Элементы оптоэлектроники. Фоторезисторы. Фотодиоды. Фототранзисторы. (Лекция 13.1)

Сентябрь 15, 2022

Главная
Физика
Элементы оптоэлектроники. Фоторезисторы. Фотодиоды. Фототранзисторы. (Лекция 13.1)

Содержание

2. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фоторезисторы Монокристаллический фоторезистор
3. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фоторезисторы Пленочный фоторезистор
4. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 темновой ток Iт = E
5. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 световой ток Iс = E
6. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Вольт-амперная характеристика фоторезистора
7. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Люкс-амперная характеристика фоторезистора
8. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Спектральная характеристика фоторезистора
9. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Частотная характеристика фоторезистора
10. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Пример внешнего вида фоторезистора а)
11. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Основные параметры фоторезисторов Рабочее напряжение
12. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Основные параметры фоторезисторов Темновое сопротивление
13. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Основные параметры фоторезисторов Кратность изменения
14. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Основные параметры фоторезисторов Общий ток
15. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Основные параметры фоторезисторов Удельная чувствительность
16. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Основные параметры фоторезисторов Интегральная чувствительность
17. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фотодиоды I=IФ-IS(eU/ϕт-1) где IФ=Si·Ф -
18. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фотодиоды Вольт-амперная характеристика
19. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Режим короткого замыкания Фотодиоды U=0
20. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Схема включения фотодиода с нагрузкой
21. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 График напряжения на нагрузке Фотодиоды
22. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Энергетические характеристики Фотодиоды
23. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Частотные характеристики Фотодиоды fГР f
24. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Спектральная характеристика S(λ) Фотодиоды
25. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Спектральная характеристика S(λ) Фотодиоды
26. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фотодиоды Зависимость чувствительности от угла
27. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Основные параметры - Диапазон длин
28. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Пример внешнего вида фотодиода а)
29. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Примеры конструкции p-i-n фотодиод Фотодиоды
30. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Примеры конструкции Лавинный фотодиод Фотодиоды
31. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фототранзисторы
32. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фототранзисторы
33. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фототранзисторы Выходные характеристики
34. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Структура и схема включения полевого
35. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Фототранзисторы
36. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Примеры внешнего вида фототранзисторов: а)
37. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Элементы оптоэлектроники Весна 2016 Параметры фототранзисторов : – интегральная
39. Скачать презентацию

Слайд 2

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фоторезисторы
Монокристаллический фоторезистор

Слайд 3

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фоторезисторы
Пленочный фоторезистор

Слайд 4

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
темновой ток Iт =

E / (Rт + Rн),

Слайд 5

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
световой ток
Iс =

E / (Rс + Rн).
первичный фототок проводимости
Iф = Iс – Iт.

Слайд 6

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Вольт-амперная характеристика фоторезистора

Слайд 7

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Люкс-амперная характеристика фоторезистора

Слайд 8

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Спектральная характеристика фоторезистора

Слайд 9

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Частотная характеристика фоторезистора

Слайд 10

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Пример внешнего вида

фоторезистора
а) – для навесного монтажа, б) – для поверхностного монтажа

Слайд 11

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов Рабочее

напряжение Uр – постоянное напряжение, приложенное к фоторезистору, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе в заданных эксплуатационных условиях. Максимально допустимое напряжение фоторезистора Umax – максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к фоторезистору, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе в заданных эксплуатационных условиях.

Слайд 12

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Темновое

сопротивление Rт – сопротивление фоторезистора в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности. Световое сопротивление Rс – сопротивление фоторезистора, измеренное через определенный интервал времени после начала воздействия излучения, создающего на нем освещенность заданного значения.

Слайд 13

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Кратность

изменения сопротивления KR – отношение темнового сопротивления фоторезистора к сопротивлению при определенном уровне освещенности (световому сопротивлению). Допустимая мощность рассеивания Р– мощность, при которой не наступает необратимых изменений параметров фоторезистора в процессе его эксплуатации.

Слайд 14

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Общий

ток фоторезистора – ток, состоящий из темнового тока и фототока. Фототок – ток, протекающий через фоторезистор при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.

Слайд 15

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Удельная

чувствительность – отношение фототока к произведению величины падающего на фоторезистор светового потока на приложенное к нему напряжение,
мкА / (лм · В) К0 = Iф / (ФU),

Слайд 16

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Интегральная

чувствительность – произведение удельной чувствительности на предельное рабочее напряжение Sинт = К0Umax. Постоянная времени τф – время, в течение которого фототок изменяется на 63%. Постоянная времени характеризует инерционность прибора и влияет на вид его частотной характеристики.

Слайд 17

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фотодиоды
I=IФ-IS(eU/ϕт-1)
где IФ=Si·Ф -

фототок
IS – обратный ток
Si - интегральная чувствительность
Ф – световой поток

Слайд 18

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фотодиоды
Вольт-амперная характеристика

Слайд 19

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Режим короткого замыкания
Фотодиоды
U=0
IОБЩ=IФ=SiФ
Режим

холостого хода

I=0
Ux=EФ=ϕTln(1+SИНТФ/I0)
При интенсивном облучении 1<

Слайд 20

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Схема включения фотодиода

с нагрузкой и построение нагрузочной характеристики

Фотодиоды

Слайд 21

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
График напряжения на

нагрузке

Фотодиоды

UН=E-UД

Слайд 22

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Энергетические характеристики
Фотодиоды

Слайд 23

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Частотные характеристики
Фотодиоды
fГР f
SИНТ
0.75

Слайд 24

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Спектральная характеристика
S(λ)
Фотодиоды

Слайд 25

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Спектральная характеристика
S(λ)
Фотодиоды

Слайд 26

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фотодиоды
Зависимость чувствительности от

угла падения света

Слайд 27

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры -

Диапазон длин волн принимаемого излучения; - Интегральная чувствительность Si; - Темновой ток Iт; - Номинальное рабочее напряжение UОБР.НОМ; - Максимально допустимое обратное напряжение UОБР.MAX; - Постоянная времени нарастания фототока τН

Фотодиоды

Слайд 28

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Пример внешнего вида

фотодиода
а) – для навесного монтажа, б) – для поверхностного монтажа

Слайд 29

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Примеры конструкции
p-i-n фотодиод

Фотодиоды

Слайд 30

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Примеры конструкции
Лавинный фотодиод

Фотодиоды

Слайд 31

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фототранзисторы

Слайд 32

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фототранзисторы

Слайд 33

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фототранзисторы
Выходные характеристики

Слайд 34

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Структура и схема

включения полевого фототранзистора с каналом n-типа

Слайд 35

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фототранзисторы

Слайд 36

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Примеры внешнего вида

фототранзисторов: а) - для навесного монтажа, б) - для поверхностного монтажа

Слайд 37

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Параметры фототранзисторов :
–

интегральная чувствительность;
– рабочее напряжение (10-15 В);
– темновой ток (до сотен микроампер);
– рабочий ток (до десятков миллиампер);
– максимальная допустимая рассеиваемая мощность (до десятков милливатт);
– граничная частота.

Элементы оптоэлектроники. Фоторезисторы. Фотодиоды. Фототранзисторы. (Лекция 13.1)

Содержание

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016ФоторезисторыМонокристаллический фоторезистор

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016ФоторезисторыПленочный фоторезистор

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016темновой ток Iт =

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016световой токIс =

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Вольт-амперная характеристика фоторезистора

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Люкс-амперная характеристика фоторезистора

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Спектральная характеристика фоторезистора

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Частотная характеристика фоторезистора

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Пример внешнего вида

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Основные параметры фоторезисторов Рабочее

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Основные параметры фоторезисторовТемновое

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Основные параметры фоторезисторовКратность

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Основные параметры фоторезисторовОбщий

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Основные параметры фоторезисторовУдельная

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Основные параметры фоторезисторовИнтегральная

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016ФотодиодыI=IФ-IS(eU/ϕт-1)где IФ=Si·Ф -

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016ФотодиодыВольт-амперная характеристика

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Режим короткого замыканияФотодиодыU=0IОБЩ=IФ=SiФРежим

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Схема включения фотодиода

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016График напряжения на

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Энергетические характеристикиФотодиоды

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Частотные характеристикиФотодиодыfГР fSИНТ0.75

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Спектральная характеристикаS(λ)Фотодиоды

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Спектральная характеристикаS(λ)Фотодиоды

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016ФотодиодыЗависимость чувствительности от

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Основные параметры -

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Пример внешнего вида

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Примеры конструкцииp-i-n фотодиод

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Примеры конструкцииЛавинный фотодиод

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Фототранзисторы

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Фототранзисторы

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016ФототранзисторыВыходные характеристики

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Структура и схема

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Фототранзисторы

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Примеры внешнего вида

ХНУРЭ Факультет КИУКафедра ЭВМ тел. 70-21-354Элементы оптоэлектроники Весна 2016Параметры фототранзисторов :–

Похожие презентации

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фоторезисторы
Монокристаллический фоторезистор

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фоторезисторы
Пленочный фоторезистор

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
темновой ток Iт =

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
световой ток
Iс =

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Вольт-амперная характеристика фоторезистора

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Люкс-амперная характеристика фоторезистора

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Спектральная характеристика фоторезистора

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Частотная характеристика фоторезистора

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Пример внешнего вида

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов Рабочее

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Темновое

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Кратность

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Общий

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Удельная

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры фоторезисторов
Интегральная

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фотодиоды
I=IФ-IS(eU/ϕт-1)
где IФ=Si·Ф -

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фотодиоды
Вольт-амперная характеристика

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Режим короткого замыкания
Фотодиоды
U=0
IОБЩ=IФ=SiФ
Режим

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Схема включения фотодиода

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
График напряжения на

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Энергетические характеристики
Фотодиоды

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Частотные характеристики
Фотодиоды
fГР f
SИНТ
0.75

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Спектральная характеристика
S(λ)
Фотодиоды

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Спектральная характеристика
S(λ)
Фотодиоды

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фотодиоды
Зависимость чувствительности от

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Основные параметры -

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Пример внешнего вида

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Примеры конструкции
p-i-n фотодиод

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Примеры конструкции
Лавинный фотодиод

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фототранзисторы

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фототранзисторы

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фототранзисторы
Выходные характеристики

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Структура и схема

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Фототранзисторы

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Примеры внешнего вида

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Элементы оптоэлектроники Весна 2016
Параметры фототранзисторов :
–