Презентация по физике "Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик" - скачать

Август 27, 2022

Главная
Физика
Презентация по физике "Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик" - скачать

Содержание

2. Мультиферроики
3. Материалы, обладающие пьезоэлектрическим или электрострикционным эффектом Материалы, обладающие магнитострикционным эффектом BiFeO3 Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 YbMnO3 BiМnO3 LaMnO3 Однофазные
4. Планарные конденсаторные структуры на основе материалов с мультиферроидными свойствами, полученные двумя способами: а) многослойные структуры, содержащие
5. Магнитодиэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках
6. Электродинамическое взаимодействие Электрическая и магнитная перестройка дисперсионных кривых
7. Резонатор на основе структуры феррит-сегнетоэлектрик щелевая линия
8. 1 – вакуумный колпак установки УВР3-29; 2 – держатель и нагреватель подложек; 3 – порошковая мишень
9. Дифрактограмма BSTO (x=0.5) пленки выращенной на ферритовой подложке.
10. Рисунок 7 - Слоистая структура идеальный металл–диэлектрик–СЭП–диэлектрический буферный слой–пленка феррита−диэлектрик–идеальный метал и ее электродинамическая модель. XPS
11. Характеристики исследованных образцов
12. Установка для измерения диэлектрических характеристик и электропроводности Планарный сегнетоконденсатор
13. Результаты измерений диэлектрических характеристик исследуемых пленок
14. Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353S Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости
15. ВФХ конденсаторов в магнитном поле
17. Скачать презентацию

Слайд 2

Мультиферроики

Слайд 3

Материалы, обладающие пьезоэлектрическим или электрострикционным
эффектом
Материалы, обладающие магнитострикционным эффектом
BiFeO3
Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 YbMnO3
BiМnO3
LaMnO3
Однофазные мультиферроики,
обладающие

магнитодиэлектрическим эффектом

CoFe2O4
LiFe2O4
Y3Fe5O12

BaTiO3
PbZr1-xTixO3
Ba0.8Pb0.2TiO3
(1-x)[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
-x[PbTiO3].

Слайд 4

Планарные конденсаторные структуры на основе материалов с мультиферроидными свойствами, полученные двумя

способами: а) многослойные структуры, содержащие пленки сегнетоэлектриков и ферромагнетиков б) введение в сегнетоэлектрик магнитных элементов в концентрациях, достаточных для возникновения магнитных свойств в композитном материале.

Толщины слоев:
BSTO: 0.5 – 1.5 мкм
YIG: 5 – 8 мкм
Подложка: 300 – 500 мкм

Способы формирования искуственных
мультиферроидных сред

Слайд 5

Магнитодиэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках

Слайд 6

Электродинамическое взаимодействие Электрическая и магнитная перестройка дисперсионных кривых

Слайд 7

Резонатор на основе структуры феррит-сегнетоэлектрик щелевая линия

Слайд 8

1 – вакуумный колпак установки УВР3-29;
2 – держатель и нагреватель подложек;
3

– порошковая мишень (∅ 120 мм)

Слайд 9

Дифрактограмма BSTO (x=0.5) пленки выращенной на ферритовой подложке.

Слайд 10

Рисунок 7 - Слоистая структура идеальный металл–диэлектрик–СЭП–диэлектрический буферный слой–пленка феррита−диэлектрик–идеальный метал

и ее электродинамическая модель.

XPS спектр слоистой структуры
BSTO/YIG/GGG

Слайд 11

Характеристики исследованных образцов

Слайд 12

Установка для измерения диэлектрических характеристик и электропроводности
Планарный сегнетоконденсатор

Слайд 13

Результаты измерений диэлектрических
характеристик исследуемых пленок

Слайд 14

Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353S

Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353F

Слайд 15

ВФХ конденсаторов в магнитном поле