Содержание
- 2. САПР приборно-технологического моделирования (TCAD) При разработке и оптимизации технологии и конструкции изготовления элементов интегральных схем, как
- 3. САПР приборно-технологического моделирования (TCAD)
- 4. Моделирование процесса в САПР ISE TCAD Работа с программой начинается с загрузки графической оболочки GENESISe и
- 5. Моделирование технологического процесса в DIOS TITLE('Diode') – название проекта; !Refinements – комментарии; Replace(Control( – директива перестроения
- 6. Программа визуализатор результатов моделирования
- 7. Результаты расчётов в DIOS
- 8. Построение сетки
- 9. Построение сетки Title "Diode" – название проекта; Definitions { – процедура определения областей разбиения; # Refinement
- 10. Расчёты электрофизических характеристик в DESSIS *VAX diode – название проекта; Electrode { – секция определения контактов;
- 11. Расчёты электрофизических характеристик в DESSIS Plot{ – секция, указывающая на содержания файла двумерной информации; *--Density and
- 12. Расчёты электрофизических характеристик в DESSIS Solve { # initial solution # Plugin – способ решения граничных
- 13. Расчёты электрофизических характеристик в DESSIS
- 14. Программы для одномерного моделирования Универсальность системы TCAD существенно затрудняет её изучение, а также неудобна для иллюстрации
- 15. Программа для одномерного расчёта p-n перехода: создание распределения примеси в одномерной модели
- 16. Создание распределения примеси в одномерной модели
- 17. Варианты распределения примеси в одномерной модели
- 18. Расчет электрических характеристик p-n-перехода
- 19. Расчет электрических характеристик p-n-перехода Настройки хода вычислений включают в себя: - Конечное значение напряжения на переходе
- 20. Распределение концентрации носителей заряда при U = 0
- 21. Распределение поля и потенциала при U = 0
- 22. Зонная диаграмма p-n перехода при U = 0
- 23. Зависимость интегралов ионизации от U
- 24. Зависимость емкости p-n перехода от U
- 25. Основные уравнения и модели, используемые в программе P-n-переход представляется в виде одномерного распределения примеси на конечно-разностной
- 26. Структуры р-n – переходов с учетом краев структуры
- 27. Уравнение Пуассона В такой структуре для одномерного распределения примеси решается уравнение Пуассона в линейных (1D), цилиндрических
- 28. Дискретизация уравнения Пуассона
- 29. Дискретизация уравнения Пуассона Для конечно-разностной сетки с переменным шагом сетки левые части уравнения Пуассона имеют вид:
- 30. Дискретизация уравнения Пуассона Для всей сетки уравнение записывается в матричном виде: , где B – квадратная
- 31. Линеаризация системы уравнений Уравнение Пуассона в дискретном матричном виде является нелинейным. Его необходимо привести к линейному
- 32. Решение системы линейных уравнений Матрица J также как матрица B является разреженной 3-диагональной матрицей, которую необходимо
- 33. Вычисление ошибки Общая формула для вычисления относительной ошибки для всех узлов сетки следующая: где: Nузл –
- 34. Модели, используемые для расчёта p-n перехода Дифференциальные уравнения дополняются граничными условиями Распределение потенциала в подложке (в
- 35. Модели, используемые для расчёта p-n перехода Модель эффективной собственной концентрации носителей Эффективная плотность состояний в зоне
- 36. Модели, используемые для расчёта p-n перехода
- 37. Модели, используемые для расчёта p-n перехода Модель подвижности носителей заряда Масетти Модель коэффициента лавинного умножения Окуто-Кроувелла
- 38. Модели, используемые для расчёта p-n перехода
- 40. Скачать презентацию