Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками

Содержание

Слайд 2

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками Эргономичность Соединения без пайки (TSC Through Silicon

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками
Эргономичность
Соединения без пайки (TSC Through Silicon Via)
Узкая запрещенная

зона
Возможность составления детекторов большой площади путем мозаичной стыковки нескольких
Si-ФЭУ с минимальным зазором.
Слайд 3

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками Низкая вероятность возникновения остаточных импульсов Преимущества: Улучшенное

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками

Низкая вероятность возникновения остаточных импульсов
Преимущества:
Улучшенное соотношение уровня

сигнал/шум
Более широкий диапазон управляющих напряжений
Улучшенное временное разрешение
Слайд 4

Новые Si-ФЭУ Для общих измерений Параметры: Размер чувствительной площадки: 1 х

Новые Si-ФЭУ

Для общих измерений
Параметры:
Размер чувствительной площадки:
1 х 1 мм (S12571)

3 x 3 мм (S12572)
Размер микроячейки: 10 мкм, 15 мкм, 25 мкм
Низкий темновой ток
Низкая вероятность возникновения остаточных импульсов
Высокая эффективность регистрации фотонов
Слайд 5

Новые Si-ФЭУ Для общих измерений Параметры: Размер чувствительной площадки: 1 х

Новые Si-ФЭУ

Для общих измерений
Параметры:
Размер чувствительной площадки:
1 х 1 мм (S12571)

3 x 3 мм (S12572)
Размер микроячейки: 10 мкм, 15 мкм, 25 мкм
Низкий темновой ток
Низкая вероятность возникновения остаточных импульсов
Высокая эффективность регистрации фотонов
Слайд 6

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками Высокая скорость и широкий динамический диапазон Малый

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками

Высокая скорость и широкий динамический диапазон
Малый размер

пикселя и большое число пикселей
Сохраняет широкую чувствительную площадку и высокую эффективность регистрации фотонов
Короткое время восстановления
Слайд 7

Новые Si-ФЭУ Для общих измерений Параметры: Размер чувствительной площадки: 1 х

Новые Si-ФЭУ

Для общих измерений
Параметры:
Размер чувствительной площадки:
1 х 1 мм (S12571)
3

x 3 мм (S12572)
Размер микроячейки: 10 мкм, 15 мкм, 25 мкм
Низкий темновой ток
Низкая вероятность возникновения остаточных импульсов
Высокая эффективность регистрации фотонов
Слайд 8

Новые Si-ФЭУ Для регистрации быстропротекающих процессов. Широкий динамический диапазон. Параметры: Размер

Новые Si-ФЭУ

Для регистрации быстропротекающих процессов. Широкий динамический диапазон.
Параметры:
Размер чувствительной площадки:
1 х

1 мм (S12571)
3 x 3 мм (S12572)
Размер микроячейки: 10 мкм, 15 мкм, 25 мкм
Низкий темновой ток
Низкая вероятность возникновения остаточных импульсов
Высокая эффективность регистрации фотонов
Слайд 9

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками Низкая вероятность возникновения перекрестных помех Чтобы снизить

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками

Низкая вероятность возникновения перекрестных помех
Чтобы снизить уровень перекрестных

помех,
создаются барьеры между пикселями
Слайд 10

Новые Si-ФЭУ Для точных измерений Параметры: Размер чувствительной площадки: 1,3 х

Новые Si-ФЭУ

Для точных измерений
Параметры:
Размер чувствительной площадки:
1,3 х 1,3 мм
3,0 x

3,0 мм
6,0 х 6,0 мм
Размер микроячейки: 50 мкм
Низкий темновой ток
Низкая вероятность возникновения остаточных импульсов
Низкая вероятность возникновения перекрестных помех
Слайд 11

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками

Si-ФЭУ с улучшенными характеристиками

Слайд 12

Аналоговый модуль Si-ФЭУ С11209-110 Параметры: Аналоговый модуль Si-ФЭУ: С11209-110: 1 х

Аналоговый модуль
Si-ФЭУ

С11209-110
Параметры:
Аналоговый модуль Si-ФЭУ:
С11209-110: 1 х 1 мм,
размер

микроячейки 10 мкм
Высокая скорость:
Время нарастания импульса: 500 пикосекунд
Широкий динамический диапазон
Компактные размеры: 45 х 38 х 13 мм
Слайд 13

Аналоговый модуль Si-ФЭУ Серия С11205 Параметры: Аналоговый модуль Si-ФЭУ: С11205-150: 1

Аналоговый модуль
Si-ФЭУ

Серия С11205
Параметры:
Аналоговый модуль Si-ФЭУ:
С11205-150: 1 х 1 мм, размер

микроячейки
50 мкм
С11205-350: 3 х 3 мм, размер микроячейки
50 мкм
Высокая чувствительность: 1 х 10⁹ В/Вт
Низкая эквивалентная мощность шума: 0,8 фВ/Гц½ (С11205-150)
Слайд 14

Аналоговый модуль Si-ФЭУ Серия С13366 Параметры: Аналоговый модуль Si-ФЭУ: С13366-1350KA: 1,3

Аналоговый модуль
Si-ФЭУ

Серия С13366
Параметры:
Аналоговый модуль Si-ФЭУ:
С13366-1350KA: 1,3 х 1,3 мм, размер


микроячейки 50 мкм
С13366-3050KA: 3 х 3 мм, размер
микроячейки 50 мкм
Высокая чувствительность: 1 х 10⁹ В/Вт (Тип.)
Низкая эквивалентная мощность шума: 0,12 фВ/Гц½ (С13366-1350KA) Температура охлаждения: -20˚С
Слайд 15

Цифровой модуль Si-ФЭУ Серия С13366 Параметры: Модуль с цифровым выходом: С13366-1350KD:

Цифровой модуль
Si-ФЭУ

Серия С13366
Параметры:
Модуль с цифровым выходом:
С13366-1350KD: 1,3 х 1,3

мм, шаг пикселя 50 мкм
С13366-3050KD: 3 х 3 мм, шаг пикселя 50 мкм
Высокая эффективность регистрации фотонов: 35% (на 450 нм)
Низкий уровень цифровых импульсов: 2,5 КГц (С13366-1350KD)
Температура охлаждения: -20˚С