Физика наноструктур и элементы электроники

Тема лекции: Физика наноструктур и элементы электроники.

1. Свободный электрон и потенциальная

Джон А. Флеминг 

Свободная частица, движущаяся вдоль

Частица в одномерной бесконечно глубокой яме

Квантовая точка – наноструктура,

Простая кубическая

Полоний

Гранецентрированная

Алюминий
(Al)

Объемно-центри-рованная

Молибден, вольфрам

Типа алмаза

Германий, кремний

Решеткой или системой трансляций Браве называется набор элементарных трансляций или трансляционная группа,

Основные квантовые структуры.

3D-объект –свободный электрон

2D-объект –электрон в слое, толщиной соизмеримой с

Искусственные образования из типичных квантовых структур.

Диэлектрики: Δε>3эВ

Проводники: Δε<0.3эВ

Полуроводники:
0.3эВ<Δε<3эВ

Каждая волновая функция связана с двумя состояниями, отличающимся по спину.

Число электронных

(W-WF)/kT

С уровнем Ферми совпадает энергетический уровень, вероятность заполнения которого в

Задача: Определить концентрацию электронов в зоне проводимости.

Концентрация разрешенных уровней в полосе

Собственные свойства полупроводника

Положение уровня Ферми в собственном п/п

Концентрации носителей зарядов.

Заряды образуются парами

Окончательно

Собственные свойства полупроводника

Германий

Кремний

Примесные полупроводники

Донорная примесь

Акцепторная примесь.

Положение уровня Ферми в примесном полупроводнике. .

Концентрация носителей

Эквивалентная схема диода

Вольтамперная характеристика p-n перехода.

Процессы в двух p-n-переходах.

Динамический режим работы транзистора.

Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим, при

ТС-схемы.

Триггерные схемы (ТС)- схемы в которых значения выходных сигналов однозначно определяются