Диод Шоттки

Слайд 2

Диод Шоттки

Диод Шоттки

Слайд 3

ВАХ диода Шоттки

ВАХ диода Шоттки

Слайд 4

ДШ характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало),

ДШ характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало),

а значит и высоким быстродействием. Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстродействие получается достаточно высоким: граничная частота fгр = 1010 Гц.
Слайд 5

Расчёт ВАХ (7.15) (7.16) (7.17) (7.18) (7.19)

Расчёт ВАХ

(7.15)

(7.16)

(7.17)

(7.18)

(7.19)

Слайд 6

Расчет ВАХ (продолжение) (7.20) (7.21) (7.22) (7.23) (7.24)

Расчет ВАХ (продолжение)

(7.20)

(7.21)

(7.22)

(7.23)

(7.24)

Слайд 7

Расчет ВАХ (окончание) (7.25) (7.26) (7.27) (7.28)

Расчет ВАХ (окончание)

(7.25)

(7.26)

(7.27)

(7.28)

Слайд 8

ВАХ p-n-перехода

ВАХ p-n-перехода

Слайд 9

ВАХ p-n переходов при различных температурах Ge Si

ВАХ p-n переходов при различных температурах

Ge

Si

Слайд 10

Контакт сильнолегированных полупроводников

Контакт сильнолегированных полупроводников

Слайд 11

Туннелирование носителей заряда сквозь узкий барьер

Туннелирование носителей заряда сквозь узкий барьер