Структура поверхности и ее физические свойства

Слайд 2

Si (111) Изменение концентрации поверхностных состояний, которые связаны с границами между

Si (111)

Изменение концентрации поверхностных
состояний, которые связаны с границами
между доменами.


Полуцелые рефлексы слабеют и при Т ~ 600 K
остаются только целые, соответствующие
одной из ориентаций доменов.

В дальнейшем
разупорядочение
структуры (2х1)

Поведение работы выхода аналогично

рыхлых поверхностей меньше, чем у
плотноупакованных

Изменение поверхностной проводимости

Увеличение Δσ

Изменение доменов, например, укрупнение

Уменьшение Δσ

Формирование (7х7)

Увеличение Δσ

Слайд 3

Ge(111) Ge(111) Три группы В верхней части запрещенной зоны Максимум распределения

Ge(111)

Ge(111)

Три группы

В верхней части
запрещенной зоны

Максимум распределения
на 0,52 эВ

выше уровня Ферми

EF на поверхности практически совпадает
с вершиной валентной зоны

Состоит из донорных (на 0,02 эВ выше EF)
и акцепторных (на 0,02 эВ ниже EF) уровней.

Определяют количество и знак поверхностного заряда → изгиб зон.
Эффективная плотность ~3.1014см-2эВ-1

При переходе от структуры (1x1) к структуре (5x1)
работа выхода уменьшается на 0,15 эВ

I группа

Фото- и термоэлектронная
работ выхода совпадают

Ir(100)

(2х1)

II группа

В области EF

Слайд 4

Максимум плотности на 0,7 эВ ниже EF . Число близко к

Максимум плотности на 0,7 эВ ниже EF . Число близко
к

концентрации поверхностных атомов (7.1014см-2),
плотность состояний в максимуме ~ 1015см-2эВ-1.

Максимум плотности на 0,7 эВ ниже EF . Число близко
к концентрации поверхностных атомов (7.1014см-2),
плотность состояний в максимуме ~ 1015см-2эВ-1.

При T≥400 K необратимый фазовый переход, (2х1) → (2х8).

Уменьшаются

Понижается энергия сродства

Изменяется загиб зон на 0,12 эВ.

III группа

Фотоэлектронная работа выхода
с 4,81 до 4,74 эВ

Термоэлектронная работа выхода
с 4,79 до 4,60 эВ

Изменение плотности и энергетического распределения ПС, особенно II группы

Изменяется величина
поверхностного заряда