Содержание
- 2. Современные электронные устройства разрабатываются на основе полупроводниковых материалов (ППМ)
- 3. Примесные полупроводники При добавлении в четырехвалентный полупроводник (Si) пятивалентного элемента (фосфор Р) в структуре примесного полупроводника
- 4. Примесные полупроводники При добавлении в четырехвалентный полупроводник (Si) трехвалентного элемента (индий In) в структуре примесного полупроводника
- 6. р-n переход под воздействием внешнего напряжения Е φ Δφ х р - типа n - типа
- 7. р-n переход под воздействием внешнего напряжения Е φ Δφ х р - типа n - типа
- 8. Контактные явления на границе полупроводника и диэлектрика ϕSi(n) = 4,8 В; ϕSiO2 = 4,4 В Потенциалы
- 9. Контактные явления на границе полупроводника и диэлектрика Потенциалы выхода электронов: ϕSi(р) = 4,8 В; ϕSiO2 =
- 10. Контактные явления на границе полупроводника и металла Если потенциал выхода для металла ϕм меньше потенциала выхода
- 11. Контактные явления на границе полупроводника и металла Если потенциал выхода для металла ϕм больше потенциала выхода
- 12. Полупроводниковые диоды
- 13. Полупроводниковые диоды (ППД) Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор, использующий свойство односторонней проводимости р-n перехода. Классификация
- 14. Кремниевые диоды Особенности конструкции На каждой стороне диода имплантируются примеси (бор на стороне анода, мышьяк или
- 15. Германиевые диоды Германиевые диоды изготавливаются аналогично кремниевым диодам. В германиевых диодах также используется p-n-переход и имплантируются
- 16. Арсенидгаливые диоды Отличаются в несколько раз меньшими массогабаритными показателями, так как позволяют работать из-за повышенной ширины
- 17. То́чечный дио́д Особенности конструкции полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате
- 18. Плоскостные диоды Особенности конструкции имеют плоский электрический переход, линейные размеры которого, определяющие его площадь, значительно больше
- 19. Диффузионные диоды Особенности конструкции Переход создается посредством диффузии примеси, находящейся в газообразной, жидкой или твердой фазах,
- 20. диоды Шоттки Особенности конструкции в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, используется переход металл-полупроводник,
- 21. Туннельный диод Особенности конструкции В материале диода имеются присадки в гораздо большем объеме, нежели в обычном
- 22. Излучающий диод работающий в видимом диапазоне волн, часто называют светоизлучающим, или светодиодом. Излучение возникает при протекании
- 23. Фотодиоды Принцип работы основан на воздействии оптического излучения. В результате, материал изменяет свои качества, что позволяет
- 24. Выпрямительные диоды U .доп o o
- 25. Классификация выпрямительных диодов По мощности Маломощные (Iпр ≤ 0,3 А) Средней мощности (0,3 Большой мощности (
- 26. Импульсные диоды Характеристика: диод имеющий малую длительность переходных процессов и являющийся составной частью импульсной схемы, работающей
- 27. Стабилитроны Это диоды (опорные диоды), предназначенные для стабилизации постоянного напряжения. В стабилитроне используется явление неразрушающего электрического
- 29. Скачать презентацию