Содержание
- 2. Изменение толщины подзатворного окисла с уменьшением размеров элементов ( 1 )
- 3. ВАХ подзатворного диэлектрика ( 1 )
- 4. Токи через диэлектрик Плотность тока Напряжение на затворе, В Токи утечки Туннельный ток ( 2 )
- 5. Граница применимости окисла кремния в качестве подзатворного диэлектрика АЛТЕРНАТИВНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК ( 1 )
- 6. Эквивалентная толщина диэлектрика Тэ = Tд х кок/кд Тэ - эквивалентная толщина диэлектрика (по оксиду кремния)
- 7. Влияние диэлектрической проницаемости на физическую толщину диэлектрика ( 3 )
- 8. Влияние проницаемости high-k диэлектриков на эквивалентную и физическую толщины Толщина промежуточного окисла 1 моносой ( 3
- 9. High – k диэлектрики ( 4 )
- 10. Уменьшение подвижности носителей в канале в МОПТ с high-k диэлектриками ( 4 )
- 11. Зависимость подвижности электронов от толщины промежуточного окисла Толщина промежуточного окисла, нм Подвижность ( 4 )
- 12. Влияние промежуточного слоя окисла на необходимые параметры high-k диэлектрика Эквивалентная толщина 1 нм ( 3 )
- 13. Зависимость подвижности в канале МОПТ от эквивалентной толщины подзатворных диэлектриков с промежуточным окислом ( 5 )
- 14. Проницаемость диэлектриков в зависимости от ширины запрещенной зоны Диэлектрическая проницаемость ( 5 )
- 15. Влияние ширины запрещенной зоны и проницаемости на токи утечки для различных эквивалентных толщин ЕОТ ( ангстремы
- 16. Влияние краевых эффектов на максимальную толщину high-k диэлектриков ( 6 )
- 17. Влияние проницаемости диэлектрика на пороговое напряжение и DIBL- эффект Диэлектрическая проницаемость Пороговое напряжение, В ( 6
- 18. Влияние диэлектрической проницаемости на поле стока в канале МОПТ ( 3 )
- 19. Изменение порогового напряжения при использовании диэлектриков с различной проницаемостью Ток, стока мА Напряжение на затворе, В
- 20. Диапазон оптимальной проницаемости диэлектрика в зависимости от толщины промежуточного оксида Диэлектрическая проницаемость Толщина промежуточного окисла, ангстремы
- 21. Значения работы выхода для металлов ( 3 )
- 22. Проблемы формирования МОПТ с high-k диэлектриком и металлическим затвором Ограничение высокотемпературных процессов Уменьшение токов утечки Ограничение
- 23. Микрофотография структуры с high – k диэлектриком ( 4 )
- 25. Скачать презентацию