Содержание
- 2. Актуальність теми : Так, як напівпровідникові пристрої набули най-ширшого застосування в електроніці, то при їх розробці
- 3. Мета дослідження: Проаналізувати вплив домішок на характеристики МОН транзистора.
- 4. Структура готового МОН транзистора при моделюванні у Sentaurus TCAD
- 5. Концентрації домішок миш’яку і бору після проведення LDD імплантації Концентрація домішок миш’яку після LDD імплантації. LDD
- 6. Концентрації домішок миш’яку і бору після проведення HALO імплантації Якщо підвищити концентрацію домішок у всій підкладці,
- 7. Нітридний спейсер У даному випадку сформований нітридний спейсер виконує насамперед ізоляціну роль між полікремнієвим затвором і
- 8. Залежність струму стоку від напруги на стоці для напруг на затворі 1В, 3В і 5В
- 9. Залежність струму стоку від напруги на стоці при напрузі на затворі 5 В Залежність струму стоку
- 10. Залежності струму підкладки від напруги на стоці при напрузі на затворі 5 В Залежності струму підкладки
- 11. Так,як напівпровідникові пристрої набули найширшого застосування в електроніці, дослідження їх характеристик для подальшої розробки прототипів є
- 13. Скачать презентацию