Содержание
- 2. “It was the best of times, it was the worst of times, it was the age
- 3. Устройства памяти 35 Xe atoms
- 4. Оптическая система. Optical system. Photograph of a Fresnel microlens on an adjustable platform made of five
- 5. Photograph of the NovaSensor NPP-301, a premolded plastic, surface mount (SOIC-type) and absolute pressure sensor. (Courtesy
- 6. Photograph of a disposable blood pressure sensor for arterial-line measurement in intensive care units. The die
- 7. Преимущества Si как базового материала НЭМС Advantages of Si in NEMS/MEMS Дешевизна. Cheap. Высокое кристаллическое совершенство.
- 8. Формы и содинения кремния. Si forms and compounds. Crystalline silicon is a hard and brittle material
- 9. Физические свойства некоторых материалов НЭМС
- 10. Тонкие пленки металлов в НЭМС
- 11. Оптическое отражение от кремния и некоторых металлов Reflectivity of Si and some metals
- 12. Области применения различных материалов в НЭМС. Application areas of MEMS materials.
- 13. Базовый цикл создания НЭМС. Base cycle of NEMS formation.
- 14. Маркировка пластин полупроводников. Marking of wafers. (a) Illustration showing the primary and secondary flats of {100}
- 15. Эпитаксия кремния – молекулярно-лучевая или газофазная Epitaxy of Si – MBE and VPE Массовое промышленное производство
- 16. CVD Химическое осаждение из газовой фазы. Chemical vapor deposition Temperature > 300 °C. Growth rate from
- 17. Термическое окисление. Thermal oxidation Атмосфера кислорода, oxygen flux, 850-1150 °С. Аморфный SiO2, толщина зависит от температуры,
- 18. Распыление Sputtering Бомбардировка ионами, возможно в присутствии внешних полей: СВЧ, магнетронное, и др. Bombardment of target
- 19. Испарение Evaporation Термическое, лазерное, электронное Thermal, laser, electron-beam heating Источник испаряется в вакуумной камере и осаждается
- 20. Spin-On Methods Жидкий раствор напыляется из сопла на середину пластины, которая раскручивается со скоростью от 500
- 21. Литография Litogrophy Нанесение резиста Deposition of resist. Перенесение изображения маски на резист. Imaging mask on resist
- 22. Фотолитография. Photolithography.
- 23. Lift-off метод Ппенка напыляется на профиль резиста. Резист удаляется вместе с нанесенной на него сверху пленкой.
- 24. Фотолитография. Photolithography. Проекционная фотолитография позволяет получить разрешение λ/2. Diffraction limit of resolution is λ/2. Используется УФ
- 25. Использование ближнего поля для улучшения разрешения Near-field techniques to improve resolution
- 26. Нанесение резиста и литография для поверхности с глубоким профилем Deposition of resist on a surface with
- 27. Двусторонняя литография. Double side lithography. Double-sided alignment scheme for the SUSS MA-6 alignment system: (a) the
- 28. Литография с помощью электронных пучков Electron beam lithography Холодная полевая эмиссия электронов Шоттки. Cold field emission.
- 29. Сфокусированные ионные пучки Focused ion beams Альтернатива электронной литографии Alternative to electron beam lithography Нет маски
- 30. Scanned-Probe Lithography AFM and STM Resolution 1-100 nm No mask Limited writing rate
- 31. Наноштамповка Nanoimprint Nanoimprint lithography: (a) press hard mold into resist coating; (b) remove mold; and (c)
- 32. Штамповка литографической маски Microcontact printing: (a) create master; (b) form PDMS stamp and peel off; (c)
- 33. Заключение Conclusion Базовым материалом НЭМС является кремний Si is the material of choice for majority of
- 35. Скачать презентацию