Содержание
- 2. Иерархия
- 3. Оперативная память. Если от типа процессора зависит количество адресуемой памяти, то быстродействие используемой оперативной памяти в
- 4. Принцип работы динамической памяти Единственным способом выяснить, заряжен или разряжен конденсатор, является попытка разрядить его. Если
- 6. Увеличение разрядности ЗУ реализуется за счет объединения адресных входов объединяемых ИМС ЗУ. Информационные входы и выходы
- 7. Рассмотрение основных структур блочной ОП будем проводить на примере памяти емкостью 512 слов (29), построенной из
- 8. Прием чередования адресов базируется на ранее рассмотренном свойстве локальности по обращению, согласно которому последовательный доступ в
- 9. В блочно-циклической схеме расслоения памяти каждый банк состоит из нескольких модулей, адресуемых по круговой схеме. Адреса
- 10. Корпуса микросхем ОП. Элементы динамической памяти для персональных компьютеров конструктивно бывают выполнены либо в виде отдельных
- 12. Триггер – элемент статической памяти. Спусковая схема, спусковое устройство, термин, употребляемый в импульсной технике спусковое устройство,
- 13. Докажите, что предложенная схема действительно осуществляет запоминание двоичных кодов. (Асинхронный RS-триггер построен на 2-х логических элементах:
- 15. Доступ к ячейкам возможен как через левую, так и через правую группу шин, причем если Л-
- 18. Маркировка микросхем памяти. Корпус микросхемы или модуль памяти имеют специальные обозначения, включающие, например, наименование (или знак)
- 19. Раньше наиболее распространенными были 30-контактные SIMM-модули с байтовой организацией и контролем четности (256Kx9, 1Мх9, 4Мх9, 16Мх9,
- 20. Блоки памяти Обычно вся оперативная память персонального компьютера делится на несколько блоков, причём вид и тип
- 21. 1.2. Режимы работы памяти. Напомним, что для адресации к любому биту, например, 1-Мбитной микросхемы требуются 20
- 22. Способы повышения быстродействия. Одним из способов повышения быстродействия динамической памяти является метод управления памятью с чередованием
- 23. Для доступа к памяти реализован так называемый пакетный (burst) режим. Он заключается в том, что при
- 24. В качестве примеров технических решений можно привести технологии CDRAM (Cache DRAM) и EDRAM (Enhanced DRAM). Обе
- 25. Тем не менее, по оценкам экспертов, в ближайшее время следует ожидать массового использования в персональных компьютерах
- 26. Кэш-память. Функционально кэш-память предназначена для согласования скорости работы сравнительно медленных устройств, таких как динамическая память с
- 27. Архитектура кэш-памяти Прежде чем говорить об архитектуре кэш-памяти, введем такое понятие, как длина строки-кеша (cache-line). Если
- 28. Кэш-память с прямым отображением. Самой простой организацией обладает кэш-память с прямым отображением. В этом случае адрес
- 29. Полностью ассоциативная архитектура. Полный адрес памяти делится только на две, части: младшие разряды – смещение в
- 30. Наборно-ассоциативная архитектура Разумным компромиссом между двумя рассмотренными архитектурами является наборно-ассоциативная организация кэш-памяти. В этом случае несколько
- 31. Гарвардская и Принстонская архитектуры. Теперь, что касается разделения кэш-памяти на память для команд и отдельно для
- 32. Размеры кэш-памяти. Разумеется, желательно, чтобы такие программные конструкции целиком помещались в кэш-память, так как в противном
- 34. Методы записи. Методом сквозной записи, предполагает наличие двух копий данных – одной в основной памяти, а
- 35. Во избежание подобной ситуации каждая строка кэша содержит служебные биты. Если происходит операция замены (replace ment)
- 37. Память Учащегося. Модель Аткинсона и Шифрина (1965г.)
- 38. http://www.prioslav.ru/refb10
- 39. *
- 40. *
- 41. МЫ - ЧАСТЬ ПРОСТРАНСТВА Вы чувствуете в жизни только небольшую частицу себя, только свое физическое тело.
- 42. О, Память, сохрани Лишь То, что всем полезно! Мир знаньем освяти И вечно и мгновенно. Дай
- 44. Скачать презентацию
Иерархия
Иерархия
Оперативная память.
Если от типа процессора зависит количество адресуемой памяти, то
Оперативная память.
Если от типа процессора зависит количество адресуемой памяти, то
Компьютер оснащен оперативной памятью, выполненной на микросхемах динамического типа (DRAM). Каждый бит такой памяти представляется в виде наличия (или отсутствия) заряда на конденсаторе, образованном в структуре полупроводникового кристалла.
Другой тип памяти – статический (SRAM, Static RAM) – в качестве элементарной ячейки памяти использует так называемый статический триггер. Если для реализации одного запоминающего элемента динамической памяти требуется 1 – 2 транзистора, то для статической их число возрастает до 4 – 6. Статический тип памяти обладает высоким быстродействием и, как правило, используется в самых "узких" местах системы, например для организации кэш памяти.
Принцип работы динамической памяти
Единственным способом выяснить, заряжен или разряжен
Принцип работы динамической памяти
Единственным способом выяснить, заряжен или разряжен
Таким образом, чтобы не потерять имеющиеся данные, необходимо периодическое восстановление записанной информации, которое выполняется в циклах регенерации. Операции регенерации снижают скорость работы динамической памяти. Это является одним из основных недостатков динамической памяти, так как по критерию, учитывающему информационную емкость, стоимость и энергопотребление, этот тип памяти во многих случаях предпочтительнее статической.
Увеличение разрядности ЗУ реализуется за счет объединения адресных входов объединяемых ИМС
Увеличение разрядности ЗУ реализуется за счет объединения адресных входов объединяемых ИМС
Рассмотрение основных структур блочной ОП будем проводить на примере памяти емкостью
Рассмотрение основных структур блочной ОП будем проводить на примере памяти емкостью
Блочная схема
Прием чередования адресов базируется на ранее рассмотренном свойстве локальности по обращению,
Прием чередования адресов базируется на ранее рассмотренном свойстве локальности по обращению,
В блочно-циклической схеме расслоения памяти каждый банк состоит из нескольких модулей,
В блочно-циклической схеме расслоения памяти каждый банк состоит из нескольких модулей,
Блочно-циклическая схема
Корпуса микросхем ОП.
Элементы динамической памяти для персональных компьютеров конструктивно бывают выполнены
Корпуса микросхем ОП.
Элементы динамической памяти для персональных компьютеров конструктивно бывают выполнены
У DIMM-модулей в отличие от SIMM контакты на противоположных сторонах платы электрически не связаны между собой. Это дает возможность практически вдвое увеличить количество выводов модуля. Сами микросхемы памяти так же устанавливаются на плате с двух сторон. Иначе такие модули называют двухсторонними (double sided) DIMM.
Микросхемы в DIP-кopпycax устанавливаются на системную плату в специальные посадочные места – панельки (chip sockel), а модули – в специальные разъемы (SIMM или SIP socket). Поскольку модули памяти располагаются, как правило, перпендикулярно системной плате компьютера (SIMM иногда под углом 45 градусов), то, естественно, занимают меньше места, чем отдельные микросхемы в DIP-корпусах. Все современные системные платы оснащены разъёмами для SIMM-модулей.
Триггер – элемент статической памяти.
Спусковая схема, спусковое устройство, термин, употребляемый в
Триггер – элемент статической памяти.
Спусковая схема, спусковое устройство, термин, употребляемый в
Докажите, что предложенная схема действительно осуществляет запоминание двоичных кодов.
(Асинхронный RS-триггер
Докажите, что предложенная схема действительно осуществляет запоминание двоичных кодов. (Асинхронный RS-триггер
Доступ к ячейкам возможен как через левую, так и через правую
Доступ к ячейкам возможен как через левую, так и через правую
Маркировка микросхем памяти.
Корпус микросхемы или модуль памяти имеют специальные обозначения, включающие,
Маркировка микросхем памяти.
Корпус микросхемы или модуль памяти имеют специальные обозначения, включающие,
Таким образом, по обозначению MK44256P-80 легко определить, что это микросхема памяти емкостью 4 разряда по 256 Кбит каждый и временем выборки 80 нс. Разумеется, форма записи параметров может отличаться от приведенных.
Раньше наиболее распространенными были 30-контактные SIMM-модули с байтовой организацией и контролем
Раньше наиболее распространенными были 30-контактные SIMM-модули с байтовой организацией и контролем
В последнее время, особенно с появлением Pentium, все чаще начинают применяться 72-контактные З6-битовые, модули (32 бита – длина слова и по биту контроля четности на каждый байт). Они обозначаются как 256Кх36, 512Кх36, 1Мх36, 2Мх36, 4Мх36, 8МХ36, 16Мх36, что соответствует емкости 1, 2, 4, 8, 16, 32 и 64 Мбайта . Понятно, что такие модули для 486-х микропроцессоров могут уже устанавливаться и по одному. Максимально достижимый и этом случае объем памяти может быть разным, что зависит не только от количества разъемов под модули, но и от того, модули с какой максимальной емкостью поддерживаются контроллером памяти. На ряде системных плат установлены одновременно 30 и 72-контактные разъёмы для соответствующих SIMM-модулей.
Блоки памяти
Обычно вся оперативная память персонального компьютера делится на несколько блоков,
Блоки памяти
Обычно вся оперативная память персонального компьютера делится на несколько блоков,
Объем информации каждого банка памяти может быть различным, однако он, как правило, должен быть кратен девяти (8 бит данных плюс бит четности). На 30-контактных модулях памяти поэтому используется обычно либо три, либо девять микросхем (так называемые трех- и девятичиповые модули). Дело в том, что микросхемы динамической памяти имеют либо 1-, либо 4-разрядную организацию данных. На 72-контактных модулях размешено обычно 12
1.2. Режимы работы памяти.
Напомним, что для адресации к любому биту, например,
1.2. Режимы работы памяти.
Напомним, что для адресации к любому биту, например,
Способы повышения быстродействия.
Одним из способов повышения быстродействия динамической памяти является метод
Способы повышения быстродействия.
Одним из способов повышения быстродействия динамической памяти является метод
Другим способом повышения быстродействия, требующим, как правило, небольших архитектурных добавок, является метод страничной выборки (paging mode). Он базируется на том, что повторения сигнала RAS также можно избежать, если адреса строк выбираемых ячеек памяти лежат в пределах одной страницы, то есть адрес их строк неизменен. Напомним, что в микросхеме динамической памяти считывание в статический буфер происходит для всей строки целиком, конкретный же бит выбирается уже адресом столбца. Понятно, что если следующий подлежащий считыванию бит находится в той же строке, то нет смысла читать ее в буфер еще раз. Наиболее распространены две разновидности подобного режима: с повторением сигнала стробирования CAS при изменении младшей части адреса и без повторения. В последнем случае быстродействие, естественно, увеличивается. Заметим, что микросхемы BRAM, реализующие страничный режим, часто называют FPM (Fast Page Mode).
Для доступа к памяти реализован так называемый пакетный (burst) режим. Он
Для доступа к памяти реализован так называемый пакетный (burst) режим. Он
Например, Pentium, работающий на внутренней тактовой частоте 90 МГц, с внешней кэш-памятью (время доступа 15 нс) может обеспечить пакетный режим 3-2-2-2. Для обмена с динамической памятью параметры будут в два-три раза хуже, например 7-3-3-3.
В настоящее время можно выделить два основных схемотехнических решения, используемых для увеличения быстродействия динамической памяти. Одно из них основано на синхронной работе памяти и процессора, что достигается использованием внутренней конвейерной архитектуры и чередованием адресов. Другое решение предполагает включение в структуру динамической памяти определенного количества быстрой статической памяти, которая в данном случае работает примерно как встроенный кэш.
В качестве примеров технических решений можно привести технологии CDRAM (Cache DRAM)
В качестве примеров технических решений можно привести технологии CDRAM (Cache DRAM)
SDRAM (Synchronous DRAM), основанная на подходе конвейерной архитектуры и чередовании адресов, позволяет еще больше поднять быстродействие оперативной памяти. Подобные микросхемы используют трехступенчатую конвейерную архитектуру и, кроме того, внутренний доступ типа "пинг-понг" к двум блокам памяти с чередованием адресов. Тактирование микросхем осуществляется внешней частотой для микропроцессоров. Современные SDRAM могут работать на тактовых частотах 66, 75, 83 и 100 МГц. Пионерами в разработке подобных устройств являются фирмы Samsung и NEC.
Одним из наиболее быстродействующих типов памяти является RDRAM (Rambus DRAM). Тактируемая частотой 250 Мгц. 9-разрядная RDRAM достигает пиковой скорости передачи 500 Мб/с.
Тем не менее, по оценкам экспертов, в ближайшее время следует ожидать
Тем не менее, по оценкам экспертов, в ближайшее время следует ожидать
Кэш-память.
Функционально кэш-память предназначена для согласования скорости работы сравнительно медленных устройств,
Кэш-память.
Функционально кэш-память предназначена для согласования скорости работы сравнительно медленных устройств,
По этому центральный процессор вынужден простаивать 2 – 3 периода тактовой частоты (то есть имеет 2 – 3 цикла ожидания), пока информация из соответствующих микросхем памяти установится на системной шине данных компьютера. Понятно, что в это время процессор не может выполнять никакую другую работу. Такая ситуация приводит к снижению общей производительности системы, что, разумеется, крайне нежелательно. Таким образом, узким местом системы становится оперативная динамическая память. С помощью технологии обработки, использующей кэш-память, найден определенный компромисс между стоимостью и производительностью системы.
Архитектура кэш-памяти
Прежде чем говорить об архитектуре кэш-памяти, введем такое понятие,
Архитектура кэш-памяти
Прежде чем говорить об архитектуре кэш-памяти, введем такое понятие,
Итак, архитектура кэш-памяти определяется тем, каким образом достаточно большая по размеру основная память отображается на сравнительно небольшой кэш. Существуют, вообще говоря, три разновидности отображения: кэш-память с прямым отображением (dircct-mappcd cachc), частично, или наборно-ассоциативная (set-associative cache) и полностью ассоциативная (fully associative cache). Все эти архитектуры так или иначе используются для построения кэш-памяти современных микропроцессоров.
Кэш-память с прямым отображением.
Самой простой организацией обладает кэш-память с
Кэш-память с прямым отображением.
Самой простой организацией обладает кэш-память с
Преимуществом реализации такого типа архитектуры являются довольно низкие затраты, поскольку, по сути, требуется всего лишь одна операция сравнения (для тегов). Недостатки ее, впрочем, также очевидны. Например, если два блока данных основной памяти, используемые одинаково часто, претендуют на одну и ту же строку в кэше.
Полностью ассоциативная архитектура.
Полный адрес памяти делится только на две, части:
Полностью ассоциативная архитектура.
Полный адрес памяти делится только на две, части:
Наборно-ассоциативная архитектура
Разумным компромиссом между двумя рассмотренными архитектурами является наборно-ассоциативная организация
Наборно-ассоциативная архитектура
Разумным компромиссом между двумя рассмотренными архитектурами является наборно-ассоциативная организация
Гарвардская и Принстонская архитектуры.
Теперь, что касается разделения кэш-памяти на память
Гарвардская и Принстонская архитектуры.
Теперь, что касается разделения кэш-памяти на память
Смешанную кэш-память имеют процессоры Alpha фирмы DEC и 6х86 фирмы Cyrix. Более известный микропроцессор фирмы Intel Pentium использует раздельные 2-входовые наборно-ассоциативные кэши для команд и данных размером по 8 Кбайт.
Размеры кэш-памяти.
Разумеется, желательно, чтобы такие программные конструкции целиком помещались в
Размеры кэш-памяти.
Разумеется, желательно, чтобы такие программные конструкции целиком помещались в
Таким образом, что касается размера кэш памяти, то для микропроцессоров, используемых в IBM РС-совместимых компьютерах, он колеблется от 0,5 (Chips&Technologies 38605SX/DX) до 16 Кбайт (IntelDX4). А вот в микропроцессорах Penlium OverDriv-, Nx586 фирмы NexGen и ряде других общий размер кэш-памяти составляет уже 32 Кбайта. Стоит напомнить, что объем оперативной памяти IBM РС составлял 64 Кбайта
Методы записи.
Методом сквозной записи, предполагает наличие двух копий данных –
Методы записи.
Методом сквозной записи, предполагает наличие двух копий данных –
Методом с буферизированной сквозной записью. Для того, чтобы как-то уменьшить загрузку шины, процесс записи выполняется в один или несколько буферов, которые работают по принципу FIFO (First Input – First Output – первым вошел – первым вышел"). Таким образом, цикл записи для микропроцессора заканчивается практчески мгновенно (то есть когда данные записаны в буфер), хотя информация в основной памяти eщe не сохранена. Сам же микропроцессор может выполнять дальнейшую обработку команд. Конечно, соответствующая логика управления должна заботиться о том, чтобы своевременно "опустошать" заполненные буферы. При использовании данного метода процессор полностью освобожден от работы с основной памятью.
методом обратной записи, цикл записи микропроцессора происходит сначала в кэш-память, если там присутствует адрес приемника. Если адреса приемника в кэш-памяти не оказывается, то информация записывается непосредственно в память. Содержимое основной памяти обновляется только тогда, когда из кэш-памяти в нее записывается полный блок данных, то есть строка кэша. Прежде чем будет произведена замена содержимого строки кэша на новый блок памяти, старый блок должен быть перезаписан в основную память. Дело в том, что данные в этом блоке (если он использовался, разумеется) не совпадают с его данными (старыми) в основной памяти и являются единственной действительной копией. В противном случае произойдет нарушение целостности.
Во избежание подобной ситуации каждая строка кэша содержит служебные биты. Если
Во избежание подобной ситуации каждая строка кэша содержит служебные биты. Если
Обновление информации.
Каждый раз, когда микропроцессору требуется информация, отсутствующая в кэше (cache-miss), он вынужден обращаться через системную шину к основной оперативной памяти. После этого обычно решается, должна ли происходить замена строки в кэш-памяти и какая конкретно строка кэша будет заменена. В подавляющем большинстве случаев об этом заботится встроенный в контроллер LRU -алгоритм (Last Recently Used), который обновляет именно ту строку кэша, которая используется менее интенсивно.
Память Учащегося. Модель Аткинсона и Шифрина (1965г.)
Память Учащегося. Модель Аткинсона и Шифрина (1965г.)
http://www.prioslav.ru/refb10
http://www.prioslav.ru/refb10
*
*
*
*
МЫ - ЧАСТЬ ПРОСТРАНСТВА
Вы чувствуете в жизни только небольшую
МЫ - ЧАСТЬ ПРОСТРАНСТВА
Вы чувствуете в жизни только небольшую
Каждый человек знает все, об этом говорят мудрецы Востока. Каждый человек является огромной и полноправной частью Пространства. Ваша аура бесконечна; энергия, окружающая вас, уходит в Пространство на огромные расстояния, и ваша мысль слышна на далеких планетах. Вы тревожите эти планеты, тревожите саму нашу планету совершенно неконтролируемыми мыслями, сопровождающимися отрицательными сильными эмоциями; сотрясаете мир, сотрясаете Пространство, не находя выхода из своего маленького жизненного тупика.
Пространство пронизывает нас, пронизывает мир, мы в нем растворяемся и при желании ощущаем его силу и мудрость, накопленную на протяжении веков, тысячелетий, миллионов лет... Нам надо только уметь соединяться с ним, чтобы эта мудрость была ваша. Все в мире есть - только откройтесь миру.
http://samlib.ru/p/peunowa_s_m/azbuka1.shtml
О, Память, сохрани
Лишь То, что всем полезно!
Мир знаньем освяти
И вечно и
О, Память, сохрани
Лишь То, что всем полезно!
Мир знаньем освяти
И вечно и
Дай радость испытать
Всегда, в любое время
И жизни передать
Любви благое семя.
О, Память, чистой стань
От негатива тьмы.
Наш целостный подход
Тогда освоим мы.
МВД 23.10.13.