Содержание
- 2. Электропроводность кристаллов
- 4. Проводимость полупроводников В общем случае: σ = cqμp
- 5. Диффузионный ток в полупроводниках j = - D dc/dx
- 6. n-p переход, обедненная зона
- 7. What happens when p-type & n-type semiconductors are connected? Holes and e’s migrate across p/n junction.
- 8. Диффузия носителей заряда в полупроводниках Концентрация неосновных носителей заряда возрастает на порядки Короткая вспышка
- 9. Соотношение Эйнштейна для заряженных частиц (ионов) μp KBT = qD μp = v/ F = v/qE
- 10. Диффузия атомов примеси по межузлиям Коэффициент диффузии зависит от температуры по закону D = D0 e
- 11. D = cv Dν ; Dν = za2 ν0 e − Eν / kT cv =
- 12. с сqμ Проводимость заряженных частиц Ценность последнего выражения определяется тем, что проводимость образца можно легко измерить
- 14. Ионная проводимость в кристаллах
- 15. Точечные дефекты и электропроводность ионных кристаллов
- 16. Электропроводность галогенидов
- 19. Вакансионный механизм ионной проводимости галогенидов
- 20. Управляем концентрацией вакансий
- 21. F- центр -анионная вакансия, захватившая избыточный электрон Образование катионных вакансий в кристалле KCl Катионная вакансия +
- 22. Изменение плотности кристалла KCl («разбухание» кристалла)
- 23. Ионные суперпроводники
- 28. Скачать презентацию