Содержание
- 2. информацию можно кодировать спинами электронов Спин электрона проводимости не взаимодействует с электрическим полем. Это обеспечивает малые
- 3. Элемент, управляющий поляризацией спина проходящих электронов Элемент представляет собой модифицированный туннельный контакт с ферромагнитным металлом, который
- 4. искать возможности управления спинами нужно именно на стыке материалов с большими электрической и магнитной восприимчивостями. Более
- 5. Перспективы наноспитроники Основы наноспинтроники I) многослойные системы и наноструктуры на основе металлов, находящие применение в сфере
- 6. Визуализация спиновых структур атомарного масштаба Методика: Спинполяризованная сканирующая туннельная микроскопия - Сочетание выдающейся разрешающей способности сканирующей
- 7. Отдельные адатомы кобальта на ступенчатой платиновой (111) подложке с монослойными полосами кобальта по граням ступеней. Топограмма,
- 9. Скачать презентацию
информацию можно кодировать спинами электронов
Спин электрона проводимости не взаимодействует с электрическим
информацию можно кодировать спинами электронов
Спин электрона проводимости не взаимодействует с электрическим
Элемент, управляющий поляризацией спина проходящих электронов
Элемент представляет собой модифицированный туннельный контакт
Элемент, управляющий поляризацией спина проходящих электронов
Элемент представляет собой модифицированный туннельный контакт
Устройство, в котором поляризация спинового тока через туннельный переход управляется электрическим полем.
Схема устройства
Электрическое поле (~1В) прикладывается к тонкому слою (1 нм) сегнетоэлектрического материала – титаната бария, который и служит диэлектриком, образующим туннельный переход. Поляризация титаната бария управляется приложенным электрическим полем. На спин инжектируемого электрона электрическая поляризация диэлектрического слоя непосредственно не влияет, но, по-видимому, как-то взаимодействует с электронами в ферромагнитном металле, являющегося эмиттером туннельного тока. Поляризация туннельного тока детектируется по туннельному магнитосопротивлению. Авторы считают, что ключевым в обнаруженном эффекте является взаимодействие сегнетоэлектрика и ферромагнетика на интерфейсе.
искать возможности управления спинами нужно именно на стыке материалов с большими
искать возможности управления спинами нужно именно на стыке материалов с большими
Перспективы наноспитроники
Основы наноспинтроники
I) многослойные системы и наноструктуры на основе металлов,
Перспективы наноспитроники
Основы наноспинтроники
I) многослойные системы и наноструктуры на основе металлов,
II) полупроводниковые ферромагнитные гетероструктуры и разбавленные магнитные полупроводники, внедрение которых обещает существенно расширить функциональные возможности полупроводниковых наноэлектронных устройств, и
III) молекулярная спинтроника, которая в настоящее время начинает активно развиваться и имеет значительный потенциал в плане миниатюризации и увеличения функциональности. Однако конечный успех деятельности во всех трех направлениях в огромной степени зависит от фундаментального изучения магнитных и зависящих от спина свойств и взаимодействий на атомарном уровне, что требует определения спиновых структур и спиновых возбуждений вплоть до атомарного масштаба.
Визуализация спиновых структур атомарного масштаба
Методика: Спинполяризованная сканирующая туннельная микроскопия - Сочетание
Визуализация спиновых структур атомарного масштаба
Методика: Спинполяризованная сканирующая туннельная микроскопия - Сочетание
Перспективы: Глубинноеисследования коллинеарных и неколлинеарных спиновых структур на поверхностях магнитных наноструктур; стало возможным недавно сделанное открытие новых типов наномасштабного магнитного порядка.
Новейшие разработки: Спин-поляризованная сканирующая туннельная микроскопия при температурах, близких к 0° Кельвина
Позволяет изучать магнитные свойства основного состояния отдельных магнитных адатомов на немагнитной подложке
Позволяет изучать магнитные взаимодействия, имеющие место между подобными адатомами.
Благодаря обнаружению зависящих от спина процессов обмена и сил взаимодействия, впервые удалось выполнить непосредственное наблюдение спиновых структур на поверхностях антиферромагнитных диэлектриков в реальном пространстве.
Новый вид сканирующей зондовой микроскопии - «магнитная обменно-силовая микроскопия (MexFM)»,
Является мощным инструментом для исследования различных типов спин-спиновых взаимодействий на основе прямого обмена, сверхобмена и обмена типа RKKY вплоть до атомарного уровня.
В сочетании с высокоточными средствами измерения демпфирующих сил, магнитная обменно-силовая микроскопия позволила также осуществлять экспериментальное изучение локализованных и ограниченных спиновых возбуждений в малоразмерных магнитных системах.
Комплексное комбинирование считывания состояния спина и манипулирования таковым на основе индуцированного спиновым током переключения через вакуумный промежуток с использованием технологии спинполяризованной сканирующей туннельной микроскопии, представляет собой новый перспективный подход к проблеме сверхплотной магнитной записи, позволяющий обойтись без использования магнитных полей рассеяния.
Отдельные адатомы кобальта на ступенчатой платиновой (111) подложке с монослойными полосами
Отдельные адатомы кобальта на ступенчатой платиновой (111) подложке с монослойными полосами
Отдельные адатомы кобальта на ступенчатой платиновой (111) подложке с монослойными полосами кобальта по граням ступеней. Топограмма, полученная методом сканирующей туннельной микроскопии, раскрашена с использованием полученной одновременно с ней карты значений dI/dU (со спиновым разрешением), измеренных при помощи магнитного наконечника, чувствительного к внеплоскостным спиновым компонентам.