Биполярные транзисторы

Сентябрь 3, 2022

Главная
Алгебра
Биполярные транзисторы

Содержание

2. Структура реального БТ Сильнолегированная область с меньшей площадью (n1+) называется эмиттером Область n2 - коллектором. Область
3. Схемы включения БТ с общим коллектором (ОК) с общей базой (ОБ) с общим эмиттером (ОЭ)
4. Режимы работы БТ В общем случае возможно четыре варианта полярностей напряжения переходов, определяющих четыре режима работы
5. В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном переходе действует прямое напряжение (напряжение эмиттер - база UЭБ),
6. Физические процессы в БТ.
7. Физические процессы в БТ. В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном переходе действует прямое напряжение UЭБ.
8. Физические процессы в БТ. Ток подходящих к коллекторному переходу дырок Относительные потери на рекомбинацию в базе
9. Физические процессы в БТ. Отношение дырочной составляющей коллекторного тока к полному току эмиттера называет статическим коэффициентом
11. Скачать презентацию

Слайд 2

Структура реального БТ
Сильнолегированная область с меньшей площадью (n1+) называется эмиттером
Область n2

- коллектором.
Область (p) называется базовой (или базой)

Слайд 3

Схемы включения БТ
с общим коллектором (ОК)
с общей базой (ОБ)
с общим

эмиттером (ОЭ)

Слайд 4

Режимы работы БТ
В общем случае возможно четыре варианта полярностей напряжения переходов,

определяющих четыре режима работы транзистора:
нормальный активный режим,
инверсный активный режим,
режим насыщения (или режим двухсторонней инжекции),
режим отсечки.

Слайд 5

В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном переходе действует прямое напряжение

(напряжение эмиттер - база UЭБ), а на коллекторном переходе - обратное (напряжение коллектор - база UКБ).
Если на коллекторный переход подать прямое напряжение UКБ, а на эмиттерный - обратное UЭБ, то такой режим работы называется инверсным активным режимом (ИАР).
Режим работы, когда напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах являются прямыми одновременно, называют режимом двухсторонней инжекции (РДИ) или режимом насыщения (РН)
Режим, когда на обоих переходах одновременно действуют обратные напряжения, называют режимом отсечки (РО), так как в этом случае через переходы протекают малые обратные токи.

Слайд 6

Физические процессы в БТ.

Слайд 7

Физические процессы в БТ.
В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном переходе

действует прямое напряжение UЭБ. Поэтому прямой ток перехода

где Iэр, Iэn - инжекционные токи дырок (из эмиттера в базу) и электронов (из базы в эмиттер), а Iэ рек - составляющая тока, вызванная рекомбинацией в переходе тех дырок и электронов, энергия которых недостаточна для преодоления потенциального барьера

Эффективность работы эмиттерного перехода учитывается коэффициентом инжекции эмиттера

Слайд 8

Физические процессы в БТ.
Ток подходящих к коллекторному переходу дырок
Относительные потери на

рекомбинацию в базе учитывают коэффициентом переноса:

Ток за коллекторным переходом:

Слайд 9

Физические процессы в БТ.
Отношение дырочной составляющей коллекторного тока к полному току

эмиттера называет статическим коэффициентом передачи тока эмиттера

Полный ток коллектора:

Обычно используемое выражение для статического коэффициента передачи тока

Биполярные транзисторы

Содержание

Структура реального БТСильнолегированная область с меньшей площадью (n1+) называется эмиттеромОбласть n2

Схемы включения БТс общим коллектором (ОК)с общей базой (ОБ) с общим

Режимы работы БТВ общем случае возможно четыре варианта полярностей напряжения переходов,

В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном переходе действует прямое напряжение

Физические процессы в БТ.

Физические процессы в БТ.В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном переходе

Физические процессы в БТ.Ток подходящих к коллекторному переходу дырокОтносительные потери на

Физические процессы в БТ.Отношение дырочной составляющей коллекторного тока к полному току

Похожие презентации