Материалы электронной техники

Сентябрь 14, 2022

Главная
Алгебра
Материалы электронной техники

Содержание

5. Точеные дефекты
6. Простейшие виды дислокаций – краевые и винтовые Рис. 2.2. Краевая дислокация (а) и механизм ее образования
7. Рис. 2.4. Механизм образования винтовой дислокации Плотность дислокаций в кристалле определяется как среднее число линий дислокаций,
8. Рис.3.1. Изменение свободной энергии в зависимости от температуры Рис.3.2. Кривая охлаждения чистого металла Рис.3.3. Зависимость энергии
9. Рис.3.4. Модель процесса кристаллизации Рис. 3.5. Кинетическая кривая процесса кристаллизации
10. Рис. 3.6. Зависимость числа центров кристаллизации (а) и скорости роста кристаллов (б) от степени переохлаждения Рис.
11. Физическая природа электропроводности металлов (1) где d –плотность материала; А – атомная масса; N0 – число
13. λт=(1 /2)kn (9) λт/=3k2e-2T=L0T L0=λт /(σT) =(π2/3)(k/e)2= 2,45 10-8 B2K-2 CV=Cреш+Се=3R+(3/2)kN0=(9/2)R Электрохимический потенциал ρт -тепловой фактор
14. Рис. 4.1. Схема микроструктуры механической смеси Рис. 4.2. Кристаллическая решетка химического соединения Рис.4.3. Схема микроструктуры твердого
15. Рис. 4.5. Диаграмма состояния Рис.5.1 Диаграмма состояния сплавов с неограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии (а);
16. Рис. 5.4. Схема микроструктур сплавов: а – доэвтектического, б – эвтектического, в – заэвтектического Рис. 5.5
17. Рис. 5.8. Связь между свойствами сплавов и типом диаграммы состояния Электрические свойства металлических сплавов
18. (3.3) (3.4) ρост = С·ХВ, Ф = L·i , JX(z) = J0exp(-z/Δ), J = γ·E. SЭ
19. RS = ρ/Δ, 1/lδ = 1/l + 1/lS, ( 3.5) для δ/lδ > 1 для δ/lδ
20. TKR = ТКρ – TKl. (3.6) U = αТ(Т2–Т1),
22. Скачать презентацию

Слайд 2

Слайд 3

Слайд 4

Слайд 5

Точеные дефекты

Слайд 6

Простейшие виды дислокаций – краевые и винтовые
Рис. 2.2. Краевая дислокация (а)

и механизм ее образования (б)

Рис. 2.3. Искажения в кристаллической решетке при наличии краевой дислокации

Слайд 7

Рис. 2.4. Механизм образования винтовой дислокации
Плотность дислокаций в кристалле
определяется как

среднее число линий дислокаций,
пересекающих внутри тела площадку площадью 1 м2,
или как суммарная длина линий дислокаций в объеме 1 м3

(см-2; м-2)

Рис. 2.6. Разориентация
зерен и блоков в металле

Слайд 8

Рис.3.1. Изменение свободной энергии в
зависимости от температуры
Рис.3.2. Кривая охлаждения чистого

металла

Рис.3.3. Зависимость энергии системы от размера зародыша твердой фазы

Слайд 9

Рис.3.4. Модель процесса кристаллизации
Рис. 3.5. Кинетическая кривая процесса кристаллизации

Слайд 10

Рис. 3.6. Зависимость числа центров кристаллизации (а) и скорости роста кристаллов

(б) от степени переохлаждения

Рис. 3.7. Схема стального слитка Слиток состоит из трех зон:
мелкокристаллическая корковая зона; зона столбчатых кристаллов;
внутренняя зона крупных равноосных кристаллов.

Рис.3.8. Схема дендрита по Чернову Д.К

Слайд 11

Физическая природа электропроводности металлов
(1)
где d –плотность материала; А – атомная масса;

N0 – число Авогадро, N0 = 6,022045∙1023

(2)

где − средняя скорость теплового движения; k – постоянная Больцмана, m − масса свободного электрона.

j = env, (3)

где v − средняя скорость направленного движения носителей заряда (скорость дрейфа), e − заряд электрона.

≫ v.

α = eE/m, (4)

vмах = ατ0, (5)

≫ v

τ0 = l/

j=e2nlE/m

, (7)

, (8)

, (9)

(10)

Слайд 12

Слайд 13

λт=(1 /2)kn
(9)

λт/=3k2e-2T=L0T
L0=λт /(σT) =(π2/3)(k/e)2= 2,45 10-8 B2K-2
CV=Cреш+Се=3R+(3/2)kN0=(9/2)R

Электрохимический
потенциал
ρт
-тепловой фактор

β=ρ300 /ρ4,2 (16)

Слайд 14

Рис. 4.1. Схема микроструктуры
механической смеси
Рис. 4.2. Кристаллическая
решетка химического соединения
Рис.4.3.

Схема микроструктуры
твердого раствора

Рис.4.4. Кристаллическая решетка
твердых растворов замещения (а),
внедрения (б)

Слайд 15

Рис. 4.5. Диаграмма состояния
Рис.5.1 Диаграмма состояния сплавов с неограниченной растворимостью компонентов

в твердом состоянии (а); кривые охлаждения типичных сплавов (б)

Рис. 5.2. Схема микроструктуры сплава
– однородного твердого раствора

Рис. 5.3. Диаграмма
состояния
сплавов с отсутствием
растворимости
компонентов в твердом
состоянии (а) и кривые

Слайд 16

Рис. 5.4. Схема микроструктур сплавов: а – доэвтектического, б – эвтектического,

в – заэвтектического

Рис. 5.5 Диаграмма состояния сплавов с ограниченной растворимостью
компонентов в твердом состоянии (а) и кривые охлаждения типичных сплавов (б)

Рис. 5.6. Диаграмма состояния сплавов, компоненты которых образуют химические соединения

Рис. 5.7. Диаграмма состояния сплавов, испытывающих фазовые превращения в твердом состоянии (а) и кривая охлаждения сплава (б)

Слайд 17

Рис. 5.8. Связь между свойствами сплавов и типом диаграммы состояния
Электрические свойства

металлических сплавов

Слайд 18

(3.3)
(3.4)
ρост = С·ХВ,
Ф = L·i ,
JX(z) = J0exp(-z/Δ),
J = γ·E.

SЭ = ПΔ = πdΔ.

Слайд 19

RS = ρ/Δ,
1/lδ = 1/l + 1/lS,
( 3.5)
для δ/lδ >

для δ/lδ << 1

R□ = ρδ / δ

R = R□·l0/d0,

λ/γ = L0/T,

L0 = (π·k)2/(3·е2).

Слайд 20

Материалы электронной техники

Содержание

Точеные дефекты

Простейшие виды дислокаций – краевые и винтовыеРис. 2.2. Краевая дислокация (а)

Рис. 2.4. Механизм образования винтовой дислокацииПлотность дислокаций в кристалле определяется как

Рис.3.1. Изменение свободной энергии в зависимости от температурыРис.3.2. Кривая охлаждения чистого

Рис.3.4. Модель процесса кристаллизацииРис. 3.5. Кинетическая кривая процесса кристаллизации

Рис. 3.6. Зависимость числа центров кристаллизации (а) и скорости роста кристаллов

Физическая природа электропроводности металлов(1) где d –плотность материала; А – атомная масса;

λт=(1 /2)kn (9) λт/=3k2e-2T=L0TL0=λт /(σT) =(π2/3)(k/e)2= 2,45 10-8 B2K-2CV=Cреш+Се=3R+(3/2)kN0=(9/2)R Электрохимическийпотенциалρт-тепловой фактор β=ρ300 /ρ4,2 (16)

Рис. 4.1. Схема микроструктуры механической смесиРис. 4.2. Кристаллическая решетка химического соединенияРис.4.3.

Рис. 4.5. Диаграмма состоянияРис.5.1 Диаграмма состояния сплавов с неограниченной растворимостью компонентов

Рис. 5.4. Схема микроструктур сплавов: а – доэвтектического, б – эвтектического,

Рис. 5.8. Связь между свойствами сплавов и типом диаграммы состоянияЭлектрические свойства

(3.3)(3.4) ρост = С·ХВ,Ф = L·i ,JX(z) = J0exp(-z/Δ),J = γ·E.

RS = ρ/Δ,1/lδ = 1/l + 1/lS,( 3.5)для δ/lδ >

TKR = ТКρ – TKl. (3.6)U = αТ(Т2–Т1),

Похожие презентации