Статические характеристики биполярных транзисторов

Сентябрь 3, 2022

Главная
Алгебра
Статические характеристики биполярных транзисторов

Содержание

2. Схема с общей базой Семейство входных характеристик схемы с ОБ представляет собой зависимость IЭ = f(UЭБ)
3. Семейство выходных характеристик схемы с ОБ представляет собой зависимости IК = f(UКБ) при заданных значениях параметра
4. Схема с общим эмиттером Семейство входных характеристик схемы с ОЭ представляет собой зависимости IБ = f(UБЭ),
5. Схема с общим эмиттером Семейство выходных характеристик схемы с ОЭ представляет собой зависимости IК = f(UКЭ)
6. Влияние температуры на статические характеристики БТ Ток эмиттерного перехода в нормальном активном режиме Зависимость входных характеристик
7. Влияние температуры на статические характеристики БТ Влияние температуры на выходные характеристики схем с ОБ и ОЭ
8. Дифференциальные параметры биполярного транзистора Для введения системы h параметров в качестве независимых переменных при описании статического
9. Дифференциальные параметры биполярного транзистора Для схемы с общей базой dUЭБ=h11Б d IЭ +h12Б dUКБ dIК=h21Б dIЭ
10. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора Эквивалентна схема БТ в системе Н-параметров
11. Эквивалентная схема БТ при включении его с ОБ RЭ=dU/dI≈ϕT/IЭ где IЭ- постоянная составляющая тока эмиттера. При
13. Скачать презентацию

Слайд 2

Схема с общей базой
Семейство входных характеристик схемы с ОБ представляет собой

зависимость IЭ = f(UЭБ) при фиксированных значениях параметра UКБ - напряжения на коллекторном переходе

Слайд 3

Семейство выходных характеристик схемы с ОБ представляет собой зависимости IК =

f(UКБ) при заданных значениях параметра IЭ

Схема с общей базой

Слайд 4

Схема с общим эмиттером
Семейство входных характеристик схемы с ОЭ представляет собой

зависимости IБ = f(UБЭ), причем фиксированным параметром является напряжение UКЭ

Слайд 5

Схема с общим эмиттером
Семейство выходных характеристик схемы с ОЭ представляет собой

зависимости IК = f(UКЭ) при заданном параметре IБ

Слайд 6

Влияние температуры на статические характеристики БТ
Ток эмиттерного перехода в нормальном активном

режиме

Зависимость входных характеристик от температуры для схем ОБ и ОЭ.

Слайд 7

Влияние температуры на статические характеристики БТ
Влияние температуры на выходные характеристики схем

с ОБ и ОЭ в НАР

Зависимость выходных характеристик БТ от температуры для схем включения с ОБ и ОЭ

Слайд 8

Дифференциальные параметры биполярного транзистора
Для введения системы h параметров в качестве

независимых переменных при описании статического режима берут входной ток IВХ (IЭ или IБ) и выходное напряжение UВЫХ (UKБ или (UКЭ):
U1= f (I1,U2)
I2= f (I1,U2)

dU1=h11 d I1 +h12 dU2
dI2=h21 dI1 + h22 dU2

h11 -входное сопротивление,
h12 -коэффициент обратной передачи,
h21 -коэффициент передачи входного тока
h22 -выходная проводимость

Слайд 9

Дифференциальные параметры биполярного транзистора
Для схемы с общей базой
dUЭБ=h11Б d IЭ

+h12Б dUКБ
dIК=h21Б dIЭ + h22Б dUКБ

Для схемы с общим эмиттером
dUБЭ=h11Э d IБ +h12Э dUКЭ
dIК=h21Э dIБ + h22Э dUКЭ

Слайд 10

Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
Эквивалентна схема БТ в системе Н-параметров

Слайд 11

Эквивалентная схема БТ при включении его с ОБ
RЭ=dU/dI≈ϕT/IЭ
где IЭ- постоянная составляющая

тока эмиттера. При комнатной температуре ϕт = 0,026 В, то при IЭ = 1 мА RЭ = 26 Ом.

r⏐ББ=h12/h22