Содержание
- 2. СТРУКТУРА ДОКЛАДА Методы анализа поверхности: - Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС), Оже-спектроскопия; - Рентгеновская фотоэлектронная дифракция (РФД),
- 3. Что мы называем поверхностью?
- 4. Методы исследования поверхности Состав, электронная структура, химическая связь Топология, атомная структура Спектроскопия (РФЭС, ЭОС) Дифракция (РФД,
- 5. ЦКП “Электронная спектроскопия поверхности и СТМ-микроскопия поверхности” ИХТТ УрО РАН
- 6. Электронный спектрометр ESCALAB MK II + СТМ-микроскоп VT Omicron РФЭС УР ЭОС РФД ВИМС СТМ осаждение
- 7. образец Рентгеновская трубка ESCALAB MK II РФЭС УР - эксперимент Энергия связи, эВ
- 8. образец Рентгеновская трубка ESCALAB MK II РФД Nb3d РФД-эксперимент θ φ
- 9. Угловая зависимость Nb3d-линии поверхности Nb(110) → 2π-картина χ = (I-I0)/I0
- 10. Фотоэлектронная дифракция: угловое разрешение R. C. White, C. S. Fadley, and R. Trehan, J. Electron Spectrosc.
- 11. Спектрометр Theta Probe (Termo Scientific)
- 12. Держатели образцов, используемые для РФЭС УР- и РФД-экспериментов: организуется вращение образцов по азимутальному (ϕ) и полярному
- 13. РФД со сканированием по углу моделирование рассеивающего кластера в приближении одно или многократного рассеяния сферичес- ких
- 14. X-ray Прямое рассеяние направления на соседние атомы дифракция расстояния до соседних атомов Рентгеновская Фотоэлектронная Дифракция где
- 15. РФД: рассеяние фотоэлектронов на соседних атомах. Зависимость амплитуды и фазы рассеяния электрона от угла, кинетической энергии
- 16. РФД: рассеяние фотоэлектронов на соседних атомах. Эффект фокусировки в расчетах однократного рассеяния электронов S.D. Ruebush et.al.
- 17. Фотоэлектронная дифракция: зависимость РФД-эффектов от орбитального углового момента электрона T. Greber, J. Osterwalder, D. Naumovic, et
- 18. Области применения Фотоэлектронная Дифракции Ориентация физсорбированных молекул на поверхности часто достаточен анализ в приближении “in forward
- 19. РФЭС и РФД анализ адсорбции N2 на Ti(0001) РФЭС-анализ адсорбции N2 на Ti(0001) при Т=300 К:
- 20. РФД-анализ “поверхностных химических сдвигов” на поверхности монокристаллов Фотоэлектронный спектр W 4f7/2 поверхности W(1 1 0) (Екин.
- 21. Экспериментальные РФД-картины W4f-эмиссии от объема (а) и поверхностного W-слоя, связанного с кислородом (б). РФД-картина O1s- эмиссии
- 22. РФЭС- и РФД-исследование чистой поверхности Nb(110) Показано, что изменения межслоевого расстояния поверхностных слоев грани Nb(110) не
- 23. Поверхность NbOx/Nb(110) Энергия связи, эВ Обзорный спектр структуры NbOx/Nb(110)
- 24. Оценка химического сдвига от состава в РФЭС спектрах оксидов ниобия РФЭС Nb3d аттестованных оксидов ниобия: NbO,NbO2,
- 25. Рентгеновская фотоэлектронная дифракция на поверхности NbOx/Nb(110) Эксперимент Теоретический расчет Анализ азимутальной угловой зависимости O1s-линии NbI NbII
- 26. Оксидные структуру NbO-типа на поверхности Nb(110): СТМ-изображения Регулярные структуры NbOx на Nb(110) Профиль вдоль направления А-А
- 27. Фурье-анализ поверхности NbOx/Nb(110) Фурье-анализ СТМ изображения Атомная модель поверхности NbOx/Nb(110) a = 12.7 Å; b =
- 28. Теоретическое моделировани РФД Используемый в расчетах кластер Nb(110) 2p-картина O1s- электронов Модель Модель 2p-картина O1s- электронов
- 29. СТМ-изображение NbOx/Nb(110) Квазиупорядоченные NbOx-структуры на Nb(110) Модель NbOx/Nb(110) Фотоэлектронная дифракция поверхности NbOx/Nb(110) Эксперимент XPD Nb3d ssc-sw
- 30. Области применения Фотоэлектронная Дифракции Структура эпитаксиальных пленок. Mонослой FeO на Pt(111). Y.J.Kim et. al. Surf. Sci.,
- 31. Области применения Фотоэлектронная Дифракции Структура упорядоченных нанокластеров на поверхности. Упорядоченные молекулы C60 на Cu(111). a) СТМ-изображения
- 32. Фотоэлектронная голография – реконструкция структуры ближайшего окружения эмиттера в реальном пространстве Голографическая функция Теорема Гемгольца-Кирхгофа с(2×2)S/Ni(001)
- 33. Трехмерное изображение поверхности Cu(001), полученное методом дифференциальной фотоэлектронной голографии Используется слабая зависимость интенсивного пика прямого рассеяния
- 35. РФД со сканированием по углу моделирование рассеивающего кластера в приближении одно или многократного рассеяния сферичес- ких
- 36. Эксперимент тороидальный электронный спектрометр Bessy II Моделирование Electron Diffraction in Atomic Clusters (EDAC)
- 37. ESCALAB MK II + STM Omicron
- 38. СТМ-изображения атомной структуры поверхности TiSe2 i-const z-const
- 39. Сканирующая туннельная микроскопия поверхности TiSi2 a ~ 3.6 A
- 40. Атомная топология поверхности TiSe2 Se
- 41. Типы исследованных атомных дефектов 1Т-TiS2 и рассчитанные энергии их формирования (Edf, эВ/атом), DFTB-расчеты I- идеальный (бездефектный)
- 42. ОМА2009, 10-16 сентября 2009 г. DFTB-расчеты топологии поверхности дихалькогенида 1T -TiS2 с различными дефектами упаковки
- 43. Сканирующая туннельная микроскопия поверхности TiS2 TiS2 a=3.41 A вакансия Ti вакансия S
- 44. Сканирующая туннельная микроскопия поверхности TiS2 S-вакансия Ti-вакансия
- 45. Сканирующая туннельная микроскопия поверхности TiTe2
- 46. Поверхность монокристалла Nb(110). СТМ-микроскопия Топология чистой поверхности монокристалла Nb(110) Профиль вдоль направления А-А
- 47. Толщина NbOx-слоя на Nb(110), модель island-on-plane Оцененная толщина NbO-слоя d≈0.5 нм при степени покрытия Q –
- 48. СКАНИРУЮЩАЯ ТУНЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ (СТМ)
- 49. СКАНИРУЮЩАЯ ТУНЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ (СТМ) подготовка W-иглы отжигом в вакууме e-пучком
- 50. РФЭС, РФД и СТМ - методы анализа состава и структуры поверхности твердых тел Шаговое вращение по
- 51. Возможности методов EXAFS, РФД и ДМЭ при изучении структуры твердых тел
- 52. Рентгеновская Фотоэлектронная Дифракция (РФД): рассеяние фотоэлектронов на соседних атомах Вариант s-оболочки с начальным s (li=0) и
- 53. РФЭС+РФД поверхности Ti(0001) при диссоциативной хемосорбции газов O2 NO, CO Ti(0001)
- 54. РФД: рассеяние фотоэлектронов на соседних атомах. Приближение “in forward direction” Расчет суммарная РФД-картина для 7-слойного кластера,
- 55. Области применения Фотоэлектронная Дифракции Спин-поляризованная фотоэлектронная дифракция для изучения локальной магнитной структуры. B. Sinkovic, B. Hermsmeier,
- 57. Скачать презентацию