Содержание
- 2. Мемристорная электроника
- 3. Микропроцессоры сейчас быстро приближаются к технологическим пределам своей производительности. Поэтому в последние годы идет активный поиск
- 4. Мемристор и его свойства Мемристор (от memori — память и resistor — сопротивление) представляет собой пассивный
- 5. Существование мемристора было теоретически предсказано американским исследователем Чуа в 1971 году [1]. Он выдвинул и математически
- 6. Существует известное соотношение между величиной резистора R, напряжением на нем U и силой тока I, протекающего
- 7. Соотношения между фундаментальными электрическими величинами
- 8. Таким образом, введен четвертый пассивный элемент электрических схем ≪индуктоконденсатор≫, величина которого определяется значением мемрезистивности М. Если
- 9. Зависимость тока на мемристоре от переменного напряжения имеет вид гистерезисной кривой, характерной для магнитных структур (рис.).
- 10. С увеличением частоты гистерезис приближается к наклонной прямой, и его характеристика становится близка к характеристике резистора.
- 11. Применение мемристоров в наноэлектронике позволит перейти от использования трехконтактных транзисторов к двухконтактным мемристорам. При этом ожидаются
- 12. Мемристоры лишены этих недостатков. Время хранения информации ограничено лишь химическими процессами деградации материала, продолжительность которых составляет
- 13. На основе мемристоров возможно создание принципиаль-но нового типа логических элементов, например, двухвы-водных ячеек, способных менять структуру
- 14. Напомним, в основном, сегодняшние устройства компьютерной памяти для хранения информация работают на двух основных принципах. На
- 15. Конструктивно мемристоры состоят из тонкой 50-нм плёнки, состоящей из двух слоёв - изолирующего диоксида титана и
- 16. В качестве основного материала первого слоя кристаллической структуры мемристора используется диоксид титана TiO2. В качестве легирующего
- 17. Смесь Ti+TiO2 и создает слой обедненный кислородом. В кристаллической структуре создаются ионы титана со свободными электронными
- 18. Принцип действия мемристора
- 19. Мемристорный переключатель: а – микрофотография наноцепи, полученная атомно-силовым микроскопом; б – идеализированная вольт-амперная характеристика
- 20. В последние годы был предложен ряд альтернативных материалов для использования в качестве активного слоя мемристора. Эффект
- 21. Поэтому в качестве основы мемристорных электронных устройств чаще всего используют структуры металл-диэлектрик-металл, легко интегрируемые в кремниевую
- 22. Одним из подходов улучшения функциональных свойств мемристоров на основе оксидов переходных металлов (TiO2, HfO2, ZrO2) является
- 23. Кроссбар-архитектура Кроссбар представляет собой набор параллельных нанопроволок, пересекающихся под прямым углом с аналогичным набором нанопроволок. Между
- 24. Фрагмент кроссбар-архитектуры
- 25. Регулярная структура изпересекающихся нанопроволок делает изготовление кроссбар-устройства более технологичным, чем, например, получение процессора или схемы памяти
- 26. Кроссбар-архитектура нашла развитие и в нанопроволочной электронике. На окисленной кремниевой подложке выкладывают первый слой параллельных друг
- 27. Процесс выстраивания нанопроволок и формирование кроссбар-архитектуры (а), образование светодиодных структур и их зонная диаграмма (б)
- 28. На основе кроссбаров с мемристорами можно построить полноценный процессор. Кроссбары обеспечивают высокую плотность размещения логических вентилей
- 30. Наноэлектронные устройства памяти В наноэлектронных устройствах памяти важно не только предельно миниатюризировать бит информации, но и
- 31. Запись в полимерный носитель осуществляется щупом высокодопированного кремниевого кантилевера путем локального разогрева. Нагретые иглы выдавливают в
- 32. Процесс считывания информации
- 33. Информация записывается на тонкой органической пленке полиметилметакрилата. Матрица записи/считывания содержит 4096 кантилеверов общим размером 6,3х 6,3
- 34. В процессе записи/считывания привод кремниевого ≪стола≫, на котором размещена пленка с данными, позиционирует ее в плоскости
- 35. В американском Университете Райса разрабатывают элементы памяти не из диоксида титана, а из гораздо более дешёвого
- 37. Чтобы эффективно использовать свойства мемристоров, необходимо включить их в состав электрической цепи с активными элементами. В
- 38. Компьютеры на мемристорах Уже изученные свойства мемристоров позволяют говорить о том, что на их основе можно
- 39. В мемристорном компьютере параллельно и независимо друг от друга работают множество модулей, а возможность запоминать и
- 40. Мемристорный компьютер не надо будет "загружать": сразу после включения он будет готов продолжить работу, причём с
- 41. В апреле 2010 года в HP объявили о существенном прогрессе в исследованиях мемристоров: в лабораториях компании
- 42. По недавним подсчётам, чтобы построить модель коры мозга человека из современных компьютерных комплектующих, потребуется как минимум
- 43. Мемристор в гибридных аналогово-цифровых схемах Искусственные нейронные сети, которые в настоящий момент активно разрабатываются, имеют гибридную
- 44. Характеристики наномерного мемристора и его использование в качестве синапса. (a) Концептуальная схема использования мемристора в качестве
- 45. При современном уровне развития мемристоров функциональный элемент имеет стандартные латеральные размеры 100 нм х 100 нм
- 51. Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти. В 2012 был обнародован
- 53. Скачать презентацию