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
40. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
41. Предельные режимы Параметр Величина UСИ МАКС, В 3.5 UЗИ МАКС, В –2.5 UЗС МАКС, В –6.0
42. Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) МОП-транзисторы (металл-окисел-полупроводник МДП –транзистор со встроенным каналом
43. МДП - транзистор с индуцированным каналом
44. МНОП – транзистор с плавающим затвором М - металл, Н – сплав HSi3N4, О – оксид
45. Разработан полевой транзистором (FET) с двойным плавающим затвором на основе аморфного полупроводника индий- галлий- цинк-оксид .
46. Продукция Integra Technologies: -транзисторы для применения в диапазонах VHF/UHF (непрерывный режим) -транзисторы для применения в системах
47. Транзисторы на углеродных нанотрубках откроют эру производства дешевых электронных устройств - так считают разработчики этой новой
49. Скачать презентацию

Слайд 2

1.Назначение и классификация биполярных транзисторов.
2.Устройство и принцип действия биполярных транзисторов.
3.Тиристоры.

Слайд 3

Слайд 4

Транзисторами называются полупроводниковые электронные приборы , предназначенные для усиления, генерирования и

преобразования электрических сигналов

Слайд 5

Транзистор — полупроводниковый преобразовательный элемент, имеющий не менее трёх выводов и

способный усиливать мощность за счет энергии внешнего источника питания .а счет нергинешнего источника питания.
Транзистор — нелинейный активный
элемент

Слайд 6

Слайд 7

Классификация транзисторов по основному полупроводниковому материалу
Германиевые Germanium (Ge), 32
Кремниевые Silicium (Si), 14
Арсенид-галлиевые

(GaAs) химическое соединение галлия и мышьяка

Слайд 8

Классификация транзисторов по принципу действия
биполярные
полевые (униполярные)

Слайд 9

Классификация транзисторов по частоте
НЧ (<3 МГц)
СрЧ (3 - 30 МГц)
ВЧ и

СВЧ (>30 МГц)

Слайд 10

Классификация транзисторов по мощности
ММ (<0,3 Вт) маломощные транзисторы
СрМ (0,3

- 3Вт) средней мощности
М (>3 Вт) мощные

Слайд 11

Устройство и принцип действия биполярных транзисторов n-p-n p-n-p
р
n
p

Слайд 12

Действие биполярного транзистора (БТ) основано на использовании носителей зарядов обоих знаков:

дырок и электронов.
Управление протекающим через БТ током осуществляется с помощью другого управляющего тока.
БТ управляется током .

Слайд 13

p–n–p
n–p–n

Слайд 14

Слайд 15

Режимы работы биполярного транзистора
1. активный режим
«эмиттер-база» открыт, «коллектор-база» закрыт
2.

инверсный режим
«эмиттер- база» закрыт, «коллектор - база» открыт
3. режим насыщения
«эмиттер - база» закрыт, «коллектор - база» открыт
4. режим отсечки
«эмиттер – база» закрыт, «коллектор - база» закрыт

Слайд 16

Тиристоры
Тиристоры — полупроводниковые приборы с тремя (или более) р-n переходами,
которые

имеют два устойчивых состояния и применяются как мощные электронные ключи.
Закрытое состояние - состояние низкой проводимости
Открытое состояние -состояние высокой проводимости

Слайд 17

Тиристоры

Слайд 18

диодные тиристоры - динисторы
триодные тиристоры - тиристоры

Слайд 19

Динисторы применяются в виде бесконтактных переключательных устройств.

Слайд 20

Принцип действия.
Основные носители зарядов переходят из анода в базу 1, а

из катода – в базу 2, где они становятся неосновными и в базах происходит интенсивная рекомбинация зарядов, в результате которой количество свободных носителей зарядов уменьшается. Эти носители заряда подходят к коллекторному переходу, поле которых для них будет ускоряющим, затем проходят базу и переходят через открытый эмиттерный переход, т. к. в базах они опять становятся основными.
Пройдя эмиттерные переходы, электроны переходят в анод, а дырки – в катод, где они вторично становятся неосновными и вторично происходит интенсивная рекомбинация. В результате количество зарядов, прошедших через динистор, будет очень мало и прямой ток также будет очень мал. При увеличении напряжения прямой ток незначительно возрастает, т. к. увеличивается скорость движения носителей, а интенсивность рекомбинации уменьшается. При увеличении напряжения до определённой величины происходит электрический пробой коллекторного перехода. Сопротивление динистора резко уменьшается, ток через него сильно увеличивается и падение напряжения на нём значительно уменьшается - динистор перешёл из выключенного состояния во включённое.

Слайд 21

Триодные тиристоры можно включать при напряжениях, меньших напряжения включения динистора

Слайд 22

Параметры тиристоров КУ208

Слайд 23

Параметры тиристоров КУ203

Слайд 24

Тиристор C106M1-MOT (4A/600V) TO126 [1722] Minimum order: 1
Тиристор C106M1-MOT (4A/600V) TO126 [1722] Minimum

order: 1

Слайд 25

Штыревой кремниевый тиристор

Слайд 26

Корейские ученые создали нанотранзистор
Транзистор состоит из шести атомов углерода, помещенных между

двумя золотыми электродами. Такой транзистор позволит уменьшить размер микросхем, тем самым повысив их производительность, и снизить энергопотребление. Из собранных образцов рабочими оказываются лишь 15%.Пока нет технологии, позволяющей строить микросхемы с использованием таких транзисторов.

Слайд 27

CХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Слайд 28

1. Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой.
2. Схемы включения биполярных

транзисторов с общим коллектором.
3. Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером.

Слайд 29

1.Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой (ОБ)

Слайд 30

2. Схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель)

Слайд 31

3. Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером (ОЭ)

Слайд 32

Сводная таблица параметров схем включения биполярных транзисторов

Слайд 33

Полевые транзисторы

Слайд 34

1.Назначение и классификация полевых транзисторов.
2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с

управляющим p-n переходом .
3.Полевые транзисторы с изолированным затвором.

Слайд 35

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, имеющий три электрода:
исток, сток

и затвор, в котором ток создается только основными носителями заряда.
Управление током осуществляется электрическим полем,
которое создается приложением напряжения к управляющему электроду.

Слайд 36

1.Назначение и классификация полевых транзисторов.
полевые транзисторы делятся на два вида:
с управляющим

р-п-переходом - канальные; управление током достигается путем изменения сечения канала;
с изолированным затвором –
МДП-транзисторы
(металл – диэлектрик - полупроводник).

Слайд 37

МДП – транзисторы делятся на два вида
-с индуцированным каналом

- со встроенным каналом.
в МОП–транзисторах (металл-окисел-полупроводник) в качестве диэлектрика используются оксиды, например, SiО2

Слайд 38

2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом .

Слайд 39

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Слайд 40

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Слайд 41

Предельные режимы
Параметр Величина
UСИ МАКС, В 3.5
UЗИ МАКС, В

–2.5
UЗС МАКС, В –6.0
Р МАКС, мВт 35
Т, град С –60 +85

Малошумящие арсенидгаллиевые полевые СВЧ транзисторы типа 3П374А,Б,В-2,5 предназначены для применения в приемо-усилительной аппаратуре с общей герметизацией.

Диапазон частот 4-18 ГГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР опт>10 дБ (12 ГГц);
- Коэффициент шума КШ мин<0.85 дБ (12 ГГц);
- Длина затвора 0.25 мкм;
- Ширина затвора 150 мкм.

Слайд 42

Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) МОП-транзисторы (металл-окисел-полупроводник
МДП –транзистор со встроенным каналом

Слайд 43

МДП - транзистор с индуцированным каналом

Слайд 44

МНОП – транзистор с плавающим затвором М - металл, Н – сплав

HSi3N4, О – оксид металла, П – полупроводник

Принцип действия этих транзисторов основан на том, что в сильных электрических полях
электроны могут проникать в диэлектрик на глубину до 1мкм.

Применяются в интегральных микросхемах ЗУ в
виде ячейки для хранения 1бит информации

Слайд 45

Разработан полевой транзистором (FET) с двойным плавающим затвором на основе аморфного

полупроводника индий- галлий- цинк-оксид .
Хранит данные в виде электрического заряда, позволит создавать на его базе ячейки памяти, размером в 16 нм.

Слайд 46

Продукция Integra Technologies:
-транзисторы для применения в диапазонах VHF/UHF (непрерывный режим)
-транзисторы

для применения в системах связи и опознавания
-транзисторы для применения в радарах VHF/UHF/L - диапазонов
-Транзисторы для применения в радарах S - диапазона
-усилительные субмодули (паллеты)
усилители в транзисторном корпусе для применения в S-диапазоне

Слайд 47

Транзисторы на углеродных нанотрубках
откроют эру производства дешевых электронных устройств - так

считают разработчики этой новой технологии ( международная команда ученых из университета Аалто в Финляндии и университета Нагои в Японии)

Биполярные транзисторы

Содержание

1.Назначение и классификация биполярных транзисторов.2.Устройство и принцип действия биполярных транзисторов.3.Тиристоры.

Транзисторами называются полупроводниковые электронные приборы , предназначенные для усиления, генерирования и

Транзистор — полупроводниковый преобразовательный элемент, имеющий не менее трёх выводов и

Классификация транзисторов по основному полупроводниковому материалу Германиевые Germanium (Ge), 32Кремниевые Silicium (Si), 14Арсенид-галлиевые

Классификация транзисторов по принципу действия биполярные полевые (униполярные)

Классификация транзисторов по частотеНЧ (<3 МГц)СрЧ (3 - 30 МГц)ВЧ и

Классификация транзисторов по мощности ММ (<0,3 Вт) маломощные транзисторы СрМ (0,3

Устройство и принцип действия биполярных транзисторов n-p-n p-n-pрnp

Действие биполярного транзистора (БТ) основано на использовании носителей зарядов обоих знаков:

p–n–p n–p–n

Режимы работы биполярного транзистора 1. активный режим «эмиттер-база» открыт, «коллектор-база» закрыт2.

ТиристорыТиристоры — полупроводниковые приборы с тремя (или более) р-n переходами, которые

Тиристоры

диодные тиристоры - динисторы триодные тиристоры - тиристоры

Динисторы применяются в виде бесконтактных переключательных устройств.

Принцип действия.Основные носители зарядов переходят из анода в базу 1, а

Триодные тиристоры можно включать при напряжениях, меньших напряжения включения динистора

Параметры тиристоров КУ208

Параметры тиристоров КУ203

Тиристор C106M1-MOT (4A/600V) TO126 [1722] Minimum order: 1Тиристор C106M1-MOT (4A/600V) TO126 [1722] Minimum

Штыревой кремниевый тиристор

Корейские ученые создали нанотранзисторТранзистор состоит из шести атомов углерода, помещенных между

CХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой.2. Схемы включения биполярных

1.Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой (ОБ)

2. Схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель)

3. Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером (ОЭ)

Сводная таблица параметров схем включения биполярных транзисторов

Полевые транзисторы

1.Назначение и классификация полевых транзисторов.2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, имеющий три электрода: исток, сток

1.Назначение и классификация полевых транзисторов.полевые транзисторы делятся на два вида:с управляющим

МДП – транзисторы делятся на два вида -с индуцированным каналом

2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом .

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Предельные режимы Параметр Величина UСИ МАКС, В 3.5 UЗИ МАКС, В

МДП - транзистор с индуцированным каналом

МНОП – транзистор с плавающим затвором М - металл, Н – сплав

Разработан полевой транзистором (FET) с двойным плавающим затвором на основе аморфного

Продукция Integra Technologies:-транзисторы для применения в диапазонах VHF/UHF (непрерывный режим) -транзисторы

Транзисторы на углеродных нанотрубкахоткроют эру производства дешевых электронных устройств - так

Похожие презентации

1.Назначение и классификация биполярных транзисторов.
2.Устройство и принцип действия биполярных транзисторов.
3.Тиристоры.

Классификация транзисторов по основному полупроводниковому материалу
Германиевые Germanium (Ge), 32
Кремниевые Silicium (Si), 14
Арсенид-галлиевые

Классификация транзисторов по принципу действия
биполярные
полевые (униполярные)

Классификация транзисторов по частоте
НЧ (<3 МГц)
СрЧ (3 - 30 МГц)
ВЧ и

Классификация транзисторов по мощности
ММ (<0,3 Вт) маломощные транзисторы
СрМ (0,3

Устройство и принцип действия биполярных транзисторов n-p-n p-n-p
р
n
p

p–n–p
n–p–n

Режимы работы биполярного транзистора
1. активный режим
«эмиттер-база» открыт, «коллектор-база» закрыт
2.

Тиристоры
Тиристоры — полупроводниковые приборы с тремя (или более) р-n переходами,
которые

диодные тиристоры - динисторы
триодные тиристоры - тиристоры

Принцип действия.
Основные носители зарядов переходят из анода в базу 1, а

Тиристор C106M1-MOT (4A/600V) TO126 [1722] Minimum order: 1
Тиристор C106M1-MOT (4A/600V) TO126 [1722] Minimum

Корейские ученые создали нанотранзистор
Транзистор состоит из шести атомов углерода, помещенных между

1. Схемы включения биполярных транзисторов с общей базой.
2. Схемы включения биполярных

1.Назначение и классификация полевых транзисторов.
2.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, имеющий три электрода:
исток, сток

1.Назначение и классификация полевых транзисторов.
полевые транзисторы делятся на два вида:
с управляющим

МДП – транзисторы делятся на два вида
-с индуцированным каналом

Предельные режимы
Параметр Величина
UСИ МАКС, В 3.5
UЗИ МАКС, В

Продукция Integra Technologies:
-транзисторы для применения в диапазонах VHF/UHF (непрерывный режим)
-транзисторы

Транзисторы на углеродных нанотрубках
откроют эру производства дешевых электронных устройств - так