Формирование карманов КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник) интегральных схем. (Лекция 5)

Карманы в КМОП структуре

[ 1 ]

Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния
(N в

Самосовмещение охранных областей при формировании ретроградного кармана
1018 1017

Ионная имплантация бора

Инверсный

Карманы в КМОП структуре

[ 1 ]

В случае двух карманов охранные области

КМОП структура с тремя карманами

[ 3 ]

Дополнительные распределения примеси в диффузионном кармане

Диффузионный карман

Подгонка порогового напряжения

Предотвращение
смыкания ОПЗ

[

Зависимость подвижности носителей от температуры и электрического поля

Влияние концентрации примеси и температуры на подвижность носителей

Различные виды распределения примеси в кармане

[ 4 ]

Карман с ретроградным распределением примеси

Концентрация

Глубина, мкм

[ 4 ]

Зависимость подвижности носителей от концентрации примеси и величины электрического поля

ВАХ рМОП транзистора для карманов разного типа

[ 6 ]

1 – ретроградный

Зависимость тока утечки от длины канала

Зависимость длины канала, определяемой током утечки, от порогового напряжения

( : )

Ток

Эффект «защелкивания» в КМОП структуре

[ 5 ]

Зависимость порогового напряжения МОПТ от концентрации примеси

Поликремниевый n+ затвор

[ 4 ]

Уровень

Зависимость пороговых напряжений МОПТ от дозы легирования

Доза фосфора, имплантированного в n-карман

[

Дополнительное легирование кармана

[ 4 ]

Подгонка порогового напряжения

Формирование охранной области от смыкания

Влияние дозы ионной имплантации примеси на напряжение смыкания ОПЗ истока-стока

[ 7

Зависимость уровня легирования области для предотвращения смыкания ОПЗ от технологического

Суперкрутой профиль распределения индия в р-кармане

Высокая подвижность
Большой ток насыщения

Предотвращение смыкания ОПЗ

Концентрация

Глубина

[

Функции отдельных областей кармана п-типа

Контроль порогового напряжения
Контроль толщины канала
Емкость исток-сток

Контроль
горячих