Формирование областей исток-сток МОПТ. (Лекция 9)

Структура областей исток-сток наноразмерного МОПТ

[ 1 ]

Эффект образования горячих носителей

[ 2 ]

Причины и следствия образования горячих носителей
Lк Nп Xопз E УИ

Механизм образования ловушек для горячих носителей

[ 1 ]

Влияние горячих носителей на ВАХ МОПТ

Стресс

до

после

[ 1 ]

LDD структура стока

Затвор

Спейсер

Подзатворный окисел

Сток

[ 2 ]

[ 2 ]

Расстояние от поверхности, мкм

Влияние LDD структуры на распределение электрического

Влияние дозы имплантации примеси для LDD на время жизни и ток

[ 2 ]

Маршрут формирования МОПТ с LDD структурой

[ 3 ]

Изменение глубины LDD структуры от технологического уровня

Зависимость тока насыщения МОПТ от длины канала и уровня легирования LDD

LDD

[ 3 ]

Влияние перекрытия LDD структуры электродом затвора на ток насыщения

Факторы, влияющие на величину сопротивления LDD стока МОПТ

[ 2 ]

Эффект обеднения LDD - структуры

[ 2 ]

Обеднение области п-типа

Отрицательный заряд

Конструктивные варианты LDD структуры

[ 2 ]

Градиентно-скрытый LDD

Скрытый LDD

Поверхностный LDD

Зависимость степени деградации крутизны МОПТ от времени испытания для различных LDD

[

Маршрут изготовления градиентно-профильной LDD структуры

[ 2 ]

Иония имплантация мышьяка (

Маршрут формирования LDD КМОП ИС с двумя карманами

[ 2 ]

Влияние концентрации примеси и температуры на подвижность носителей

Гало-области МОПТ

[ 2 ]

Маршрут формирования МОПТ
с локальной гало-областью

МОПТ с гало-областью

Влияние режимов формирования гало-области на изменение порогового напряжения МОПТ

[ 1 ]

[ 1 ]

Влияние гало-области на напряжение смыкания ОПЗ исток-сток

Влияние режима формирования гало-области на подпороговый ток МОПТ

[ 1 ]