Содержание
- 2. Достоинства микросхем ТТЛ: высокое быстродействие высокая нагрузочная способность высокая помехоустойчивость Низкая потребляемая мощность Невысокая стоимость
- 3. Параметры микросхем ТТЛ: Время задержки сигнала при включении – интервал времени между входным и выходным импульсами
- 4. Параметры микросхем ТТЛ: Время задержки сигнала при выключении – интервал времени между входным и выходным импульсами
- 5. Параметры микросхем ТТЛ: Среднее время задержки сигнала при выключении – интервал времени, равный полусумме времени задержки
- 6. Параметры микросхем ТТЛ: Потребляемая мощность – значение мощности, потребляемой микросхемой от источников питания в заданном режиме
- 7. Параметры микросхем ТТЛ: Средняя потребляемая мощность – полусумма мощностей, потребляемых микросхемой от источников питания в двух
- 8. Параметры микросхем ТТЛ: Энергия переключения – основной параметр, определяющий качество микросхемы логического элемента: чем она ниже,
- 9. на биполярных транзисторах Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)
- 10. Биполярный транзистор Подробнее о биполярных транзисторах
- 11. Схема базового логического элемента И-НЕ серии К134 Функция И реализована на многоэмиттерном транзистореVT1, что позволяет: уменьшить
- 12. Пути протекания токов по цепям схемы логического элемента И-НЕ R1 R2 R3 R4 X1 X2 X3
- 13. Схема базового логического элемента серий К130, К131, К133, К155 Схема дополнена демпфирующими диодами VD1…VD4 для ограничения
- 14. с транзисторами Шоттки Транзисторно-транзисторная логика Транзистор Шоттки
- 15. Транзистор Шоттки Транзисторы Шоттки не входят в глубокое насыщение, следовательно, в их базах в открытом состоянии
- 16. И-НЕ серий К530,К531 Отличие от схемы элемента И-НЕ на биполярных транзисторах: замена обычных диодов и транзисторов
- 17. Схема базового логического элемента И-НЕ серий К530,К531 Uп R1 R2 R3 R4 R5 X1 X2 X3
- 18. Применение транзисторов и диодов Шоттки улучшает показатели: уменьшается время выключения уменьшается разность потенциалов для отпирания (0,2…0,4
- 19. Улучшение основных показателей качества элемента И-НЕ: ионная имплантация вместо диффузии окисленная изоляция между транзисторами вместо изоляции
- 20. Основные электрические параметры: максимальное напряжение источника питания максимальное входное напряжение минимальное входное напряжение максимальная емкость нагрузки
- 21. Ограничение на подключение микросхем ТТЛ: количество подключенных микросхем зависит от параметра входного тока логического 0 количество
- 22. Особенности применения микросхем ТТЛ при разработке цифровых устройств Выбирать серии микросхем для разработки цифровых устройств необходимо
- 23. Неиспользуемые логические элементы На входы элементов, незадействованных в структуре цифрового устройства, подаются логические сигналы, дающие на
- 24. Неиспользуемые входы элементов ТТЛ На незадействованном входе элемента возрастает уровень помех под влиянием паразитной емкости, инерционных
- 25. Объединение выходов элементов ТТЛ Возможно только в микросхемах с открытым коллектором на выходе или в микросхемах
- 26. Микросхемы с открытым коллектором Выходы некоторых микросхем выполнены так, что верхний выходной транзистор и относящиеся к
- 27. Влияние емкости нагрузки на работу микросхем ТТЛ Увеличение емкости нагрузки на выходе микросхемы снижает быстродействие, увеличивая
- 28. Фронты входных сигналов Когда входной сигнал изменяется медленно, выходное напряжение может начать изменяться до того, как
- 29. Рекомендации по обеспечению помехоустойчивости Мощные внешние или внутренние помехи. Цифровые устройства на микросхемах ТТЛ следует защищать
- 30. После изучения темы базовые элементы ТТЛ вы должны знать: Достоинства микросхем ТТЛ Параметры микросхем ТТЛ Схема
- 32. Скачать презентацию